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BFP 194
PNP硅晶体管RF
适用于低失真宽带放大器
天线和电信系统了
1.5 GHz的从20毫安集电极电流
80mA的
防静电：静电放电
敏感的设备，观察处理防范！
TYPE
订购代码标识
引脚配置
BFP 194
RKS
Q62702-F1347
1=C
2=E
3=B
4=E
包
SOT-143
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
符号
值
15
20
3
100
10
mW
700
150
- 65 ... + 150
- 65 ... + 150
≤
105
°C
mA
单位
V
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
j
T
A
T
英镑
1)
T
S
≤
77 °C
结温
环境温度
储存温度
热阻
结 - 焊接点
R
thjs
K / W
1)
T
S
是在焊接点上的印刷电路板测量的集电极引线。
半导体集团
1
Dec-13-1996
BFP 194
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
（ BR ） CEO
15
-
-
-
50
-
V
nA
-
100
A
-
1
-
15
-
I
C
= 1毫安，
I
B
= 0
集电极 - 基极截止电流
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CB
= 10 V,
I
E
= 0
发射基截止电流
V
EB
= 2 V,
I
C
= 0
直流电流增益
I
C
= 70毫安，
V
CE
= 8 V
半导体集团
2
Dec-13-1996
BFP 194
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
AC特性
跃迁频率
值
典型值。
马克斯。
单位
f
T
3.5
5
1.4
0.3
4.4
-
GHz的
pF
-
2
-
-
dB
-
-
2.8
4.7
-
-
I
C
= 70毫安，
V
CE
= 8 V,
f
= 500 MHz的
集电极 - 基极电容
C
cb
C
ce
-
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
集电极 - 发射极电容
V
CE
= 10 V,
f
= 1兆赫
发射极 - 基极电容
C
eb
-
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
噪声系数
F
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
SOPT
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
功率增益
2)
G
ma
I
C
= 70毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
SOPT
Z
L
=
Z
LOPT
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
传感器增益
|S
21e
|
2
-
-
9
3
-
-
-
-
12
7
-
-
I
C
= 70毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=Z
L
= 50
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
2)
G
ma
= |S
21
/S
12
| (k-(k
2
-1)
1/2
)
半导体集团
3
Dec-13-1996
BFP 194
SPICE参数（的Gummel -潘型号，伯克利SPICE 2G.6语法） ：
晶体管芯片数据
IS =
4.574
fA
VAF =
NE =
VAR =
NC =
RBM =
CJE =
TF =
ITF =
VJC =
TR =
MJS =
XTI =
9.1007
0.841
1.7871
1.6
4.1356
17.699
53.11
0.71631
0.97481
0
3
V
-
V
-
fF
ps
V
ns
-
-
BF =
IKF =
BR =
IKR =
RB =
RE =
VJE =
XTF =
PTF =
MJC =
CJS =
XTB =
FC =
111.78
0.84785
92.296
0.75304
0.15908
0.84843
0.65766
0
0.40003
0
0
0.90755
-
A
-
V
-
度
-
fF
-
-
NF =
ISE =
NR =
ISC =
IRB =
RC =
MJE =
VTF =
CJC =
XCJC =
VJS =
EG =
TNOM
0.66503
21.629
0.43618
-
fA
-
0.012843 A
0.0078447为fA
0.061674毫安
0.10833
0.48212
0.10323
3585.6
0.75
1.11
300
-
V
fF
V
eV
K
0.010453毫安
0.063742 -
所有的参数都可以使用了，没有scalling是必要的。
提取的代表SIEMENS小信号半导体的方式：
研究所献给美孚- UND Satellitenfunktechnik （ IMST ）
1996 SIEMENS AG
包装等效电路：
LBI =
LBO =
雷=
LEO =
LCI =
LCO =
CBE =
建行=
CCE =
0.84
0.65
0.31
0.14
0.07
0.42
145
19
281
nH
nH
nH
nH
nH
nH
fF
fF
fF
有效期至6 GHz
有关示例，并准备使用参数，请联系您当地的西门子分销商或销售办事处
获得西门子的CD -ROM或参阅网址： http://www.siemens.de/Semiconductor/products/35/35.htm
半导体集团
4
Dec-13-1996
BFP 194
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*,
T
S
)
*包装安装在环氧
800
mW
P
合计
600
500
T
S
400
300
T
A
200
100
0
0
20
40
60
80
100
120 °C 150
T
A
,T
S
允许的脉冲负载
R
thjs
=
f
(t
p
)
允许的脉冲负载
P
totmax
/P
totDC
=
f
(t
p
)
10
3
10
2
K / W
R
thjs
10
2
P
totmax
/P
totDC
-
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
10
1
10
0
-7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10 s 10
t
p
-1
0
10
0
-7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10 s 10
t
p
-1
0
半导体集团
5
Dec-13-1996
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推荐型号
B41868R6477M002
BC856BW
BK/GBB-5
B500C3700-2200A
B72510T250K62
BC68PA
BT136S800T/R
B41121B7336M000
B43857A4336M00
BZX84C6V8ET3
B3204UCL
BD-A513RD
B57164K0680+000
BFR505/T1
BFR92W
BAT54WT-7
BZD27C62P-M
B41112B9335M000
B37627K9103K060
BLM15BC121SN1D
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BFP194
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