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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第362页 > BFN22
BFN 22
NPN
高电压晶体管
表面贴装硅外延PlanarTransistors
硅外延PlanarTransistoren献给死去Oberflchenmontage
功耗 - Verlustleistung
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
NPN
250毫瓦
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
尺寸/集体单位为毫米
1=B
2=E
3=C
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
最大额定值（T
A
= 25
/
C)
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基电压
B开
ê开放
R
BE
= 2.7 k
S
c打开
V
CE0
V
CB0
V
CER
V
EB0
P
合计
I
C
I
CM
T
j
T
S
Grenzwerte （T
A
= 25
/
C)
BFN 22
250 V
250 V
250 V
5V
250毫瓦
1
)
50毫安
百毫安
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
特性（T
j
= 25
/
C)
分钟。
集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom
I
E
= 0, V
CB
= 200 V
I
E
= 0, V
CB
= 200 V，T
j
= 150
/
C
发射基截止电流 - Emitterreststrom
I
C
= 0, V
EB
= 5 V
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1毫安
I
EB0
V
CESAT
–
–
I
CB0
I
CB0
–
–
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
典型值。
–
–
–
–
马克斯。
100 nA的
20
:
A
100 nA的
500毫伏
集电极饱和电压。 - Kollektor - Sttigungsspg 。
2
)
1
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
2
）测试与脉冲吨
p
= 300
:
S，占空比
#
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S， Schaltverhltnis
#
2%
6
01.11.2003
高电压晶体管
特性（T
j
= 25
/
C)
分钟。
基本饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
1
)
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1毫安
V
CE
= 20 V，I
C
= 25毫安
增益带宽积 - Transitfrequenz
V
CE
= 10 V，I
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
V
CB
= 30 V，I
E
= i
e
= 0中，f = 1 MHz的
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补PNP晶体管
Empfohlene komplementre PNP - Transistoren
f
T
C
CB0
–
–
R
THA
BFN 23
100兆赫
0.8 pF的
V
BESAT
h
FE
–
50
–
–
BFN 22
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
典型值。
马克斯。
1V
–
–
–
420 K / W
2
)
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
1
)
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
标记 - Stempelung
BFN 22 = HB
）测试与脉冲吨
p
= 300
:
S，占空比
#
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S， Schaltverhltnis
#
2%
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
01.11.2003
1
2
7
NPN硅高压晶体管
q
适合于在电视机视频输出级
q
q
q
q
BFN 22
而开关电源
高的击穿电压
低集电极 - 发射极饱和电压
低电容
互补型： BFN 23 （ PNP ）
TYPE
BFN 22
记号
HBS
订购代码
（磁带和卷轴）
Q62702-F1024
引脚配置
1
2
3
B
E
C
包
1)
SOT-23
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压，
R
BE
= 2.7 k
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
总功耗，
T
S
= 71 C
结温
存储温度范围
热阻
结 - 环境
2)
结 - 焊接点
R
日JA
R
日JS
≤
290
≤
220
符号
V
CE0
V
CB0
V
CER
V
EB0
I
C
I
CM
P
合计
T
j
T
英镑
值
250
250
250
5
50
100
360
150
– 65 … + 150
单位
V
mA
mW
C
K / W
1)
2)
有关详细信息，请参阅本章包装纲要。
安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐
×
40 mm
×
1.5毫米/ 6厘米
2
铜。
半导体集团
1
5.91
BFN 22
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1毫安
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10
A
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10
A,
R
BE
= 2.7 k
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10
A
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 200 V
V
CB
= 200 V,
T
A
= 150 C
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= 250 V,
R
BE
= 2.7 k
V
CE
= 250 V,
T
A
= 150 C,
R
BE
= 2.7 k
发射基截止电流
V
EB
= 5 V
直流电流增益
1)
I
C
= 25毫安，
V
CE
= 20 V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安，
I
B
= 1毫安
基射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安，
I
B
= 1毫安
AC特性
跃迁频率
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 20 MHz的
输出电容
V
CB
= 30 V,
f
= 1兆赫
f
T
C
敖包
–
–
100
0.8
–
–
兆赫
pF
V
(BR)CE0
V
(BR)CB0
V
（ BR ） CER
V
(BR)EB0
I
CB0
–
–
I
CER
–
–
I
EB0
h
FE
V
CESAT
V
BESAT
–
50
–
–
–
–
–
–
–
–
1
50
10
–
0.5
1
–
V
–
–
100
20
nA
A
A
值
典型值。
马克斯。
单位
250
250
250
5
–
–
–
–
–
–
–
–
V
1)
脉冲测试条件：
t
≤
300
s,
D
= 2 %.
半导体集团
2
BFN 22
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*;
T
S
)
*包装安装在环氧
输出电容
C
敖包
=
f
(V
CE
)
f
= 1兆赫
允许的脉冲负载
P
TOT最大
/P
TOT DC
=
f
(t
p
)
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CE
= 10 V
半导体集团
3
BFN 22
集电极电流
I
C
=
f
(V
BE
)
V
CE
= 20 V
直流电流增益
h
FE
=
f
(I
C
)
V
CE
= 20 V
收藏家Cuto FF电流
I
CB0
=
f
(T
A
)
V
CB
= 200 V
半导体集团
4
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B37933K5100J060
BUK7107-55ATE
BT1-25T
B57235S0809M000
BZX84-A11
BZX84A11
B41889A3158M001
B43231A6187M000
B43508C5157M080
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型号
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单价/备注
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    BFN22
    -
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    -
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SOT-23
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BFN22
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