BFP420F
SPICE参数（的Gummel -潘型号，伯克利- SPICE 2G.6语法） ：
晶体管芯片的数据：
IS =
VAF =
NE =
VAR =
NC =
RBM =
CJE =
TF =
ITF =
VJC =
TR =
MJS =
XTI =
0.20045
28.383
2.0518
19.705
1.1724
3.4849
1.8063
6.7661
1
0.81969
2.3249
0
3
fA
V
-
V
-
fF
ps
mA
V
ns
-
-
BF =
IKF =
BR =
IKR =
RB =
RE =
VJE =
XTF =
PTF =
MJC =
CJS =
XTB =
FC =
72.534
0.48731
7.8287
0.69141
8.5757
0.31111
0.8051
0.42199
0
0.30232
0
0
0.73234
-
A
-
A
-
V
-
度
-
F
-
NF =
ISE =
NR =
ISC =
IRB =
RC =
MJE =
VTF =
CJC =
XCJC =
VJS =
EG =
TNOM
1.2432
19.049
1.3325
0.019237
0.72983
0.10105
0.46576
0.23794
234.53
0.3
0.75
1.11
300
-
fA
-
fA
mA
-
V
fF
-
V
eV
K
C` - E` - dioden数据（伯克利，香料1G.6语法） ：
IS = 3.5发; N = 1.02 - ， RS = 10
所有的参数都可以使用了，没有scalling是必要的。
包装等效电路：
C
CB
L
BO
B
L
BI
B’
晶体管
芯片
E’
C’
L
CI
C' ， E'-
二极管
L
CO
C
C
BE
L
EI
C
CE
L
EO
E
EHA07389
该TSFP -4封装具有两个发射线索。为了避免高
复杂FO封装的等效电路，这两个导线是
组合在一个电连接。
R
LXI
串联电阻的感L
XI
和K
XA-通过
是
在感L之间的耦合系数
ax
和L
yb
。该
referencepin为新人端口B，E ，C ， B` ， E` ，C
有关示例，并准备使用参数，请联系
当地的英飞凌科技分销商或销售办事处
获得InfineonTechnologies CD -ROM或参阅网址：
HTTP // www.infineon.com / silicondiscretes
L
BO
=
L
EO
=
L
CO
=
L
BI
=
L
EI
=
L
CI
=
C
BE
=
C
BC
=
C
CE
=
K
BO- EO
=
K
BO -CO
=
K
EO -CO
=
K
CI- EI
=
K
BI- CI
=
K
BI- EI
=
R
LBI
=
R
雷
=
R
LCI
=
0.22
0.28
0.22
0.42
0.26
0.35
34
2
33
0.1
0.01
0.11
-0.05
-0.08
0.2
0.15
0.11
0.13
nH
nH
nH
nH
nH
nH
fF
fF
fF
-
-
-
-
-
-
有效高达6GHz
2007-04-20
4
BFP420F
对于非线性仿真：
·伯克利SPICE 2G.6语法都使用模拟器晶体管芯片的参数。
·如果你需要模拟的反向特性，与加二极管
集电极和发射极之间的C'- E'-二极管的数据。
·模拟包是没有必要的频率为100MHz < 。
对于较高的频率增加封装的等效电路的布线周围的
非线性的晶体管和二极管的模型。
注意：
·该晶体管的结构是一个共发射极结构。此功能的原因
发射极和集电极之间的一个额外的反向偏置二极管，其不
实现正常的操作。
C
B
E
E
EHA07307
晶体管示意图
共发射极结构示出了以下优点：
·更高的增益，因为较低的发射极电感。
·电源是通过发射极接地引线消散，因为芯片安装
铜引线框架发射器。
请注意，最广泛的引线是发射极引线。
2007-04-20
5
SIEGET 25
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1毫安，
I
B
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 5 V,
I
E
= 0
发射基截止电流
V
EB
= 1.5 V,
I
C
= 0
直流电流增益
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 4 V
AC特性
（通过随机抽样核实）
跃迁频率
I
C
= 30毫安，
V
CE
= 3 V,
f
= 2 GHz的
集电极 - 基极电容
V
CB
= 2 V,
f
= 1兆赫
集电极 - 发射极电容
V
CE
= 2 V,
f
= 1兆赫
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
噪声系数
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 2 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
f
= 1.8 GHz的
功率增益，最大可用
1)
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 2 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
Z
L
=
Z
LOPT
,
f
= 1.8 GHz的
插入功率增益
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 2 V,
f
= 1.8千兆赫，
Z
S
=
Z
L
= 50
在输出三阶截取点
2)
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 2 V,
Z
S
=Z
L
=50 ,
f
= 1.8 GHz的
1dB压缩点的输出
3)
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 2 V,
f
= 1.8千兆赫，
Z
S
=Z
L
=50
f
T
C
cb
C
ce
C
eb
F
18
-
-
-
-
25
0.15
0.33
0.5
1.1
BFP420F
符号
分钟。
V
（ BR ） CEO
I
CBO
I
EBO
h
FE
4.5
-
-
50
值
典型值。
5
-
-
80
马克斯。
-
200
35
150
G
ma
-
|S
21
|
2
-
IP
3
-
P
-1dB
-
1
G
MA = |
S
21
/
S
12
| (k-(k
2
-1)
1/2
)
2IP3值取决于终端的所有互调频率分量。用于此终止
测量50从为0.1MHz至6GHz 。
3DC目前没有输入功率
2
单位
V
nA
A
-
-
0.3
-
-
-
GHz的
pF
dB
20
-
17
-
24
-
DBM
10.5
-
Dec-07-2001
SIEGET 25
SPICE参数（的Gummel -潘型号，伯克利- SPICE 2G.6语法） ：
晶体管芯片数据
IS =
VAF =
NE =
VAR =
NC =
RBM =
CJE =
TF =
ITF =
VJC =
TR =
MJS =
XTI =
0.20045
28.383
2.0518
19.705
1.1724
3.4849
1.8063
6.7661
1
0.81969
2.3249
0
3
fA
V
-
V
-
fF
ps
mA
V
ns
-
-
BF =
IKF =
BR =
IKR =
RB =
RE =
VJE =
XTF =
PTF =
MJC =
CJS =
XTB =
FC =
72.534
0.48731
7.8287
0.69141
8.5757
0.31111
0.8051
0.42199
0
0.30232
0
0
0.73234
-
A
-
A
NF =
ISE =
NR =
ISC =
IRB =
RC =
MJE =
VTF =
CJC =
XCJC =
VJS =
EG =
TNOM
BFP420F
V
-
度
-
F
-
-
0.46576
0.23794
234.53
0.3
0.75
1.11
300
-
V
-
fF
V
eV
K
C' ， E'二极管数据（伯克利- SPICE 2G.6语法） ：
所有的参数都可以使用了，不结垢是必要的
包装等效电路：
L
BO
=
C
CB
0.22
0.28
0.22
nH
nH
nH
-
-
-
fF
fF
fF
L
BI
=
R
LBI
=
L
EI
=
R
雷
=
L
CI
=
R
LCI
=
K
CI- EI
=
K
BI- CI
=
K
BI- EI
=
0.42
0.15
0.26
0.11
0.35
0.13
-0.05
-0.08
0.20
L
BO
B
L
BI
E’
C
BE
L
EI
C' ， E'-
二极管
C
CE
K
BO -CO
= 0.01
K
EO -CO
= 0.11
nH
-
-
-
C
BE
=
L
EO
E
EHA07389
34
2
33
C
BC
=
C
CE
=
有效高达6GHz
该TSFP -4封装具有两个发射线索。为了避免高的封装的等效电路的复杂性，
两条引线被结合在一个电连接。
R
LXI是串联电阻电感
L
羲和
K
舍-镱是间的耦合系数
电感
L
XA和
L
YB 。该referencepins的耦合端口B，E ，C ， B` ， E` ， C` 。
有关示例，并准备使用参数，请联系您当地的英飞凌科技
分销商或销售办事处获得英飞凌科技的CD -ROM或参阅网址：
http://www.infineon.com/silicondiscretes
3
Dec-07-2001
B’
晶体管
芯片
C’
L
CI
L
CO
C
L
CO
=
nH
K
BO- EO
= 0.10
L
EO
=
IS =
3.5
fA
N=
1.02
-
RS =
10
1.2432
19.049
1.3325
0.019237
0.72983
0.10105
-
fA
-
fA
mA
nH
SIEGET 25
BFP420F
对于非线性仿真：
使用晶体管芯片的参数在伯克利SPICE 2G.6语法的所有模拟器。
如果需要模拟的逆特性，添加与所述二极管
集电极和发射极之间的C'- E'-二极管的数据。
仿真包是没有必要的频率为100MHz < 。
对于较高的频率增加封装的等效电路的布线周围的
非线性的晶体管和二极管的模型。
注意：
这种晶体管的结构是一个共发射极结构。此功能的原因
发射极和集电极之间的一个额外的反向偏置二极管，其不
实现正常的操作。
C
B
E
E
EHA07307
晶体管示意图
共发射极结构示出了以下优点：
较高的增益，因为较低的发射极电感。
动力经由发射极接地引线消散，因为该芯片被安装
铜引线框架发射器。
请注意，最广泛的引线是发射极引线。
4
Dec-07-2001
QQ：2880707522 复制
