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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第622页 > BFN24
BFN24 ， BFN26
NPN硅高压晶体管
适用于电视机的视频输出级和
开关电源
高的击穿电压
低集电极 - 发射极饱和电压
互补类型： BFN25 ， BFN27 （ PNP ）
3
TYPE
BFN24
BFN26
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
DC集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗，
T
S
= 74 °C
结温
储存温度
热阻
结 - 焊接点
1)
R
thjs




2
1
VPS05161
记号
FHS
FJS
1=B
1=B
引脚配置
2=E
2=E
3=C
3=C
包
SOT23
SOT23
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
BFN24
250
250
5
BFN26
300
300
5
单位
V
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
200
500
100
200
360
150
-65 ... 150
mA
mW
°C

210
K / W
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
1
Nov-30-2001
BFN24 ， BFN26
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
符号
值
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1毫安，
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100 A,
I
E
= 0
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 100 A,
I
C
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 200 V,
I
E
= 0
V
CB
= 250 V,
I
E
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 200 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
V
CB
= 250 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
发射Cuto FF电流
V
EB
= 3 V,
I
C
= 0
直流电流增益1 ）
I
C
= 1毫安，
V
CE
= 10 V
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 10 V
I
C
= 30毫安，
V
CE
= 10 V
集电极 - 发射极饱和电压1 ）
I
C
= 20毫安，
I
B
= 2毫安
基极 - 发射极饱和电压1）
I
C
= 20毫安，
I
B
= 2毫安
BFN24
BFN26
V
BESAT
BFN24
BFN26
V
CESAT
-
-
-
-
-
-
0.4
0.5
0.9
h
FE
25
40
40
30
-
-
-
-
-
-
-
-
BFN24
BFN26
I
EBO
BFN24
BFN26
I
CBO
-
-
-
-
-
-
20
20
100
I
CBO
-
-
-
-
100
100
BFN24
BFN26
V
（ BR ） EBO
BFN24
BFN26
V
（ BR ） CBO
250
300
5
-
-
-
-
-
-
V
（ BR ） CEO
250
300
-
-
-
-
典型值。
马克斯。
单位
V
nA
A
nA
-
V
1 ）脉冲测试：吨< 300秒; < 2 ％

2
Nov-30-2001
BFN24 ， BFN26
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
符号
值
分钟。
AC特性
跃迁频率
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 20 MHz的
集电极 - 基极电容
V
CB
= 30 V,
f
= 1兆赫
C
cb
-
1.5
-
f
T
-
70
-
典型值。
马克斯。
单位
兆赫
pF
3
Nov-30-2001
BFN24 ， BFN26
总功耗
P
合计
=
f
(
T
S
)
跃迁频率
f
T
=
f
(
I
C
)
V
CE
= 10V
400
10
3
兆赫
f
T
BFN 24/26
EHP00622
mW
300
P
合计
250
200
10
2
150
5
100
50
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
T
S
10
1
10
0
5
10
1
5
10
2
5毫安
10
3
Ι
C
允许的脉冲负载
P
totmax
/
P
totDC
=
f
(
t
p
)
10
3
P
TOT最大
5
P
TOT DC
BFN 24/26
EHP00623
工作范围
I
C
=
f
(
V
首席执行官
)
T
A
= 25°C,
D
= 0
10
3
mA
BFN 24/26
EHP00624
t
p
D
=
T
t
p
Ι
C
T
10
2
10
2
5
D
=
0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
s
100
s
1毫秒
100毫秒
5
10
1
5
10
1
5
500毫秒
DC
10
0
5
10
0
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
t
p
10
0
10
-1
10
0
5
10
1
5
10
2
V 5
V
首席执行官
10
3
4
Nov-30-2001
BFN24 ， BFN26
集电极电流
I
C
=
f
(
V
BE
)
V
CE
= 10V
10
3
mA
BFN 24/26
EHP00625
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
=
f
(
T
A
)
V
CB
= 200V
10
4
nA
BFN 24/26
EHP00626
Ι
C
10
2
5
Ι
CB0
10
3
5
10
2
5
10
1
5
10
0
5
10
-1
最大
10
1
5
典型值
10
0
5
10
-1
0
0.5
1.0
V
BE
V
1.5
0
50
100
T
A
C 150
直流电流增益
h
FE
=
f
(
I
C
)
V
CE
= 10V
10
3
5
h
FE
2
10
2
5
2
10
1
5
2
10
0
-1
10
5 10
0
5 10
1
5 10
2
10毫安
3
Ι
C
BFN 24/26
EHP00627
5
Nov-30-2001
NPN硅高压晶体管
BFN 24
BFN 26
q
适合于在电视机视频输出级
而开关电源
q
高的击穿电压
q
低集电极 - 发射极饱和电压
q
互补类型： BFN 25 BFN 27 （ PNP ）
TYPE
BFN 24
BFN 26
记号
FHS
FJS
订购代码
（磁带和卷轴）
Q62702-F1065
Q62702-F976
引脚配置
1
2
3
B
E
C
包
1)
SOT-23
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗，
T
S
= 74 C
结温
存储温度范围
热阻
结 - 环境
2)
结 - 焊接点
R
日JA
R
日JS
≤
280
≤
210
符号
BFN 24
V
CE0
V
CB0
V
EB0
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
250
250
值
BFN 26
300
300
5
200
500
100
200
360
150
单位
V
mA
mW
C
– 65 … + 150
K / W
1)
2)
有关详细信息，请参阅本章包装纲要。
安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐
×
40 mm
×
1.5毫米/ 6厘米
2
铜。
半导体集团
1
07.94
BFN 24
BFN 26
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1毫安
BFN 24
BFN 26
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100
A
BFN 24
BFN 26
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 100
A
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 200 V
V
CB
= 250 V
V
CB
= 200 V,
T
A
= 150 C
V
CB
= 250 V,
T
A
= 150 C
发射基截止电流
V
EB
= 3 V
直流电流增益
I
C
= 1毫安，
V
CE
= 10 V
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 10 V
1)
I
C
= 30毫安，
V
CE
= 10 V
1)
BFN 24
BFN 26
BFN 24
BFN 26
I
EB0
h
FE
25
40
40
30
V
CESAT
–
–
V
BESAT
–
–
–
–
0.4
0.5
0.9
–
–
–
–
–
–
–
–
V
V
(BR)CE0
250
300
V
(BR)CB0
250
300
V
(BR)EB0
I
CB0
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
100
100
20
20
100
nA
nA
A
A
nA
–
5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
V
值
典型值。
马克斯。
单位
BFN 24
BFN 26
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 20毫安，
I
B
= 2毫安
BFN 24
BFN 26
基射极饱和电压
1)
I
C
= 20毫安，
I
B
= 2毫安
AC特性
跃迁频率
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 20 MHz的
输出电容
V
CB
= 30 V,
f
= 1兆赫
f
T
C
敖包
–
–
70
1.5
–
–
兆赫
pF
1)
脉冲测试条件：
t
≤
300
s,
D
= 2 %.
半导体集团
2
BFN 24
BFN 26
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*;
T
S
)
*包装安装在环氧
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CE
= 10 V
允许的脉冲负载
P
TOT最大
/
P
TOT DC
=
f
(t
p
)
工作范围
I
C
=
f
(V
CE0
)
T
A
= 25 C,
D
= 0
半导体集团
3
BFN 24
BFN 26
集电极电流
I
C
=
f
(V
BE
)
V
CE
= 10 V
收藏家Cuto FF电流
I
CB0
=
f
(T
A
)
V
CB
= 200 V
直流电流增益
h
FE
=
f
(I
C
)
V
CE
= 10 V
半导体集团
4
BFN24 ， BFN26
NPN硅高压晶体管
适合于在电视机视频输出级
而开关电源
高的击穿电压
低集电极 - 发射极饱和电压
互补型： BFN27 （ PNP ）
无铅（符合RoHS标准）封装
1)
合格的依据AEC Q101
3
1
2
TYPE
BFN24
BFN26
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
BFN24
BFN26
集电极 - 基极电压
BFN24
BFN26
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功率dissipation-
T
S
≤
74 °C
结温
储存温度
1
含有铅，
记号
FHS
FJS
1=B
1=B
引脚配置
2=E
2=E
3=C
3=C
包
SOT23
SOT23
符号
V
首席执行官
价值
250
300
单位
V
V
CBO
250
300
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
6
200
500
100
200
360
150
-65 ... 150
mW
°C
mA
包可能是可根据特殊要求
1
2007-04-20
BFN24 ， BFN26
热阻
参数
结 - 焊接点
1)
符号
R
thjs
价值
≤
210
单位
K / W
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
符号
值
单位
参数
分钟。
典型值。马克斯。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
V
（ BR ） CEO
V
I
C
= 1毫安，
I
B
= 0， BFN24
I
C
= 1毫安，
I
B
= 0， BFN26
250
300
V
（ BR ） CBO
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
A
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100 A,
I
E
= 0， BFN24
I
C
= 100 A,
I
E
= 0， BFN26
250
300
V
（ BR ） EBO
I
CBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 100 A,
I
C
= 0
6
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 200 V,
I
E
= 0， BFN24
V
CB
= 250 V,
I
E
= 0， BFN26
V
CB
= 200 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150℃， BFN24
V
CB
= 250 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150℃， BFN26
-
-
-
-
I
EBO
h
FE
-
-
-
-
-
0.1
0.1
20
20
100
nA
-
发射基截止电流
V
EB
= 5 V,
I
C
= 0
-
直流电流增益
2)
I
C
= 1毫安，
V
CE
= 10 V
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 10 V
I
C
= 30毫安，
V
CE
= 10 V ， BFN24
I
C
= 30毫安，
V
CE
= 10 V ， BFN26
25
40
40
30
V
CESAT
-
-
-
-
-
-
-
-
V
集电极 - 发射极饱和电压
2)
I
C
= 20毫安，
I
B
= 2毫安， BFN24
I
C
= 20毫安，
I
B
= 2毫安， BFN26
-
-
V
BESAT
-
-
-
0.4
0.5
0.9
基极发射极饱和电压
2)
I
C
= 20毫安，
I
B
= 2毫安
1
为
-
计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
测试：吨< 300μS ; < 2 ％
2
脉冲
2
2007-04-20
BFN24 ， BFN26
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
分钟。
AC特性
跃迁频率
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 20 MHz的
f
T
C
cb
单位
马克斯。
-
-
兆赫
pF
典型值。
70
1.5
-
-
集电极 - 基极电容
V
CB
= 30 V,
f
= 1兆赫
3
2007-04-20
BFN24 ， BFN26
直流电流增益
h
FE
=
(
I
C
)
V
CE
= 10 V
10
3
5
h
FE
2
10
2
5
BFN 24/26
EHP00627
工作范围
I
C
=
(
V
首席执行官
)
T
A
= 25°C,
D
= 0
10
3
mA
BFN 24/26
EHP00624
Ι
C
10
2
5
10
s
100
s
1毫秒
100毫秒
10
1
2
10
1
5
2
10
0
-1
10
5 10
0
5
500毫秒
DC
10
0
5
5 10
1
5 10
2
10毫安
3
10
-1
10
0
5
10
1
5
10
2
V 5
V
首席执行官
10
3
Ι
C
集电极电流
I
C
=
(
V
BE
)
V
CE
= 10 V
10
3
mA
BFN 24/26
EHP00625
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
=
(
T
A
)
V
CB
= 200 V
10
4
nA
BFN 24/26
EHP00626
Ι
C
10
2
5
Ι
CB0
10
3
5
10
2
5
10
1
5
10
0
5
10
-1
最大
10
1
5
典型值
10
0
5
10
-1
0
0.5
1.0
V
BE
V
1.5
0
50
100
T
A
C 150
4
2007-04-20
BFN24 ， BFN26
跃迁频率
f
T
=
(
I
C
)
V
CE
= V中的参数，
f
= 2 GHz的
10
3
兆赫
C
CB
(C
EB
)
BFN 24/26
EHP00622
集电极 - 基极电容
C
cb
=
(
V
CB
)
发射极 - 基极电容
C
eb
=
(
V
EB
)
90
pF
f
T
70
60
50
10
2
40
CEB
5
30
20
10
建行
10
1
10
0
5
10
1
5
10
2
5毫安
10
3
0
0
4
8
12
16
V
22
Ι
C
V
CB
(V
EB
)
总功耗
P
合计
=
(
T
S
)
允许的脉冲负载
P
totmax
/
P
totDC
=
(
t
p
)
400
10
3
P
TOT最大
5
P
TOT DC
BFN 24/26
EHP00623
mW
t
p
D
=
T
t
p
T
300
P
合计
10
2
250
5
200
150
10
1
5
D
=
0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
100
50
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
T
S
10
0
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
t
p
10
0
5
2007-04-20
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