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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第125页 > BFP196W
BFP196W
NPN硅晶体管RF *
对于低噪声，低失真宽带
在天线和电信放大器
系统高达1.5千兆赫在从集电极电流
20毫安到80毫安
功率放大器DECT和PCN系统
f
T
= 7.5 GHz的，
F
= 1.3分贝在900MHz
无铅（符合RoHS标准）封装
1)
合格的依据AEC Q101
*短期描述
3
4
1
2
ESD
（静电
放）
敏感的设备，观察处理防范！
TYPE
BFP196W
最大额定值
参数
记号
引脚配置
RIS
1 = E 2 = C 3 = E 4 = B -
符号
V
首席执行官
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
j
T
A
T
英镑
符号
R
thjs
包
-
SOT343
价值
12
20
20
2
150
15
700
150
-55 ... 150
-55 ... 150
价值
≤
115
单位
K / W
mW
°C
mA
单位
V
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
2)
T
S
≤
69°C
结温
环境温度
储存温度
热阻
参数
结 - 焊接点
3)
1
含有铅，
3
为
包可能是可根据特殊要求
2
T
是在焊接点上的印刷电路板测量的集电极引线
S
计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
2007-04-20
1
BFP196W
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
符号
值
参数
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1毫安，
I
B
= 0
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 20 V,
V
BE
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 10 V,
I
E
= 0
发射基截止电流
V
EB
= 1 V,
I
C
= 0
直流电流GAIN-
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 8 V ，测量脉搏
h
FE
70
100
140
I
EBO
-
-
1
I
CBO
-
-
100
I
CES
-
-
100
V
（ BR ） CEO
12
-
-
典型值。
马克斯。
单位
V
A
nA
A
-
2007-04-20
2
BFP196W
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
符号
值
单位
参数
分钟。
典型值。马克斯。
AC特性
（通过随机抽样核实）
跃迁频率
f
T
I
C
= 70毫安，
V
CE
= 8 V,
f
= 500 MHz的
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1 MHz时，
V
BE
= 0 ,
发射极接地
集电极 - 发射极电容
V
CE
= 10 V,
f
= 1 MHz时，
V
BE
= 0 ,
底座接地
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1 MHz时，
V
CB
= 0 ,
集电极接地
噪声系数
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
f
= 900兆赫
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
f
= 1.8 GHz的
功率增益，最大可用
1)
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
Z
L
=
Z
LOPT
,
f
= 900兆赫
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
Z
L
=
Z
LOPT
,
f
= 1.8 GHz的
传感器增益
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
L
= 50
,
f
= 900兆赫
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
L
= 50
,
f
= 1.8 GHz的
1
G
5
-
7.5
0.86
-
1.3
GHz的
pF
C
cb
C
ce
-
0.4
-
C
eb
-
3.9
-
F
-
-
G
ma
-
-
|S
21e
|
2
-
-
13
7
-
-
19
12.5
-
-
1.3
2.3
-
-
dB
dB
1/2
ma
= |
S
21
/
S
12
| (k-(k-1)
)
2007-04-20
3
BFP196W
SPICE参数（的Gummel -潘型号，伯克利- SPICE 2G.6语法） ：
晶体管芯片的数据：
IS =
VAF =
NE =
VAR =
NC =
RBM =
CJE =
TF =
ITF =
VJC =
TR =
MJS =
XTI =
1.7264
20
1.1766
3.8128
0.88299
1
13.325
23.994
1.9775
0.73057
2.2413
0
3
fA
V
-
V
-
fF
ps
mA
V
ns
-
-
BF =
IKF =
BR =
IKR =
RB =
RE =
VJE =
XTF =
PTF =
MJC =
CJS =
NK =
FC =
125
0.4294
10.584
0.019551
1.2907
0.75103
0.7308
0.44322
0
0.3289
0
0
0.50922
-
A
-
A
-
V
-
度
-
fF
-
NF =
ISE =
NR =
ISC =
IRB =
RC =
MJE =
VTF =
CJC =
XCJC =
VJS =
EG =
TNOM
0.80012
119.22
0.94288
4.8666
0.084011
0.27137
0.33018
0.1
1667
0.29998
0.75
1.11
300
-
fA
-
fA
mA
-
V
fF
-
V
eV
K
所有的参数都可以使用了，没有scalling是必要的。提取的代表英飞凌科技股份公司通过：
研究所献给Mobil- UND Satellitentechnik （ IMST ）
包装等效电路：
L
BI
=
L
BO
=
L
EI
=
L
EO
=
L
CI
=
L
CO
=
C
BE
=
C
CB
=
C
CE
=
0.43
0.47
0.26
0.12
0.06
0.36
68
46
232
nH
nH
nH
nH
nH
nH
fF
fF
fF
有效高达6GHz
有关示例，并准备使用参数
请联系您当地的英飞凌科技
分销商或销售办事处获得英飞凌
技术的CD - ROM或互联网看到：
http://www.infineon.com
2007-04-20
4
BFP196W
总功耗
P
合计
=
(
T
S
)
允许的脉冲负载
R
thjs
=
(
t
p
)
800
mW
10
3
K / W
600
R
thjs
P
合计
10
2
500
400
300
10
1
200
100
10
0 -7
10
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
T
S
t
p
允许的脉冲负载
P
totmax
/
P
totDC
=
(
t
p
)
10
2
P
totmax
/P
totDC
-
10
1
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
0 -7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
2007-04-20
5
BFP196W
NPN硅晶体管RF
3
对于低噪声，低失真宽带
在天线和电信放大器
系统高达1.5千兆赫在从集电极电流
20毫安到89毫安
功率放大器DECT和PCN系统
f
T
= 7.5 GHz的
F
= 1.5分贝在900MHz



4
2
1
VPS05605
ESD
:
E
LECTRO
s
TATIC
d
ischarge敏感器件，观察处理防范！
TYPE
BFP196W
最大额定值
参数
记号
RIS
1=E
引脚配置
2=C
3=E
4=B
包
SOT343
单位
V
符号
V
首席执行官
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
j
T
A
T
英镑
价值
12
20
20
2
100
12
700
150
-65 ... 150
-65 ... 150
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
环境温度
储存温度
T
S
69 °C
1)
mA
mW
°C
热阻
结 - 焊接点
2)
R
thjs
1
T
是在焊接点上的印刷电路板测量的集电极引线
S
2For计算的
R
请参考应用笔记热阻
thJA


115
K / W
1
Jun-22-2001
BFP196W
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1毫安，
I
B
= 0
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 20 V,
V
BE
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 10 V,
I
E
= 0
发射基截止电流
V
EB
= 1 V,
I
C
= 0
直流电流增益
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 8 V
h
FE
50
100
200
-
I
EBO
-
-
1
A
I
CBO
-
-
100
nA
I
CES
-
-
100
A
V
（ BR ） CEO
12
-
-
V
符号
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
2
Jun-22-2001
BFP196W
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
符号
值
分钟。
AC特性
（通过随机抽样核实）
跃迁频率
I
C
= 70毫安，
V
CE
= 8 V,
f
= 500 MHz的
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
集电极 - 发射极电容
V
CE
= 10 V,
f
= 1兆赫
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
噪声系数
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
功率增益，最大可用
1)
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
Z
L
=
Z
LOPT
,
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
传感器增益
|S
21e
|
2
,
-
-
12.5
6.5
-
-
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
L
= 50
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
G
ma
-
-
17.5
11.5
-
-
F
-
-
1.5
2.5
-
-
C
eb
-
3.7
-
C
ce
-
0.36
-
C
cb
-
1
1.4
f
T
5
7.5
-
典型值。
马克斯。
单位
GHz的
pF
dB
1
G
ma
= |
S
21
/
S
12
| (k-(k
2
-1)
1/2
)

3
Jun-22-2001
BFP196W
SPICE参数（的Gummel -潘型号，伯克利- SPICE 2G.6语法） ：
晶体管芯片数据
IS =
VAF =
NE =
VAR =
NC =
RBM =
CJE =
TF =
ITF =
VJC =
TR =
MJS =
XTI =
1.7264
20
1.1766
3.8128
0.88299
1
13.325
23.994
1.9775
0.73057
2.2413
0
3
fA
V
-
V
-
fF
ps
mA
V
ns
-
-
BF =
IKF =
BR =
IKR =
RB =
RE =
VJE =
XTF =
PTF =
MJC =
CJS =
XTB =
FC =
125
0.4294
10.584
0.019511
1.2907
0.75103
0.7308
0.44322
0
0.3289
0
0
0.50922
-
A
-
A
NF =
ISE =
NR =
ISC =
IRB =
RC =
MJE =
VTF =
CJC =
XCJC =
VJS =
EG =
TNOM
0.80012
119.22
0.94288
4.8666
0.084011
0.27137
0.33018
0.1
1667
0.29998
0.75
1.11
300
-
fA
-
fA
mA
-
V
-
V
fF
-
V
eV
K
度
-
fF
-
-
所有的参数都可以使用了，没有scalling是必要的。
提取的代表英飞凌科技股份公司通过：
研究所献给美孚- UND Satellitentechnik （ IMST ）
包装等效电路：
L
BI
=
L
BO
=
L
EI
=
L
EO
=
L
CI
=
L
CO
=
C
BE
=
C
CB
=
C
CE
=
0.43
0.47
0.26
0.12
0.06
0.36
68
46
232
fF
fF
有效高达6GHz
有关示例，并准备使用参数，请联系您当地的英飞凌科技分销商或销售
办公室获得英飞凌科技的CD -ROM或参阅网址： http://www.infineon.com/products/discrete/index.htm
4
Jun-22-2001

nH
nH
nH
nH
nH
nH
fF



BFP196W
总功耗
P
合计
=
f
(T
S
)
800
mW
600
P
合计
500
400
300
200
100
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
T
S
允许的脉冲负载
R
thjs
=
f
(t
p
)
允许的脉冲负载
P
totmax
/P
totDC
=
f
(t
p
)
10
3
10
2
K / W
P
totmax
/ P
totDC
-
10
2
10
1
10
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
R
thjs
10
0 -7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
10
0 -7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
t
p
5
Jun-22-2001
BFP 196W
NPN硅晶体管RF
对于低噪声，低失真宽带
在天线和电信放大器
系统最高可达1.5GHz ，在从集电极电流
20mA至80毫安
功率放大器DECT和PCN系统
f
T
=的7.5GHz
F
= 1.5分贝900MHz的
防静电：静电放电
敏感的设备，观察处理防范！
TYPE
订购代码标识
引脚配置
BFP 196W
RIS
Q62702-F1576
1=E
2=C
3=E
4=B
包
SOT-343
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
符号
值
12
20
20
2
100
12
mW
700
150
- 65 ... + 150
- 65 ... + 150
≤
115
°C
mA
单位
V
V
首席执行官
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
j
T
A
T
英镑
1)
T
S
≤
69 °C
结温
环境温度
储存温度
热阻
结 - 焊接点
R
thjs
K / W
1)
T
S
是在焊接点上的印刷电路板测量的集电极引线。
半导体集团
1
Dec-12-1996
BFP 196W
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
（ BR ） CEO
12
-
-
-
-
100
-
V
A
-
100
nA
-
100
A
-
1
-
50
200
I
C
= 1毫安，
I
B
= 0
集电极 - 发射极截止电流
I
CES
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
= 20 V,
V
BE
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 10 V,
I
E
= 0
发射基截止电流
V
EB
= 1 V,
I
C
= 0
直流电流增益
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 8 V
半导体集团
2
Dec-12-1996
BFP 196W
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
AC特性
跃迁频率
值
典型值。
马克斯。
单位
f
T
5
7.5
1
0.36
3.7
-
GHz的
pF
-
1.4
-
-
dB
-
-
1.5
2.5
-
-
I
C
= 70毫安，
V
CE
= 8 V,
f
= 500 MHz的
集电极 - 基极电容
C
cb
C
ce
-
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
集电极 - 发射极电容
V
CE
= 10 V,
f
= 1兆赫
发射极 - 基极电容
C
eb
-
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
噪声系数
F
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
SOPT
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
功率增益
2)
G
ma
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
SOPT
Z
L
=
Z
LOPT
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
传感器增益
|S
21e
|
2
-
-
12.5
6.5
-
-
-
-
17.5
11.5
-
-
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=Z
L
= 50
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
2)
G
ma
= |S
21
/S
12
| (k-(k
2
-1)
1/2
)
半导体集团
3
Dec-12-1996
BFP 196W
SPICE参数（的Gummel -潘型号，伯克利SPICE 2G.6语法） ：
晶体管芯片数据
IS =
1.7264
fA
VAF =
NE =
VAR =
NC =
RBM =
CJE =
TF =
ITF =
VJC =
TR =
MJS =
XTI =
20
1.1766
3.8128
0.88299
1
13.325
23.994
1.9775
0.73057
2.2413
0
3
V
-
V
-
fF
ps
mA
V
ns
-
-
BF =
IKF =
BR =
IKR =
RB =
RE =
VJE =
XTF =
PTF =
MJC =
CJS =
XTB =
FC =
125
0.4294
10.584
1.2907
0.75103
0.7308
0.44322
0
0.3289
0
0
0.50922
-
A
-
V
-
度
-
fF
-
-
NF =
ISE =
NR =
ISC =
IRB =
RC =
MJE =
VTF =
CJC =
XCJC =
VJS =
EG =
TNOM
0.80012
119.22
0.94288
4.8666
0.27137
0.33018
0.1
1667
0.29998
0.75
1.11
300
-
fA
-
fA
-
V
fF
-
V
eV
K
0.019511 A
0.084011毫安
所有的参数都可以使用了，没有scalling是必要的。
提取的代表SIEMENS小信号半导体的方式：
研究所献给美孚- UND Satellitenfunktechnik （ IMST ）
1996 SIEMENS AG
包装等效电路：
LBI =
LBO =
雷=
LEO =
LCI =
LCO =
CBE =
建行=
CCE =
0.43
0.47
0.26
0.12
0.06
0.36
68
46
232
nH
nH
nH
nH
nH
nH
fF
fF
fF
有效期至6 GHz
有关示例，并准备使用参数，请联系您当地的西门子分销商或销售办事处
获得西门子的CD -ROM或参阅网址： http://www.siemens.de/Semiconductor/products/35/35.htm
半导体集团
4
Dec-12-1996
BFP 196W
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*,
T
S
)
*包装安装在环氧
800
mW
P
合计
600
500
T
S
400
300
T
A
200
100
0
0
20
40
60
80
100
120 °C 150
T
A
,T
S
允许的脉冲负载
R
thjs
=
f
(t
p
)
允许的脉冲负载
P
totmax
/P
totDC
=
f
(t
p
)
10
3
10
2
K / W
R
thjs
10
2
P
totmax
/P
totDC
-
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
10
1
10
0
-7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10 s 10
t
p
-1
0
10
0
-7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10 s 10
t
p
-1
0
半导体集团
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Dec-12-1996
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BQ78PL114RGZT
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BZM55C7V5-TR3
B37872K5333K060
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