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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第367页 > BFP460
BFP460
NPN硅晶体管RF *
对于低电压/低电流应用
理想的VCO模块和低噪声放大器
低噪声系数：1.8分贝1.8 GHz的
出色的ESD性能
高
f
T
22 GHz的
*短期描述
3
4
2
1
VPS05605
防静电：静电放电
敏感的设备，观察处理防范！
TYPE
BFP460
最大额定值
参数
记号
引脚配置
ABS
1 = E 2 = C 3 = E 4 = B -
符号
V
首席执行官
包
-
SOT343
价值
4.5
4.2
单位
V
集电极 - 发射极电压
T
A
> 0 ℃，
T
A
≤
0 °C
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
1)2)
T
S
≤
100°C
结温
环境温度
储存温度
热阻
参数
结 - 焊接点
3)
1
P
由于最大额定值
合计
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
j
T
A
T
英镑
符号
R
thjs
15
15
1.5
50
5
200
150
-65 ... 150
-65 ... 150
价值
≤
250
单位
K / W
mW
°C
mA
2
T
是在焊接点上的印刷电路板测量的集电极引线
S
3对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
1
Jun-14-2004
BFP460
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1毫安，
I
B
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 5 V,
I
E
= 0
发射基截止电流
V
EB
= 0,5 V,
I
C
= 0
直流电流增益
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 3 V ，测量脉搏
h
FE
90
120
160
-
I
EBO
-
-
1
A
I
CBO
-
-
100
nA
V
（ BR ） CEO
4.5
5.8
-
V
典型值。
马克斯。
单位
2
Jun-14-2004
BFP460
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
分钟。
典型值。马克斯。
AC特性
（通过随机抽样核实）
跃迁频率
f
T
I
C
= 30毫安，
V
CE
= 3 V,
f
= 1 GHz的
集电极 - 基极电容
V
CB
= 3 V,
f
= 1兆赫，发射极接地
集电极 - 发射极电容
V
CE
= 3 V,
f
= 1 MHz时，底座接地
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1 MHz时，集热器接地
噪声系数
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 3 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
f
= 1.8 GHz的
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 3 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
f
= 3 GHz的
功率增益，最大稳定
1)
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 3 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
Z
L
=
Z
LOPT
,
f
= 1.8 GHz的
功率增益，最大可用
1)
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 3 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
Z
L
=
Z
LOPT
,
f
= 3 GHz的
传感器增益
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 3 V,
Z
S
=
Z
L
= 50,
f
= 1,8 GHz的
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 3 V,
Z
S
=
Z
L
= 50 ,
f
= 3 GHz的
在输出三阶截取点
2)
V
CE
= 3 V,
I
C
= 20毫安，
f
= 1.8 GHz的
1dB压缩点的输出
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 3 V,
f
= 1.8 GHz的
1
G
1/2
ma
= |
S
21
/
S
12
| (k-(k-1) ),
G
ms
=
S
21
/
S
12
2IP3值取决于终端的所有互调频率分量。
用于该测定的终止是50
从0.1 MHz到6 GHz的
单位
16
-
-
-
22
0.32
0.28
0.55
-
0.45
-
-
GHz的
pF
C
cb
C
ce
C
eb
F
dB
-
-
1.1
1.35
17.5
-
-
-
dB
G
ms
-
G
ma
-
12.5
-
dB
|S
21e
|
2
-
-
IP
3
P
-1dB
-
-
15
10.5
27.5
11.5
-
-
-
-
dB
DBM
3
Jun-14-2004
BFP460
集电极 - 基极电容
C
cb
=
(V
CB
)
f
= 1MHz的
0.7
pF
三阶截点
IP
3
=(I
C
)
（输出，Z
S
=Z
L
=50)
V
CE
=参数，
f
= 1800MHz的 -
33
DBM
29
27
4V
3V
0.5
25
C
CB
0.4
I
P3
23
21
19
2V
0.3
17
15
0.2
13
11
1V
0.1
9
7
0
0
2
4
6
8
10
V
14
5
0
10
20
30
40
mA
55
V
CB
I
C
跃迁频率
f
T
=
(I
C
)
f
= 1 GHz的
V
CE
= V中的参数
24
GHz的
2V
3-4V
功率增益
G
ma
,
G
ms
, |S
21
|
2
=
(f)
V
CE
= 3 V,
I
C
= 20毫安
50
dB
20
18
1V
40
35
30
25
20
15
10
5
mA
|S21|
GMA
大湄公河次区域
f
T
16
14
12
10
8
6
4
0
G
10
20
30
40
60
0
0
1
2
3
4
GHz的
6
I
C
f
4
Jun-14-2004
BFP460
功率增益
G
ma
,
G
ms
=
(I
C
)
V
CE
= 3V
f
=在GHz的参数
24
dB
0.9
功率增益
G
ma
,
G
ms
=
(V
CE
)
I
C
= 20毫安
f
=在GHz的参数
24
dB
0.9
20
18
1.8
20
18
16
2.4
1.8
16
14
12
10
8
6
4
0
mA
2.4
3
4
5
6
G
G
14
3
12
10
8
6
4
0.5
V
4
5
6
10
20
30
40
60
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4.5
I
C
V
CE
5
Jun-14-2004
BFP460
NPN硅晶体管RF
通用低噪声放大器
于低电压，低电流的应用
高ESD鲁棒性，典型的1500V （ HBM ）
低的最小噪声系数1.1分贝在1.8GHz
高线性度：输出压缩点
的OP1dB = 13 dBm的@ 3V ， 35毫安， 1.8GHz的
易于使用的标准封装，引线可见
无铅（符合RoHS标准）封装
合格的依据AEC Q101
3
4
1
2
ESD
(
E
LECTRO
s
TATIC
d
ischarge ）敏感器件，观察处理防范！
TYPE
BFP460
最大额定值
参数
记号
引脚配置
ABS
1 = E 2 = C 3 = E 4 = B -
符号
V
首席执行官
包
-
SOT343
价值
单位
集电极 - 发射极电压
T
A
＆ GT ;
0 °C
T
A
≤
0 °C
V
4.5
4.2
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
1)
T
S
≤
92°C
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
J
T
A
T
英镑
15
15
1.5
70
7
230
150
-65 ... 150
-65 ... 150
mW
°C
mA
结温
环境温度
储存温度
1
T
S为在焊接点，以在pcb上测量集电极引线
2010-05-17
1
BFP460
热阻
参数
符号
R
thjs
价值
≤
250
单位
结 - 焊接点
1)
K / W
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
分钟。
DC特性
典型值。
马克斯。
单位
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1毫安，
I
B
= 0
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 15 V,
V
BE
= 0
V
CE
= 2 V,
V
BE
= 0
V
CE
= 5 V,
V
BE
= 0 ,
T
A
= 85°C
验证通过随机抽样
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 2 V,
I
E
= 0
V
CB
= 5 V,
I
E
= 0
发射基截止电流
V
EB
= 0,5 V,
I
C
= 0
直流电流增益
V
CE
= 3 V,
I
C
= 20 mA时，测得的脉搏
1
为
V
（ BR ） CEO
I
CES
4.5
5.8
-
V
nA
-
-
-
I
CBO
-
-
I
EBO
h
FE
-
90
-
1
2
1000
30
40
1
-
1
120
30
30
500
160
-
计算
R
thJA
请参考应用笔记AN077热阻
2010-05-17
2
BFP460
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
单位
分钟。
典型值。马克斯。
AC特性
（通过随机抽样核实）
16
22
-
GHz的
跃迁频率
f
T
I
C
= 30毫安，
V
CE
= 3 V,
f
= 1 GHz的
集电极 - 基极电容
V
CB
= 3 V,
f
= 1 MHz时，
V
BE
= 0 ,
发射极接地
集电极 - 发射极电容
V
CE
= 3 V,
f
= 1 MHz时，
V
BE
= 0 ,
底座接地
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1 MHz时，
V
CB
= 0 ,
集电极接地
最小噪声科幻gure
V
CE
= 2V,
I
C
= 3毫安，
Z
S
=
Z
SOPT ，
f
= 100兆赫
V
CE
= 3V,
I
C
= 5毫安，
Z
S
=
Z
SOPT ，
f
= 1.8 GHz的
V
CE
= 3V,
I
C
= 5毫安，
Z
S
=
Z
SOPT ，
f
= 3 GHz的
NF
民
-
-
-
0.7
1.1
1.2
-
-
-
dB
C
eb
-
0.55
-
C
ce
-
0.28
-
C
cb
-
0.32
0.45
pF
2010-05-17
3
BFP460
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
单位
分钟。
典型值。马克斯。
AC特性
（通过随机抽样核实）
最大功率增益
1)
G
最大
I
C
= 3毫安，
V
CE
= 1.5 V,
Z
S
=
Z
SOPT ，
Z
L
=
Z
LOPT
,
f
= 100兆赫
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 3 V,
Z
S
=
Z
SOPT ，
Z
L
=
Z
LOPT
,
f
= 1,8 GHz的
f
= 3 GHz的
传感器增益
I
C
= 3毫安，
V
CE
= 1.5 V,
Z
S
=
Z
L
= 50
,
f
= 100兆赫
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 3 V,
Z
S
=
Z
L
= 50
,
f
= 1.8 GHz的
f
= 3 GHz的
在输出三阶截取点
2)
V
CE
= 3 V,
I
C
= 20毫安，
f
= 100兆赫
V
CE
= 3 V,
I
C
= 20毫安，
f
= 1.8 GHz的
1dB压缩点的输出
V
CE
= 3V,
I
C
= 20mA时，
Z
S
=Z
L
= 50
,
f
= 100兆赫
V
CE
= 3V,
I
C
= 20mA时，
Z
S
=Z
L
= 50
,
f
= 1.8 GHz的
V
CE
= 3V,
I
C
= 35毫安，
Z
S
=Z
L
= 50
,
f
= 1.8 GHz的
1
G
dB
-
-
-
26.5
17.5
12.5
-
-
-
dB
-
-
-
20
15
10.5
23.5
27.5
9.5
11.5
13
-
-
-
DBM
-
-
-
-
-
-
-
|S
21e
|
2
IP
3
P
-1dB
-
-
-
1/2
MA = |
S
21 /
S
12 | (k-(k-1) ),
G
女士 -
S
21 /
S
12
2
IP3值取决于终端的所有互调频率分量。
用于该测定的终止是50
从0.1 MHz到6 GHz的
2010-05-17
4
BFP460
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
集电极 - 基极电容
C
cb
=
(V
CB
)
f
= 1MHz的
0.7
pF
260
V
220
200
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
A
150
C
CB
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
180
0.5
2
4
6
8
10
V
14
V
CB
三阶截点
IP
3
=
(I
C
)
（输出，Z
S
=Z
L
=50
)
V
CE
=参数，
f
= 1800MHz的
33
DBM
29
27
25
4V
3V
跃迁频率
f
T
=
(I
C
)
f
= 1 GHz的
V
CE
=参数
24
GHz的
2V
3-4V
20
18
1V
I
P3
f
T
23
21
19
17
15
13
11
9
7
5
0
10
20
30
40
mA
2V
16
14
12
10
1V
8
6
4
0
mA
55
10
20
30
40
60
I
C
I
C
2010-05-17
5
查看更多BFP460PDF信息
推荐型号
B43504A5187M000
B57551G0202H000
BR24C02-DS6TP
B43540B9227M007
BA6155CH2W
B43305B9337M080
B43303B9227M002
BD46271G
BTA202X-800E
B82522V0000C005
B41252C5159M000
BCN102ABI10KF7
BD159
B25834-L4106-K009
B85121A2503B250
BS62LV8005BC
B43890A9685M012
B65947-A-X22
BAT46AWFILM
BTB12200C
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BFP460
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BFP460
Infineon Technologies
2438+
7890
SOT-343-4
代理Infineon Technologies专营，原装现货优势
深圳青禾创新科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1346082250 复制 点击这里给我发消息 QQ：758462395 复制 点击这里给我发消息 QQ：3422402642 复制
电话：0755-82778126
联系人：曾先生
地址：深圳市福田区华强北上步工业区501栋317室 ★★诚信经营★★
BFP460
Infineon
21+
37500
SOT343
★★一级分销商，正品
江苏芯钻时代电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1316996791 复制

电话：18913062888
联系人：陈先生
地址：江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
BFP460
Infineon
24+
5200
SOT343
原装正品现货
深圳信泰电子器材有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ：519794981 复制

电话：0755-83242658
联系人：廖先生
地址：广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
BFP460
INFINEON
24+
8000
SOT-343
100%原装正品，只做原装正品
深圳市集创讯科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885393494 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885393495 复制

电话：0755-83244680/82865294
联系人：吴小姐
地址：深圳市福田区华强北电子科技大厦A座36楼C09室
BFP460
N/A
24+
13850
原装进口正品现货，只做原装，长期供货
深圳市创芯联盈电子有限公司
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电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BFP460
INFINEON/英飞凌
2443+
23000
SOT-343
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