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订购数量： ENA1638
BFL4001
三洋半导体
数据表
BFL4001
特点
N沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
低导通电阻。
高速开关。
雪崩性的保证。
10V的车程。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
雪崩能量（单脉冲） * 4
雪崩电流* 5
符号
VDSS
VGSS
IDc*1
IDpack*2
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
EAS
IAV
只有最高温度总胆固醇= 150℃限制
TC = 25°C （SANYO的理想的散热条件） * 3
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
TC = 25°C （SANYO的理想的散热条件* ） 3
条件
评级
900
±30
6.5
4.1
13
2.0
37
150
--55到150
237
6.5
单位
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
mJ
A
注意：
*1
显示芯片性能
*2
包装有限公司
*3
三洋的条件是从背面照射。
该方法是将硅脂到设备的背面和安装该装置的水冷散热器由铝制成。
*4
VDD = 99V ， L = 10MH ， IAV = 6.5A
*5
L
≤
10MH ，单脉冲
标记： FL4001
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品
"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，
通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。该产品本文档中提及不得
被设计用于为任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，
航空航天仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号
系统，安全设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁
人的生命的情况下产品或失效或故障的设备可能会危害人体，也不得
其给予任何保证。如果您打算使用我们的产品标准之外的应用
我们的客户是谁正在考虑和/或外部的我们的预期标准的范围，例如使用的应用程序
应用程序，请与我们之前的预期用途进行磋商。如果没有咨询或查询前
使用目的，我们的客户须自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
性能，特点和所描述的产品在独立的国家职能，并
不是性能，特点，以及所描述的产品功能的保证作为安装在该
客户的产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个被评估
独立的设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的
产品或设备。
www.semiconductor-sanyo.com/network
31010QB TK IM TC- 00002256号A1638-1 / 5
BFL4001
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
|
YFS
|
RDS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
条件
ID = 10毫安， VGS = 0V
VDS = 720V ， VGS = 0V
VGS = ± 30V ， VDS = 0V
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 20V ，ID = 3.25A
ID = 3.25A ， VGS = 10V
VDS = 30V ， F = 1MHz的
VDS = 30V ， F = 1MHz的
VDS = 30V ， F = 1MHz的
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
VDS = 200V ，V GS = 10V ，ID = 6.5A
VDS = 200V ，V GS = 10V ，ID = 6.5A
VDS = 200V ，V GS = 10V ，ID = 6.5A
IS = 6.5A ， VGS = 0V
2.0
1.8
3.6
2.1
850
130
43
19
49
156
52
44
7.0
22
0.85
1.2
2.7
评级
民
900
1.0
±100
4.0
典型值
最大
单位
V
mA
nA
V
S
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7509-002
10.0
3.2
3.5
7.2
4.5
2.8
16.1
16.0
0.9
1.2
0.75
14.0
3.6
1.2
0.7
1 2 3
2.4
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
三洋： TO- 220FI （ LS ）
2.55
2.55
开关时间测试电路
PW=10μs
D.C.≤0.5%
VGS=10V
D
VDD=200V
0.6
雪崩电阻测试电路
L
ID=3.25A
RL=61.5Ω
VOUT
10V
0V
BFL4001
BFL4001
50Ω
VDD
≥50Ω
RG
G
P.G
RGS=50Ω
S
第A1638-2 / 5
BFL4001
14
12
ID - VDS
Tc=25
°
C
10V
14
12
ID - VGS
VDS=20V
TC = --25
°
C
漏极电流ID -
漏极电流ID -
10
8
6
20V
7V
10
8
6
4
2
0
25
°
C
75
°
C
6V
4
2
0
5V
VGS=4V
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
漏极至源极电压VDS - V
6
RDS （ ON） - VGS
IT15294
7
栅极 - 源极电压VGS - V
RDS （ ON） - 锝
IT15295
ID=3.25A
静态漏 - 源
通态电阻， RDS （ ON） -
Ω
静态漏 - 源
通态电阻， RDS （ ON） -
Ω
5
6
5
4
3
2
1
0
--50
4
Tc=75
°
C
3
2
25
°
C
--25
°
C
=
V GS
A
.25
=3
， ID
10V
1
0
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
--25
0
25
50
75
100
125
150
栅极 - 源极电压VGS - V
7
|
y
fs
|
- ID
IT15296
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
外壳温度，TC -
°
C
IS - VSD
IT15297
正向转移导纳，
|
y
fs
|
-- S
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
VDS=20V
VGS=0V
=
Tc
C
5
°
--2
°
C
75
源出电流，是 - 个
°
C
25
0.1
7
5
3
2
7
5
0.01
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
漏极电流ID -
7
5
SW时间 - ID
5 7 10
IT15298
0.01
0.2
0.4
TC =
7
3
2
0.6
--25
°
C
0.8
5
°
C
25
°
C
1.0
1.2
IT15299
VDD=200V
VGS=10V
西塞，科斯，的Crss - pF的
5
3
2
西塞，科斯，的Crss - VDS
二极管的正向电压， VSD - V
f=1MHz
切换时间， SW时间 - NS
3
2
TD （关闭）
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
西塞
100
7
5
3
2
tf
tr
科斯
CRS
s
TD （上）
10
7
0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
5
7
10
2
3
2
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
漏极电流ID -
IT15300
漏极至源极电压VDS - V
IT15301
第A1638-3 / 5
BFL4001
10
9
VGS - 的Qg
VDS=200V
ID=6.5A
漏极电流ID -
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
ASO
IDP = 13A （ PW≤10μs ）
IDc(*1)=6.5A
IDpack(*2)=4.1A
DC
10
栅极 - 源极电压VGS - V
μ
s
s
0
μ
10
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
1m
s
m
s
10
0m
ATI
on
s
10
op
er
操作
这个区域是
受限于RDS （ ON） 。
Tc=25°C
单脉冲
2 3
5 7 1.0
0.01
0.1
*1.
显示芯片性能
*2.
三洋理想的散热条件
2 3
5 7 10
2 3
5 7100
2 3
总栅极电荷QG - 数控
2.5
PD - TA
IT15302
40
漏极至源极电压VDS - V
PD - 锝
5 7
1000 2
IT15303
允许功耗， PD - 含
2.0
允许功耗， PD - 含
37
35
30
25
20
15
10
5
0
1.5
1.0
0.5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度，钽 -
°C
120
EAS - TA
IT15304
外壳温度，TC -
°C
IT15305
雪崩能量降额因子 - ％
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
IT10478
环境温度，钽 -
°C
第A1638-4 / 5
BFL4001
注意使用情况：由于BFL4001是MOSFET产品，请避免在附近使用本设备
高电荷的物体。
三洋半导体有限公司。承担设备故障而导致的使用不承担任何责任
超出的价值产品，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列条件范围或其他参数）
有限公司。本文描述或包含的产品。
三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品，然而，任何和所有
半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的，这些概率的故障
或故障可能引起事故或事件，危及人的生命，麻烦，可以给
上升到烟或着火或事故可能造成损害的其他财产。在设计设备，
采取安全措施，这样就不会发生此类事故或事件。这些措施包括但
不限于保护电路和安全设计，冗余设计误差防止电路，以及
结构设计。
倘任何或所有三洋半导体有限公司。描述或包含的产品均为
在任何当地出口管制法律和法规控制，这些产品可能需要
从有关根据上述法律，当局出口许可证。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和录音，或任何信息存储或检索系统，或
否则，没有三洋半导体有限公司的事先书面同意。
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"的
三洋半导体有限公司。你打算使用的产品。
本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不能保证
量产。
当使用的技术信息或本文描述的产品，既没有担保也没有牌照应
授予有关知识产权或三洋半导体有限公司的任何其他权利。或
第三者。三洋半导体有限公司。不得与有关第三的任何索赔或诉讼承担责任
党的它，是由于使用的技术信息和产品的知识产权
上面提到的。
该目录规定的3月， 2010年说明和信息，在此受
更改，恕不另行通知。
PS第A1638-5 / 5
订购数量： ENA1638A
BFL4001
三洋半导体
数据表
BFL4001
特点
N沟道MOSFET硅
通用开关设备
应用
低导通电阻
雪崩性的保证
高速开关
10V驱动器
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
雪崩能量（单脉冲） * 4
雪崩电流* 5
符号
VDSS
VGSS
IDc*1
IDpack*2
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
EAS
IAV
只有最高温度总胆固醇= 150℃限制
TC = 25°C （SANYO的理想的散热条件） * 3
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
TC = 25°C （SANYO的理想的散热条件） * 3
条件
评级
900
±30
6.5
4.1
13
2.0
37
150
--55到150
223
6.5
单位
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
mJ
A
注意：
*1
显示芯片性能
*2
包装有限公司
*3
三洋的条件是从背面照射。
该方法是将硅脂到设备的背面和安装该装置的水冷散热器由铝制成。
VDD = 50V ， L = 10MH ， IAV = 6.5A
*4
*5
L
≤
10MH ，单脉冲
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7528-001
10.16
3.18
3.3
4.7
2.54
产品&包装信息
包
： TO- 220F - 3FS
JEITA ， JEDEC
： SC- 67
最小包装数量： 50个/盒。
记号
6.68
15.87
电气连接
2
15.8
3.23
FL4001
2.76
LOT号
1
1.47 MAX
0.8
1
2
3
12.98
3
0.5
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
三洋： TO- 220F - 3FS
http://semicon.sanyo.com/en/network
22912 TKIM TC- 00002729 / 31010QB TK IM TC- 00002256 No.A1638-1 / 5
2.54
2.54
BFL4001
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
|
YFS
|
RDS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
条件
ID = 10毫安， VGS = 0V
VDS = 720V ， VGS = 0V
VGS = ± 30V ， VDS = 0V
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 20V ，ID = 3.25A
ID = 3.25A ， VGS = 10V
VDS = 30V ， F = 1MHz的
VDS = 30V ， F = 1MHz的
VDS = 30V ， F = 1MHz的
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
VDS = 200V ，V GS = 10V ，ID = 6.5A
VDS = 200V ，V GS = 10V ，ID = 6.5A
VDS = 200V ，V GS = 10V ，ID = 6.5A
IS = 6.5A ， VGS = 0V
2.0
1.8
3.6
2.1
850
130
43
19
49
156
52
44
7.0
22
0.85
1.2
2.7
评级
民
900
1.0
±100
4.0
典型值
最大
单位
V
mA
nA
V
S
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
开关时间测试电路
PW=10μs
D.C.≤0.5%
VGS=10V
D
VDD=200V
雪崩电阻测试电路
L
ID=3.25A
RL=61.5Ω
VOUT
10V
0V
BFL4001
BFL4001
50Ω
VDD
≥50Ω
RG
G
P.G
RGS=50Ω
S
14
12
ID - VDS
Tc=25
°
C
10V
14
12
ID - VGS
VDS=20V
漏极电流ID -
10
8
6
漏极电流ID -
TC = --25
°
C
10
8
6
4
2
0
20V
7V
25
°
C
75
°
C
6V
4
2
0
5V
VGS=4V
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
漏极至源极电压VDS - V
IT15294
栅极 - 源极电压VGS - V
IT15295
No.A1638-2/5
BFL4001
6
RDS （ ON） - VGS
ID=3.25A
7
6
5
4
3
2
1
0
--50
RDS （ ON） - 锝
静态漏 - 源
通态电阻， RDS （ ON） -
Ω
4
Tc=75
°
C
3
静态漏 - 源
通态电阻， RDS （ ON） -
Ω
5
2
25
°
C
--25
°
C
=
V GS
.2
=3
ID
,
10V
5A
1
0
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
--25
0
25
50
75
100
125
150
栅极 - 源极电压VGS - V
7
|
y
fs
|
- ID
IT15296
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
外壳温度，TC -
°
C
IS - VSD
IT15297
正向转移导纳，
|
y
fs
|
-- S
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
VDS=20V
VGS=0V
Tc
°
C
-25
=-
°
C
75
源出电流，是 - 个
°
C
25
TC =
75
°
C
3
2
0.1
7
5
3
2
7
5
0.01
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
漏极电流ID -
7
5
SW时间 - ID
5 7 10
IT15298
0.01
0.2
0.4
0.6
--25
°
C
0.8
25
°
C
1.0
1.2
IT15299
VDD=200V
VGS=10V
西塞，科斯，的Crss - pF的
5
3
2
西塞，科斯，的Crss - VDS
二极管的正向电压， VSD - V
f=1MHz
切换时间， SW时间 - NS
3
2
TD （关闭）
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
西塞
100
7
5
3
2
tf
tr
科斯
CRS
s
TD （上）
10
7
0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
5
7
10
2
3
2
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
漏极电流ID -
10
9
IT15300
100
7
5
3
2
VGS - 的Qg
漏极至源极电压VDS - V
ASO
IT15301
栅极 - 源极电压VGS - V
VDS=200V
ID=6.5A
漏极电流ID -
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
IDP = 13A （ PW≤10μs ）
IDc(*1)=6.5A
IDpack(*2)=4.1A
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
10
10
1m
10
s
m
DC
100
s
ms
op
er
ATI
on
μ
s
0
μ
s
操作
这个区域是
受限于RDS （ ON） 。
Tc=25°C
单脉冲
2 3
5 7 1.0
0.01
0.1
*1.
显示芯片性能
*2.
三洋理想的散热条件
2 3
5 7 10
2 3
5 7 100
2 3
5 71000
IT16791
总栅极电荷QG - 数控
IT15302
漏极至源极电压VDS - V
No.A1638-3/5
BFL4001
2.5
PD - TA
允许功耗， PD - 含
40
37
35
30
25
20
15
10
5
0
PD - 锝
允许功耗， PD - 含
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度，钽 -
°C
120
EAS - TA
IT15304
外壳温度，TC -
°C
IT15305
雪崩能量降额因子 - ％
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
IT10478
环境温度，钽 -
°C
No.A1638-4/5
BFL4001
注意使用情况：由于BFL4001是MOSFET产品，请避免在附近使用本设备
高电荷的物体。
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品
"standard application" ，意为用作一般电子设备。该产品本文档中提及
不得意欲用于任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，
航空航天仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号
系统，安全设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁
人的生命的情况下产品或失效或故障的设备可能会危害人体，也不得
其给予任何保证。如果您打算使用我们的产品，为新引进或其他应用程序
从汽车设备的使用现状，通信设备，办公设备的不同，
工业设备等，请向我们咨询有关使用条件（温度，运行时间等）
先于预期的用途。如果在预定使用之前没有咨询或查询，客户应
全权负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
性能，特点和所描述的产品在独立的国家职能，并
不是性能，特点，以及所描述的产品功能的保证作为安装在该
客户的产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个被评估
独立的设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的
产品或设备。
三洋半导体有限公司。承担设备故障而导致的使用不承担任何责任
超出的价值产品，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列条件范围或其他参数）
有限公司。本文描述或包含的产品。
三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品，然而，任何和所有
半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的，这些概率的故障
或故障可能引起事故或事件，危及人的生命，麻烦，可以给
上升到烟或着火或事故可能造成损害的其他财产。在设计设备，
采取安全措施，这样就不会发生此类事故或事件。这些措施包括但
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结构设计。
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