【BFP183WNPN硅晶体管RF3对于低噪声，高增益宽带放大器在集电极电流为2 mA至30毫安fT=】,IC型号BFP183W,BFP183W PDF资料,BFP183W经销商,ic,电子元器件-51电子网

BFP183W

NPN硅晶体管RF

3

对于低噪声，高增益宽带放大器在

集电极电流为2 mA至30毫安

f

T

= 8 GHz的

F

= 1.2分贝在900MHz

4

2

1

VPS05605

防静电：静电放电

敏感的设备，观察处理防范！

TYPE

BFP183W

最大额定值

参数

记号

RHS

1=E

引脚配置

2=C

3=E

4=B

包

SOT343

单位

V

符号

V

首席执行官

V

CES

V

CBO

V

EBO

I

C

I

B

P

合计

T

j

T

A

T

英镑

价值

12

20

2

65

5

450

150

-65 ... 150

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

总功耗

结温

环境温度

储存温度

T

S

58 °C

1)

mA

mW

°C

热阻

结 - 焊接点

2)

R

thjs

1

T

是在焊接点上的印刷电路板测量的集电极引线

S

2For计算的

R

请参考应用笔记热阻

thJA

205

K / W

1

Aug-10-2001

BFP183W

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

参数

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 1毫安，

I

B

= 0

集电极 - 发射极截止电流

V

CE

= 20 V,

V

BE

= 0

集电极 - 基极截止电流

V

CB

= 10 V,

I

E

= 0

发射基截止电流

V

EB

= 1 V,

I

C

= 0

直流电流增益

I

C

= 15毫安，

V

CE

= 8 V

h

FE

50

100

200

-

I

EBO

-

1

A

I

CBO

-

100

nA

I

CES

-

100

A

V

（ BR ） CEO

12

-

V

符号

分钟。

值

典型值。

马克斯。

单位

2

Aug-10-2001

BFP183W

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

符号

值

参数

分钟。

AC特性

（通过随机抽样核实）

跃迁频率

I

C

= 25毫安，

V

CE

= 8 V,

f

= 500 MHz的

集电极 - 基极电容

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

集电极 - 发射极电容

V

CE

= 10 V,

f

= 1兆赫

发射极 - 基极电容

V

EB

= 0.5 V,

f

= 1兆赫

噪声系数

I

C

= 5毫安，

V

CE

= 8 V,

Z

S

=

Z

SOPT

,

f

= 900兆赫

f

= 1.8 GHz的

功率增益，最大稳定

1)

I

C

= 15毫安，

V

CE

= 8 V,

Z

S

=

Z

SOPT

,

Z

L

=

Z

LOPT

,

f

= 900兆赫

功率增益，最大可用

2)

I

C

= 15毫安，

V

CE

= 8 V,

Z

S

=

Z

SOPT

,

Z

L

=

Z

LOPT

,

f

= 1.8 GHz的

传感器增益

|S

21e

|

2

,

-

17

11

-

I

C

= 15毫安，

V

CE

= 8 V,

Z

S

=

Z

L

= 50

f

= 900兆赫

f

= 1.8 GHz的

1

G

ms

2

G

ma

单位

马克斯。

-

0.6

-

dB

GHz的

pF

典型值。

8

0.4

0.27

1

f

T

C

cb

C

ce

C

eb

F

6

-

G

ms

-

1.2

2

21.5

-

G

ma

-

14.5

-

= |

S

21

/

S

12

|

= |

S

21

/

S

12

| (k-(k

2

-1)

1/2

)

3

Aug-10-2001

BFP183W

SPICE参数（的Gummel -潘型号，伯克利- SPICE 2G.6语法）：

晶体管芯片数据

IS =

VAF =

NE =

VAR =

NC =

RBM =

CJE =

TF =

ITF =

VJC =

TR =

MJS =

XTI =

1.0345

14.772

1.2149

3.4276

0.85331

1.0112

23.077

22.746

1.8773

1.1967

1.0553

0

3

fA

V

-

V

-

BF =

IKF =

BR =

IKR =

RB =

RE =

VJE =

XTF =

PTF =

MJC =

CJS =

XTB =

FC =

115.98

0.14562

10.016

0.013483

2.5426

1.3435

1.0792

0.36823

0

0.3

0

0.54852

-

A

-

A

NF =

ISE =

NR =

ISC =

IRB =

RC =

MJE =

VTF =

CJC =

XCJC =

VJS =

EG =

TNOM

0.80799

16.818

0.99543

1.3559

0.43801

0.20486

0.45354

0.50905

460.11

0.053823

0.75

1.11

300

-

fA

-

fA

mA

-

fF

ps

mA

V

ns

V

-

度

-

fF

-

V

fF

-

V

eV

K

-

所有的参数都可以使用了，没有scalling是必要的。

提取的代表英飞凌科技股份公司通过：

研究所献给美孚- UND Satellitentechnik （ IMST ）

包装等效电路：

L

BI

=

L

BO

=

L

EI

=

L

EO

=

L

CI

=

L

CO

=

C

BE

=

C

CB

=

C

CE

=

0.43

0.47

0.26

0.12

0.06

0.36

68

46

232

fF

有效高达6GHz

有关示例，并准备使用参数，请联系您当地的英飞凌科技分销商或销售

办公室获得英飞凌科技的CD -ROM或参阅网址： http://www.infineon.com/silicondiscretes

4

Aug-10-2001

nH

fF

BFP183W

总功耗

P

合计

=

f

(T

S

)

500

mW

400

350

300

250

200

150

100

50

0

120

°C

P

合计

20

40

60

80

100

150

T

S

允许的脉冲负载

R

thjs

=

f

(t

p

)

允许的脉冲负载

P

totmax

/P

totDC

=

f

(t

p

)

10

3

10

2

K / W

P

totmax

/ P

totDC

-

10

2

10

1

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.005

D=0

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

R

thjs

10

1 -7

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

10

0 -7

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

t

p

t

p

5

Aug-10-2001

BFP 183W

NPN硅晶体管RF

对于低噪声，高增益宽带放大器在

集电极电流为2 mA至30毫安

f

T

= 8 GHz的

F = 1.2分贝在900MHz

防静电：静电放电

敏感的设备，观察处理防范！

TYPE

订购代码标识

引脚配置

BFP 183W

RHS

Q62702-F1503

1=E

2=C

3=E

4=B

包

SOT-343

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

总功耗

符号

值

12

20

2

65

5

mW

450

150

- 65 ... + 150

≤

205

°C

mA

单位

V

首席执行官

V

CES

V

CBO

V

EBO

I

C

I

B

P

合计

T

j

T

A

T

英镑

1)

T

S

≤

58 °C

结温

环境温度

储存温度

热阻

结 - 焊接点

R

thjs

K / W

1)

T

S

是在焊接点上的印刷电路板测量的集电极引线。

半导体集团

1

Dec-12-1996

BFP 183W

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

参数

符号

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

值

典型值。

马克斯。

单位

V

（ BR ） CEO

12

-

100

-

V

A

-

100

nA

-

100

A

-

1

-

50

200

I

C

= 1毫安，

I

B

= 0

集电极 - 发射极截止电流

I

CES

I

CBO

I

EBO

h

FE

V

CE

= 20 V,

V

BE

= 0

集电极 - 基极截止电流

V

CB

= 10 V,

I

E

= 0

发射基截止电流

V

EB

= 1 V,

I

C

= 0

直流电流增益

I

C

= 15毫安，

V

CE

= 8 V

半导体集团

2

Dec-12-1996

BFP 183W

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

参数

符号

分钟。

AC特性

跃迁频率

值

典型值。

马克斯。

单位

f

T

6

8

0.4

0.27

1

-

GHz的

pF

-

0.6

-

dB

-

1.2

2

-

I

C

= 25毫安，

V

CE

= 8 V,

f

= 500 MHz的

集电极 - 基极电容

C

cb

C

ce

-

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

集电极 - 发射极电容

V

CE

= 10 V,

f

= 1兆赫

发射极 - 基极电容

C

eb

-

V

EB

= 0.5 V,

f

= 1兆赫

噪声系数

F

I

C

= 5毫安，

V

CE

= 8 V,

Z

S

=

Z

SOPT

f

= 900兆赫

f

= 1.8 GHz的

功率增益

1)

G

ms

-

21.5

-

I

C

= 15毫安，

V

CE

= 8 V,

f

= 900兆赫

Z

S

=

Z

SOPT ，

Z

L

=

Z

LOPT

功率增益

2)

G

ma

-

|S

21e

|

2

-

17

11

-

14.5

-

I

C

= 15毫安，

V

CE

= 8 V,

f

= 1.8 GHz的

Z

S

=

Z

SOPT ，

Z

L

=

Z

LOPT

传感器增益

I

C

= 15毫安，

V

CE

= 8 V,

Z

S

=Z

L

= 50

f

= 900兆赫

f

= 1.8 GHz的

1)

G

ms

= |S

21

/S

12

|

2)

G

ma

= |S

21

/S

12

| (k-(k

2

-1)

1/2

)

半导体集团

3

Dec-12-1996

BFP 183W

SPICE参数（的Gummel -潘型号，伯克利SPICE 2G.6语法）：

晶体管芯片数据

IS =

VAF =

NE =

VAR =

NC =

RBM =

CJE =

TF =

ITF =

VJC =

TR =

MJS =

XTI =

1.0345

14.772

1.2149

3.4276

0.85331

2.5426

23.077

22.746

1.8773

1.1967

1.0553

0

3

fA

V

-

V

-

fF

ps

mA

V

ns

-

BF =

IKF =

BR =

IKR =

RB =

RE =

VJE =

XTF =

PTF =

MJC =

CJS =

XTB =

FC =

115.98

0.14562

10.016

1.0112

1.3435

1.0792

0.36823

0

0.3

0

0.54852

-

A

-

V

-

度

-

fF

-

NF =

ISE =

NR =

ISC =

IRB =

RC =

MJE =

VTF =

CJC =

XCJC =

VJS =

EG =

TNOM

0.80799

16.818

0.99543

1.3559

0.43801

0.20486

0.45354

0.50905

460.11

0.75

1.11

300

-

fA

-

fA

mA

-

V

fF

V

eV

K

0.013483 A

0.053823 -

所有的参数都可以使用了，没有scalling是必要的。

提取的代表SIEMENS小信号半导体的方式：

研究所献给美孚- UND Satellitenfunktechnik （ IMST ）

1996 SIEMENS AG

包装等效电路：

LBI =

LBO =

雷=

LEO =

LCI =

LCO =

CBE =

建行=

CCE =

0.43

0.47

0.26

0.12

0.06

0.36

68

46

232

nH

fF

有效期至6 GHz

有关示例，并准备使用参数，请联系您当地的西门子分销商或销售办事处

获得西门子的CD -ROM或参阅网址： http://www.siemens.de/Semiconductor/products/35/35.htm

半导体集团

4

Dec-12-1996

BFP 183W

总功耗

P

合计

=

f

(T

A

*,

T

S

)

*包装安装在环氧

500

mW

P

合计

400

T

S

350

300

250

200

T

A

150

100

50

0

20

40

60

80

100

120 °C 150

T

S

允许的脉冲负载

R

thjs

=

f

(t

p

)

允许的脉冲负载

P

totmax

/P

totDC

=

f

(t

p

)

10

3

10

2

R

thjs

K / W

P

totmax

/P

totDC

-

D=0

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

10

2

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.005

D=0

10

1

10

1

-7

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10 s 10

t

p

-1

0

10

0

-7

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10 s 10

t

p

-1

0

半导体集团

5

Dec-12-1996