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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第16页 > BFP540FESD
BFP540FESD
NPN硅晶体管RF *
用于ESD保护的高增益低噪声放大器
出色的ESD性能
典型值为1000 V ( HBM )
优秀
G
ms
= 20分贝
噪声系数
F
= 0.9分贝
SIEGET
45 - 线
无铅(符合RoHS标准)封装
1)
合格的依据AEC Q101
*短期描述
4
3
1
2
ESD
(静电
放)
敏感的设备,观察处理防范!
TYPE
BFP540FESD
最大额定值
参数
记号
澳大利亚
1=B
引脚配置
2=E
3=C
4=E
符号
V
首席执行官
4.5
4
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
j
T
A
T
英镑
10
10
1
80
8
250
150
-
TSFP-4
价值
单位
V
-
集电极 - 发射极电压
T
A
> 0 ℃,
T
A
0°C
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
2)
T
S
80 °C
结温
环境温度
储存温度
1
含有铅,
2
T
mA
mW
°C
-65 ... 150
-65 ... 150
包可能是可根据特殊要求
S为在焊接点,以在pcb上测量集电极引线
2010-03-12
1
BFP540FESD
热阻
参数
结 - 焊接点
1)
符号
R
thjs
价值
280
单位
K / W
电气特性
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
符号
参数
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1毫安,
I
B
= 0
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 10 V,
V
BE
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 5 V,
I
E
= 0
发射基截止电流
V
EB
= 0.5 V,
I
C
= 0
直流电流增益
I
C
= 20毫安,
V
CE
= 3.5 V ,测量脉搏
1
单位
马克斯。
-
10
100
10
170
V
A
nA
A
-
典型值。
5
-
-
-
110
V
( BR ) CEO
I
CES
I
CBO
I
EBO
h
FE
4.5
-
-
-
50
计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
2010-03-12
2
BFP540FESD
电气特性
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
符号
单位
参数
分钟。
典型值。马克斯。
AC特性
(通过随机抽样核实)
跃迁频率
f
T
I
C
= 50毫安,
V
CE
= 4 V,
f
= 1 GHz的
集电极 - 基极电容
V
CB
= 2 V,
f
= 1 MHz时,
V
BE
= 0 ,
发射极接地
集电极 - 发射极电容
V
CE
= 2 V,
f
= 1 MHz时,
V
BE
= 0 ,
底座接地
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1 MHz时,
V
CB
= 0 ,
集电极接地
噪声系数
I
C
= 5毫安,
V
CE
= 2 V,
f
= 1.8千兆赫,
Z
S
=
Z
SOPT
I
C
= 5毫安,
V
CE
= 2 V,
f
= 3千兆赫,
Z
S
=
Z
SOPT
功率增益,最大稳定
1)
I
C
= 20毫安,
V
CE
= 2 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
Z
L
=
Z
LOPT
,
f
= 1.8 GHz的
功率增益,最大可用
1)
I
C
= 20毫安,
V
CE
= 2 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
Z
L
=
Z
LOPT
,
f
= 3 GHz的
传感器增益
I
C
= 20毫安,
V
CE
= 2 V,
Z
S =
Z
L =
50
,
f
=
1
.
8GHz
I
C
= 20毫安,
V
CE
= 2 V,
Z
S =
Z
L =
50
,
f
=
3GHz
在输出三阶截取点
2)
V
CE
= 2 V,
I
C
= 20毫安,
Z
S =
Z
L =
50
,
f
=
1
.
8GHz
1dB压缩点的输出
I
C
= 20毫安,
V
CE
= 2 V,
Z
S =
Z
L =
50
,
f
=
1
.
8GHz
1
G
ma
21
-
30
0.16
-
0.26
GHz的
pF
C
cb
C
ce
-
0.4
-
C
eb
-
0.55
-
F
-
-
G
ms
-
0.9
1.3
20
1.4
-
-
dB
dB
G
ma
-
14.5
-
dB
|S
21e
|
2
15.5
-
IP
3
P
-1dB
-
-
18
13
24.5
11
-
-
-
-
dB
DBM
= |S
21e
/
S
12e
| (k-(k-1)
1/2
),
G
ms
= |S
21e
/
S
12e
|
2
IP3值取决于终端的所有互调频率分量。
用于该测定的终止是50
从0.1 MHz到6 GHz的
2010-03-12
3
BFP540FESD
SPICE参数
对于SPICE模型以及用于S参数(包括噪声参数)
请参考我们的互联网网站
www.infineon.com/rf.model 。
请访问我们的网站,并在实际下载最新版本
开始你的设计。
你会发现在MWO-和ADS-工具,互联网的BFP540FESD SPICE模型
非常快捷方便。
仿真数据已经产生,并用一般的器件进行了验证。
该BFP540FESD SPICE模型反映了典型的直流和射频性能
精度高。
BFP540FESD的SPICE模型将在Q02 / 2010 。
2010-03-12
4
包装TSFP - 4
BFP540FESD
包装外形
1.4
±0.05
0.2
±0.05
1.2
±0.05
0.2
±0.05
4
3
1
2
0.2
±0.05
0.5
±0.05
0.5
±0.05
0.15
±0.05
FOOT PRINT
0.35
0.45
0.5
0.5
标记版面(例)
生产厂家
0.9
销1
BFP420F
型号代码
标准包装
盘180毫米= 3.000件/卷
盘330毫米= 10.000件/卷
4
0.2
1.4
8
销1
1.55
0.7
10最大。
0.8
±0.05
0.55
±0.04
2010-03-12
5
BFP540FESD
NPN硅晶体管RF *
用于ESD保护的高增益低噪声放大器
出色的ESD性能
典型值为1000 V ( HBM )
优秀
G
ms
= 20分贝
噪声系数
F
= 0.9分贝
SIEGET
45 - 线
无铅(符合RoHS标准)封装
1)
合格的依据AEC Q101
*短期描述
3
4
1
2
ESD
(静电
放)
敏感的设备,观察处理防范!
TYPE
BFP540FESD
最大额定值
参数
记号
澳大利亚
1=B
引脚配置
2=E
3=C
4=E
符号
V
首席执行官
4.5
4
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
j
T
A
T
英镑
10
10
1
80
8
250
150
-
TSFP-4
价值
单位
V
-
集电极 - 发射极电压
T
A
> 0 ℃,
T
A
0°C
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
2)
T
S
80 °C
结温
环境温度
储存温度
1
含有铅,
2
T
mA
mW
°C
-65 ... 150
-65 ... 150
包可能是可根据特殊要求
S为在焊接点,以在pcb上测量集电极引线
2007-03-23
1
BFP540FESD
热阻
参数
结 - 焊接点
1)
符号
R
thjs
价值
280
单位
K / W
电气特性
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
符号
参数
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1毫安,
I
B
= 0
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 10 V,
V
BE
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 5 V,
I
E
= 0
发射基截止电流
V
EB
= 0.5 V,
I
C
= 0
直流电流增益
I
C
= 20毫安,
V
CE
= 3.5 V ,测量脉搏
1
单位
马克斯。
-
10
100
10
170
V
A
nA
A
-
典型值。
5
-
-
-
110
V
( BR ) CEO
I
CES
I
CBO
I
EBO
h
FE
4.5
-
-
-
50
计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
2007-03-23
2
BFP540FESD
电气特性
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
符号
单位
参数
分钟。
典型值。马克斯。
AC特性
(通过随机抽样核实)
跃迁频率
f
T
I
C
= 50毫安,
V
CE
= 4 V,
f
= 1 GHz的
集电极 - 基极电容
V
CB
= 2 V,
f
= 1 MHz时,
V
BE
= 0 ,
发射极接地
集电极 - 发射极电容
V
CE
= 2 V,
f
= 1 MHz时,
V
BE
= 0 ,
底座接地
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1 MHz时,
V
CB
= 0 ,
集电极接地
噪声系数
I
C
= 5毫安,
V
CE
= 2 V,
f
= 1.8千兆赫,
Z
S
=
Z
SOPT
I
C
= 5毫安,
V
CE
= 2 V,
f
= 3千兆赫,
Z
S
=
Z
SOPT
功率增益,最大稳定
1)
I
C
= 20毫安,
V
CE
= 2 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
Z
L
=
Z
LOPT
,
f
= 1.8 GHz的
功率增益,最大可用
1)
I
C
= 20毫安,
V
CE
= 2 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
Z
L
=
Z
LOPT
,
f
= 3 GHz的
传感器增益
I
C
= 20毫安,
V
CE
= 2 V,
Z
S =
Z
L =
50
,
f
=
1
.
8GHz
I
C
= 20毫安,
V
CE
= 2 V,
Z
S =
Z
L =
50
,
f
=
3GHz
在输出三阶截取点
2)
V
CE
= 2 V,
I
C
= 20毫安,
Z
S =
Z
L =
50
,
f
=
1
.
8GHz
1dB压缩点的输出
I
C
= 20毫安,
V
CE
= 2 V,
Z
S =
Z
L =
50
,
f
=
1
.
8GHz
1
G
ma
21
-
30
0.16
-
0.26
GHz的
pF
C
cb
C
ce
-
0.4
-
C
eb
-
0.55
-
F
-
-
G
ms
-
0.9
1.3
20
1.4
-
-
dB
dB
G
ma
-
14.5
-
dB
|S
21e
|
2
15.5
-
IP
3
P
-1dB
-
-
18
13
24.5
11
-
-
-
-
dB
DBM
= |S
21e
/
S
12e
| (k-(k-1)
1/2
),
G
ms
= |S
21e
/
S
12e
|
2
IP3值取决于终端的所有互调频率分量。
用于该测定的终止是50
从0.1 MHz到6 GHz的
2007-03-23
3
包装TSFP - 4
BFP540FESD
包装外形
1.4
±0.05
0.2
±0.05
1.2
±0.05
0.2
±0.05
4
3
1
2
0.2
±0.05
0.5
±0.05
0.5
±0.05
0.15
±0.05
FOOT PRINT
0.35
0.45
0.5
0.5
标记版面(例)
生产厂家
0.9
销1
BFP420F
型号代码
标准包装
盘180毫米= 3.000件/卷
盘330毫米= 10.000件/卷
4
0.2
1.4
8
销1
1.55
0.7
10最大。
0.8
±0.05
0.55
±0.04
2007-03-23
4
BFP540FESD
版2006-02-01
出版
英飞凌科技股份公司
81726慕尼黑,德国
英飞凌科技股份公司2007年。
版权所有。
请注意!
在此库门给出的信息应当在任何情况下被视为保证
条件或特征( “ Beschaffenheitsgarantie ”)。相对于任何
本文所给出的例子或提示,本文中所述的任何典型的值和/或任何信息
关于设备的应用,英飞凌在此声明,任何
和所有保证和任何形式的法律责任,包括但不限于对担保
不侵犯任何第三方的知识产权。
信息
有关技术,交货条款及条件和价格的进一步信息
请联系您最近的英飞凌科技厅( www.infineon.com ) 。
警告
由于技术要求组件可能含有危险物质。
有关类型的信息有问题,请联系距您最近的
英飞凌科技办公室。
英飞凌组件只能用于生命支持设备使用,或
与英飞凌科技的明确书面许可,系统如果发生故障
这样的组件可以合理预期引起的,该故障
生命支持设备或系统中,或以影响的安全性或有效性
设备或系统。
生命支持设备或系统的目的是在人体内被植入,
或支持和/或维护以及维持和/或保护人的生命。如果他们失败了,
这是合理的假设,该用户或其他人的健康
可能受到威胁。
2007-03-23
5
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厂家
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数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BFP540FESD
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BFP540FESD
Infineon Technologies
2420+
16250
TSFP-4
代理Infineon Technologies专营,原装现货优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1316996791 复制

电话:18913062888
联系人:陈先生
地址:江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
BFP540FESD
Infineon
24+
5200
TSFP-4-1
原装正品现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
BFP540FESD
INF
24+
9634
TSFP-4
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2276945435 复制 点击这里给我发消息 QQ:2801615837 复制

电话:0755-82522939
联系人:彭小姐
地址:广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
BFP540FESD
INFINEON
14253
23+
原包装原标现货,假一罚十,
0.1
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:296271020 复制
电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
BFP540FESD
INF
24+
22000
TSFP-4
原装正品假一赔百!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881443942 复制

电话:0755-83291010 83678410
联系人:赵小姐
地址:深圳市福田区华强北华联发大厦西座402
BFP540FESD
INFINEON
2022
345860
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ:414322027 复制
电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
BFP540FESD
INF
2024
20918
TSFP-4
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ:2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ:2719079875 复制

电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
BFP540FESD
INF
2024
20918
TSFP-4
原装现货上海库存,欢迎咨询
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
BFP540FESD
INF
22+
32570
TSFP-4
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2765319833 复制 点击这里给我发消息 QQ:1363272801 复制 点击这里给我发消息 QQ:1294342618 复制
电话:13528893675/15710790696/0755-36335768
联系人:张
地址:广东省深圳市福田区华强北振兴路广东省深圳市福田区振兴路曼哈大厦4楼B801室。
BFP540FESD
INFINEON
22+
6920
TSFP4
公司现货,原装正品
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