【BFP640NPN硅锗RF晶体管高增益低噪声RF晶体管提供出色的性能为广泛的无线应用非常适用于CDM】,IC型号BFP640,BFP640 PDF资料,BFP640经销商,ic,电子元器件-51电子网

BFP640

NPN硅锗RF晶体管

高增益低噪声RF晶体管

提供出色的性能

为广泛的无线应用

非常适用于CDMA和WLAN的应用

出色的噪声系数

F

= 0.65分贝在1.8GHz

出色的噪声系数

F

= 1.2分贝在6 GHz

最大稳定增益

G

ms

= 24分贝1.8 GHz的

黄金金属额外的高可靠性

70 GHz的

f

T

- 硅锗技术

无铅（符合RoHS标准）封装

1)

合格的依据AEC Q101

3

4

1

2

ESD

（静电

放）

敏感的设备，观察处理防范！

TYPE

BFP640

1

含有铅，

记号

R4s

1=B

引脚配置

2=E

3=C

4=E

-

包

SOT343

包可能是可根据特殊要求

2007-05-29

1

BFP640

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

T

A

> 0 ℃，

T

A

≤

0 °C

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

总功耗

1)

T

S

≤

90°C

结温

环境温度

储存温度

热阻

参数

结 - 焊接点

2)

符号

R

thjs

价值

≤

300

单位

K / W

T

j

T

A

T

英镑

150

-65 ... 150

°C

V

CES

V

CBO

V

EBO

I

C

I

B

P

合计

符号

V

首席执行官

4

3.7

13

1.2

50

3

200

mW

mA

价值

单位

V

电气特性

at

T

A

= 25℃ ，除非另有说明

符号

值

参数

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 1毫安，

I

B

= 0

集电极 - 发射极截止电流

V

CE

= 13 V,

V

BE

= 0

集电极 - 基极截止电流

V

CB

= 5 V,

I

E

= 0

发射基截止电流

V

EB

= 0.5 V,

I

C

= 0

直流电流增益

I

C

= 30毫安，

V

CE

= 3 V ，测量脉搏

1

T

单位

马克斯。

-

30

100

3

270

V

A

nA

A

-

典型值。

4.5

-

180

V

（ BR ） CEO

I

CES

I

CBO

I

EBO

h

FE

4

-

110

S为在焊接点，以在pcb上测量集电极引线

2

对于计算

R

thJA

请参考应用笔记热阻

2007-05-29

2

BFP640

电气特性

at

T

A

= 25℃ ，除非另有说明

符号

值

单位

参数

分钟。

典型值。马克斯。

AC特性

（通过随机抽样核实）

跃迁频率

f

T

I

C

= 30毫安，

V

CE

= 3 V,

f

= 1 GHz的

集电极 - 基极电容

V

CB

= 3 V,

f

= 1 MHz时，

V

BE

= 0 ,

发射极接地

集电极 - 发射极电容

V

CE

= 3 V,

f

= 1 MHz时，

V

BE

= 0 ,

底座接地

发射极 - 基极电容

V

EB

= 0.5 V,

f

= 1 MHz时，

V

CB

= 0 ,

集电极接地

噪声系数

I

C

= 5毫安，

V

CE

= 3 V,

f

= 1.8千兆赫，

Z

S

=

Z

SOPT

I

C

= 5毫安，

V

CE

= 3 V,

f

= 6 GHz的，

Z

S

=

Z

SOPT

功率增益，最大稳定

1)

I

C

= 30毫安，

V

CE

= 3 V,

Z

S

=

Z

SOPT

,

Z

L

=

Z

LOPT

,

f

= 1.8 GHz的

功率增益，最大可用

1)

I

C

= 30毫安，

V

CE

= 3 V,

Z

S

=

Z

SOPT

,

Z

L

=

Z

LOPT

,

f

= 6 GHz的

传感器增益

I

C

= 30毫安，

V

CE

= 3 V,

Z

S

=

Z

L

= 50

,

f

= 1.8 GHz的

f

= 6 GHz的

在输出三阶截取点

2)

V

CE

= 3 V,

I

C

= 30毫安，

Z

S

=Z

L

=50

,

f

=

1

.

8 GHz的

1dB压缩点的输出

I

C

= 30毫安，

V

CE

= 3 V,

Z

S

=Z

L

=50

,

f

=

1

.

8 GHz的

1/2

MA = |

S

21e /

S

器12e | （的k （ K -1）），

G

女士= |

S

21e /

S

12e |

2

IP3值取决于终端的所有互调频率分量。

用于该测定的终止是50

从0.1 MHz到6 GHz的

1

G

30

-

40

0.09

-

0.2

GHz的

pF

C

cb

C

ce

-

0.23

-

C

eb

-

0.5

-

F

-

G

ms

-

0.65

1.2

24

-

dB

G

ma

-

12.5

-

dB

|S

21e

|

2

-

IP

3

P

-1dB

-

21

10.5

26.5

13

-

dB

DBM

2007-05-29

3

BFP640

SPICE参数（的Gummel -潘型号，伯克利- SPICE 2G.6语法）：

晶体管芯片的数据：

IS =

VAF =

NE =

VAR =

NC =

RBM =

CJE =

TF =

ITF =

VJC =

TR =

MJS =

XTI =

AF =

TITF1

0.22

1000

2

1.8

2.707

227.6

1.8

0.4

0.6

0.2

0.27

3

2

-0.0065

fA

V

-

V

-

fF

ps

A

V

ns

-

BF =

IKF =

BR =

IKR =

RB =

RE =

VJE =

XTF =

PTF =

MJC =

CJS =

XTB =

FC =

KF -

TITF2

450

0.15

55

3.8

3.129

0.6

0.8

10

0

0.5

93.4

-1.42

0.8

7.291E-11

1.0E-5

-

A

-

mA

-

V

-

度

-

fF

-

NF =

ISE =

NR =

ISC =

IRB =

RC =

MJE =

VTF =

CJC =

XCJC =

VJS =

EG =

TNOM

1.025

21

1

400

1.522

3.061

0.3

1.5

67.43

1

0.6

1.078

298

-

fA

-

fA

mA

-

V

fF

-

V

eV

K

所有的参数都可以使用了，没有scalling是必要的。

包装等效电路：

CBS

苏格兰皇家银行

CBCC

LCC

C

BFP640_Chip

B

S

RCS

E

水库

CES

CCS

LCB

B

LBB

LBC

CBEC

C

LEC

CBE

I

LEB

CBEO

CCEO

CCEI

中T = 25℃

ITF = 400 * （ 1 - 6.5E - 3 * （T - 25 ） + 1.0E - 5 * （T - 25 ） ^ 2 ）

E

有关示例，并准备使用参数

请联系您当地的英飞凌科技

分销商或销售办事处获得英飞凌

技术的CD - ROM或互联网看到：

http://www.infineon.com

LBC =

LCC =

LEC =

LBB =

LCB =

LEB =

CBEC =

CBCC =

CES =

CBS =

CCS =

CCEO =

CBEO =

CCEI =

CBEI =

RBS =

RCS =

水库？

120

20

696.2

682.4

230.6

98.4

55.9

180

79

75

131.2

102.5

112.6

180.4

1200

300

pH

fF

有效高达6GHz

2007-05-29

4

BFP640

总功耗

P

合计

=

(

T

S

)

允许的脉冲负载

R

thjs

=

(

t

p

)

220

mW

10

3

180

160

140

120

100

80

60

40

20

0

15

30

45

60

75

90 105 120

°C

150

K / W

R

thjs

10

2

P

合计

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.005

D=0

10

1 -7

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

T

S

t

p

允许的脉冲负载

P

totmax

/

P

totDC

=

(

t

p

)

10

1

集电极 - 基极电容

C

cb

=

(

V

CB

)

f

= 1MHz的

0.25

P

totmax

/P

totDC

pF

-

D=0

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

C

CB

-3

-2

0.15

0.1

0.05

10

0 -7

10

-6

10

-5

10

-4

10

s

10

0

2

4

6

8

10

V

14

t

p

V

CB

2007-05-29

5

BFP640

NPN硅锗RF晶体管

高增益低噪声RF晶体管

提供出色的性能

为广泛的无线应用

非常适用于CDMA和WLAN的应用

出色的噪声系数

F

= 0.65分贝在1.8GHz

出色的噪声系数

F

= 1.3分贝在6 GHz

最大稳定增益

G

ms

= 24分贝1.8 GHz的

黄金金属额外的高可靠性

70 GHz的

f

T

- 硅锗技术

防静电：静电放电

敏感的设备，观察处理防范！

3

4

2

1

VPS05605

TYPE

BFP640

最大额定值

参数

记号

R4s

1=B

引脚配置

2=E

3=C

4=E

符号

V

首席执行官

4

3.7

V

CES

V

CBO

V

EBO

I

C

I

B

P

合计

T

j

T

A

T

英镑

13

1.2

50

3

200

150

包

-

SOT343

价值

单位

V

-

集电极 - 发射极电压

T

A

> 0 ℃，

T

A

≤

0 °C

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

总功耗

1)

T

S

≤

90°C

结温

环境温度

储存温度

mA

mW

°C

-65 ... 150

1

T

是在焊接点上的印刷电路板测量的集电极引线

S

1

Apr-21-2004

BFP640

热阻

参数

结 - 焊接点

1)

符号

R

thjs

价值

≤

300

单位

K / W

电气特性

at

T

A

= 25℃ ，除非另有说明

符号

值

参数

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 1毫安，

I

B

= 0

集电极 - 发射极截止电流

V

CE

= 13 V,

V

BE

= 0

集电极 - 基极截止电流

V

CB

= 5 V,

I

E

= 0

发射基截止电流

V

EB

= 0.5 V,

I

C

= 0

直流电流增益

I

C

= 30毫安，

V

CE

= 3 V ，测量脉搏

1对于计算

R

thJA

请参考应用笔记热阻

单位

马克斯。

-

30

100

3

270

V

A

nA

A

-

典型值。

4.5

-

180

V

（ BR ） CEO

I

CES

I

CBO

I

EBO

h

FE

4

-

110

2

Apr-21-2004

BFP640

电气特性

at

T

A

= 25℃ ，除非另有说明

符号

值

单位

参数

分钟。

典型值。马克斯。

AC特性

（通过随机抽样核实）

跃迁频率

f

T

I

C

= 30毫安，

V

CE

= 3 V,

f

= 1 GHz的

集电极 - 基极电容

V

CB

= 3 V,

f

= 1兆赫

集电极 - 发射极电容

V

CE

= 3 V,

f

= 1兆赫

发射极 - 基极电容

V

EB

= 0.5 V,

f

= 1兆赫

噪声系数

I

C

= 5毫安，

V

CE

= 3 V,

f

= 1.8千兆赫，

Z

S

=

Z

SOPT

I

C

= 5毫安，

V

CE

= 3 V,

f

= 6 GHz的，

Z

S

=

Z

SOPT

功率增益，最大稳定

1)

I

C

= 30毫安，

V

CE

= 3 V,

Z

S

=

Z

SOPT

,

Z

L

=

Z

LOPT

,

f

= 1.8 GHz的

功率增益，最大可用

1)

I

C

= 30毫安，

V

CE

= 3 V,

Z

S

=

Z

SOPT

,

Z

L

=

Z

LOPT

,

f

= 6 GHz的

传感器增益

I

C

= 30毫安，

V

CE

= 3 V,

Z

S

=

Z

L

= 50

,

f

= 1.8 GHz的

I

C

= 30毫安，

V

CE

= 3 V,

Z

S

=

Z

L

= 50

,

f

= 6 GHz的

在输出三阶截取点

2)

V

CE

= 3 V,

I

C

= 30毫安，

f

= 1.8千兆赫，

Z

S

=

Z

L

= 50

1dB压缩点的输出

I

C

= 30毫安，

V

CE

= 3 V,

Z

S

=

Z

L

= 50

,

f

= 1.8 GHz的

1

G

1/2

ma

= |

S

21e

/

S

12e

| (k-(k-1) ),

G

ms

= |

S

21e

/

S

12e

|

2IP3值取决于终端的所有互调频率分量。

用于该测定的终止是50

从0.1 MHz到6 GHz的

30

-

40

0.09

0.23

0.5

-

0.2

-

GHz的

pF

C

cb

C

ce

C

eb

F

dB

-

0.65

1.3

24

-

dB

G

ms

-

G

ma

-

12.5

-

dB

|S

21e

|

2

-

IP

3

-

21

10.5

26.5

-

dB

DBM

P

-1dB

-

13

-

3

Apr-21-2004

BFP640

SPICE参数（的Gummel -潘型号，伯克利- SPICE 2G.6语法）：

Transitor芯片的数据：

IS =

VAF =

NE =

VAR =

NC =

RBM =

CJE =

TF =

ITF =

VJC =

TR =

MJS =

XTI =

AF =

TITF1

0.22

1000

2

1.8

2.707

227.6

1.8

0.4

0.6

0.2

0.27

3

2

-0.0065

fA

V

-

V

-

fF

ps

A

V

ns

-

BF =

IKF =

BR =

IKR =

RB =

RE =

VJE =

XTF =

PTF =

MJC =

CJS =

XTB =

FC =

KF -

TITF2

450

0.15

55

3.8

3.129

0.6

0.8

10

0

0.5

93.4

-1.42

0.8

7.291E-11

1.0E-5

-

A

-

mA

-

V

-

度

-

fF

-

NF =

ISE =

NR =

ISC =

IRB =

RC =

MJE =

VTF =

CJC =

XCJC =

VJS =

EG =

TNOM

1.025

21

1

400

1.522

3.061

0.3

1.5

67.43

1

0.6

1.078

298

-

fA

-

fA

mA

-

V

fF

-

V

eV

K

所有的参数都可以使用了，没有scalling是必要的。提取的代表英飞凌科技股份公司通过：

研究所献给Mobil- UND Satellitentechnik （ IMST ）

包装等效电路：

R C B·S

C B C C

C

B在fp 6 4 0 _建华IP

S

B

E

R C （E S）

L C

B

L B B

L B C

C B权证

R C （C S）

L C B

C

L E

C B E I

L E B

C B ê

T =

2 5 °C

C C ê

C C E I

ITF = 4 0 0 * （ 1 - 6 0.5 -3 * （T -2 5 ） + 1.0 -5 * （T -2 5 ） ^ 2 ）

E

有关示例，并准备使用参数

请联系您当地的英飞凌科技

分销商或销售办事处获得英飞凌

技术的CD - ROM或互联网看到：

HTTP // www.infineon.com / silicondiscretes

LBC =

LCC =

LEC =

LBB =

LCB =

LEB =

CBEC =

CBCC =

CES =

CBS =

CCS =

CCEO =

CBEO =

CCEI =

CBEI =

RBS =

RCS =

水库？

120

20

696.2

682.4

230.6

98.4

55.9

180

79

75

131.2

102.5

112.6

180.4

1200

300

pH

fF

有效高达6GHz

4

Apr-21-2004

BFP640

总功耗

P

合计

=

(

T

S

)

允许的脉冲负载

R

thjs

=

(

t

p

)

220

mW

10

3

180

160

140

120

100

80

60

40

20

0

15

30

45

60

75

90 105 120

°C

150

K / W

R

thjs

10

2

P

合计

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.005

D=0

10

1 -7

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

T

S

t

p

允许的脉冲负载

P

totmax

/

P

totDC

=

(

t

p

)

10

1

集电极 - 基极电容

C

cb

=

(

V

CB

)

f

= 1MHz的

0.25

P

totmax

/P

totDC

pF

-

D=0

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

C

CB

-3

-2

0.15

0.1

0.05

10

0 -7

10

-6

10

-5

10

-4

10

s

10

0

2

4

6

8

10

V

14

t

p

V

CB

5

Apr-21-2004