BFP181T/BFP181TW/BFP181TRW
威世德律风根
硅NPN平面RF晶体管
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
应用
对于低噪声和高增益宽带放大器在
集电极电流为0.5 mA至12毫安。
特点
D
低噪声系数
D
高功率增益
2
1
1
2
13 653
13 566
13 654
13 566
3
4
4
3
BFP181TW标记： W18
塑料外壳（ SOT 343 ）
1 =收藏家， 2 =发射器， 3 =基地， 4 =发射器
BFP181TRW标记：世界社会论坛
塑料外壳（ SOT 343R ）
1 =收藏家， 2 =发射器， 3 =基地， 4 =发射器
2
1
94 9279
13 579
3
4
BFP181T标记： 18
塑料外壳（ SOT 143 ）
1 =收藏家， 2 =发射器， 3 =基地， 4 =发射器
文档编号85012
第3版， 20 -JAN- 99
www.vishay.de
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1 (6)
BFP181T/BFP181TW/BFP181TRW
威世德律风根
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
存储温度范围
测试条件
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
价值
15
10
2
20
160
150
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
T
AMB
≤
78
°
C
最大热阻
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
测试条件
上玻璃纤维印刷电路板交界处的环境（ 25×20× 1.5） mm的
3
镀上35
m
M CU
符号
R
thJA
价值
450
单位
K / W
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文档编号85012
第3版， 20 -JAN- 99
BFP181T/BFP181TW/BFP181TRW
威世德律风根
电气直流特性
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
集电极截止电流
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
直流正向电流传输比
测试条件
V
CE
= 15 V, V
BE
= 0
V
CB
= 10 V，I
E
= 0
V
EB
= 1 V，I
C
= 0
I
C
= 1毫安，我
B
= 0
I
C
= 15毫安，我
B
= 1.5毫安
V
CE
= 6 V，I
C
= 5毫安
V
CE
= 6 V，I
C
= 10毫安
符号最小典型最大单位
I
CES
100
m
A
I
CBO
100 nA的
I
EBO
1
m
A
V
（ BR ） CEO
10
V
V
CESAT
0.1 0.4
V
h
FE
50 100 150
h
FE
100
AC电气特性
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
跃迁频率
q
y
测试条件
V
CE
= 3 V，I
C
= 6毫安， F = 500 MHz的
V
CE
= 8 V，I
C
= 10 mA时， F = 500 MHz的
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V ， F = 1兆赫
集电极 - 发射极电容V
CE
= 10 V ， F = 1兆赫
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V ， F = 1兆赫
噪声系数
V
CE
= 5 V，I
C
= 3毫安，Z
S
= Z
SOPT
,
F = 900兆赫
V
CE
= 5 V，I
C
= 3毫安，Z
S
= Z
SOPT
,
F = 1.75 GHz的
功率增益
V
CE
= 8 V，I
C
= 8毫安，Z
S
= 50
W
,
Z
L
= Z
LOPT
， F = 900兆赫
V
CE
= 8 V，I
C
= 8毫安，Z
S
= 50
W
,
Z
L
= Z
LOPT
， F = 1.75 GHz的
传感器增益
V
CE
= 8 V，I
C
= 8毫安，Z
0
= 50
W
,
F = 900兆赫
符号
f
T
f
T
C
cb
C
ce
C
eb
F
F
G
pe
G
pe
S
21e
2
民
典型值
6.8
8.0
0.3
0.2
0.45
1.5
2.2
16.5
13.5
16
最大
单位
GHz的
GHz的
pF
pF
pF
dB
dB
dB
dB
dB
文档编号85012
第3版， 20 -JAN- 99
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BFP181T/BFP181TW/BFP181TRW
威世德律风根
BFP181TW的mm尺寸
96 12237
BFP181TRW的mm尺寸
96 12238
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第3版， 20 -JAN- 99
BFP181T/BFP181TW/BFP181TRW
威世德律风根
BFP181T的mm尺寸
96 12240
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BFP181T / BFP181TW / BFP181TRW
威世半导体
硅NPN平面RF晶体管
2
1
SOT-143
特点
低噪声系数
高功率增益
e3
铅（Pb ） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
3
2
4
1
SOT-343
应用
对于低噪声和高增益宽带放大器在
集电极电流为0.5 mA至12毫安。
3
1
4
2
SOT-343R
机械数据
典型值： BFP181T
案例：
SOT -143塑料外壳
重量：
约。 8.0毫克
标记：
18
穿针：
1 =收藏家， 2 =发射器，
3 =基地， 4 =发射器
典型值：
BFP181TW
案例：
SOT- 343塑料外壳
重量：
约。 6.0毫克
标记：
W18
穿针：
1 =收藏家， 2 =发射器，
4
3
18383
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
3 =基地， 4 =发射器
典型值：
BFP181TRW
案例：
SOT- 343R塑料外壳
重量：
约。 6.0毫克
标记：
WSF
穿针：
1 =收藏家， 2 =发射器，
3 =基地， 4 =发射器
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
存储温度范围
T
AMB
≤
78 °C
测试条件
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
价值
15
10
2
20
160
150
- 65至+ 150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
最大热阻
参数
交界处的环境
1)
1)
测试条件
符号
R
thJA
价值
450
单位
K / W
上玻璃纤维印刷电路板（ 25×20× 1.5） mm的
3
镀上35
m
Cu
文档编号85012
修订版1.4 ， 02 -MAR -05
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1
BFP181T / BFP181TW / BFP181TRW
威世半导体
电气直流特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极 - 发射极饱和
电压
测试条件
V
CE
= 15 V, V
BE
= 0
V
CB
= 10 V，I
E
= 0
V
EB
= 1 V，I
C
= 0
I
C
= 1毫安，我
B
= 0
I
C
= 15毫安，我
B
= 1.5毫安
符号
I
CES
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
h
FE
h
FE
50
10
0.1
100
100
0.4
150
民
典型值。
最大
100
100
1
单位
A
nA
A
V
V
直流正向电流传输比V
CE
= 6 V，I
C
= 5毫安
V
CE
= 6 V，I
C
= 10毫安
www.vishay.com
2
文档编号85012
修订版1.4 ， 02 -MAR -05
BFP181T / BFP181TW / BFP181TRW
威世半导体
AC电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
跃迁频率
测试条件
V
CE
= 3 V，I
C
= 6毫安，
F = 500 MHz的
V
CE
= 8 V，I
C
= 10毫安，
F = 500 MHz的
集电极 - 基极电容
集电极 - 发射极电容
发射极 - 基极电容
噪声系数
V
CB
= 10 V ， F = 1兆赫
V
CE
= 10 V ， F = 1兆赫
V
EB
= 0.5 V ， F = 1兆赫
V
CE
= 5 V，I
C
= 3毫安，Z
S
= Z
SOPT
,
F = 900兆赫
V
CE
= 5 V，I
C
= 3毫安，Z
S
= Z
SOPT
,
F = 1.75 GHz的
功率增益
V
CE
= 8 V，I
C
= 8毫安，Z
S
= 50
,
Z
L
= Z
LOPT
， F = 900兆赫
V
CE
= 8 V，I
C
= 8毫安，Z
S
= 50
,
Z
L
= Z
LOPT
， F = 1.75 GHz的
传感器增益
V
CE
= 8 V，I
C
= 8毫安，Z
0
= 50
,
F = 900兆赫
符号
f
T
f
T
C
cb
C
ce
C
eb
F
F
G
pe
G
pe
|S
21e
|
2
民
典型值。
6.8
8.0
0.3
0.2
0.45
1.5
2.2
16.5
13.5
16
最大
单位
GHz的
GHz的
pF
pF
pF
dB
dB
dB
dB
dB
包装尺寸（mm）
0.50(0.020)
0.35 (0.014)
1.1 (0.043)
0.9 (0.035)
0.9 (0.035)
0.75 (0.029)
0.15 (0.006)
0.08 (0.003)
1.4 (0.055)
1.2 (0.047)
3.0 (0.117)
2.8 (0.109)
0...0.1 (0...0.004)
贴装焊盘布局
1.8 (0.070)
1.6 (0.062)
0.65 (0.025)
1.17 (0.046)
ISO方法E
2.0 (0.078)
1.8 (0.070)
96 12240
文档编号85012
修订版1.4 ， 02 -MAR -05
2.6 (0.101)
2.4 (0.094)
www.vishay.com
3
BFP181T / BFP181TW / BFP181TRW
威世半导体
包装尺寸（mm）
96 12237
包装尺寸（mm）
96 12238
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4
文档编号85012
修订版1.4 ， 02 -MAR -05
BFP181T / BFP181TW / BFP181TRW
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
文档编号85012
修订版1.4 ， 02 -MAR -05
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5
QQ：2880707522 复制
