飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 5 GHz宽带晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
j
记
1. T
s
是在集电针的焊接点的温度。
热特性
符号
R
第j个-S
记
1. T
s
是在集电针的焊接点的温度。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
h
FE
C
c
C
e
C
re
f
T
G
UM
参数
收藏家泄漏电流
直流电流增益
集电极电容
发射极电容
反馈电容
跃迁频率
最大功率单侧
获得;注1
条件
I
E
= 0; V
CB
= 10 V
I
C
= 15毫安; V
CE
= 10 V
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 15毫安; V
CE
= 10 V ; F = 500 MHz的
I
C
= 15毫安; V
CE
= 10 V;
T
AMB
= 25
°C;
F = 1 GHz的
I
C
= 15毫安; V
CE
= 10 V;
T
AMB
= 25
°C;
F = 2 GHz的
F
噪音科幻gure
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 5毫安; V
CE
= 10 V;
T
AMB
= 25
°C;
F = 1 GHz的
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 5毫安; V
CE
= 10 V;
T
AMB
= 25
°C;
F = 2 GHz的
记
1. G
UM
是最大单边功率增益，假设S
12
是零和G
UM
分钟。
40
3.5
典型值。
90
0.6
0.9
0.35
5
16
11
2
3
参数
热阻结到焊接点
条件
注1
价值
290
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
总功耗
存储温度范围
结温
T
s
≤
60
°C;
注1
开基
集电极开路
条件
发射极开路
65
分钟。
BFG92A/X
马克斯。
20
15
2
25
400
150
175
V
V
V
单位
mA
mW
°C
°C
单位
K / W
马克斯。
50
单位
nA
pF
pF
pF
GHz的
dB
dB
dB
dB
S
21 2
=
10日志------------------------------------------------ --------------分贝。
(
1
–
S
11 2
) (
1
–
S
22 2
)
1998年09月23日
3
BFG92A/X
NPN 5 GHz宽带晶体管
牧师06 - 2008年3月12日
产品数据表
重要通知
尊敬的客户，
从2006年10月1日飞利浦半导体有一个新的商标名称
- 恩智浦半导体，这将在未来的数据表使用与新接触
详细信息。
在数据表在先前飞利浦引用仍然存在，请使用新的链接
如下所示。
http://www.philips.semiconductors.com使用http://www.nxp.com
http://www.semiconductors.philips.com使用http://www.nxp.com （互联网）
sales.addresses@www.semiconductors.philips.com使用salesaddresses@nxp.com
（电子邮件）
在每一页的底部的版权声明（或其他地方的文件，
根据版本）
- 皇家飞利浦电子N.V. （年） 。版权所有 -
被替换为：
- NXP B.V. （年） 。版权所有。 -
如果您有相关的数据资料有任何疑问，请联系我们最近的销售
（通过salesaddresses@nxp.com细节）通过电子邮件或电话连接的CE认证。感谢您
合作与理解，
恩智浦半导体
恩智浦
半导体
产品speci fi cation
NPN 5 GHz宽带晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
j
记
1. T
s
是在集电针的焊接点的温度。
热特性
符号
R
第j个-S
记
1. T
s
是在集电针的焊接点的温度。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
h
FE
C
c
C
e
C
re
f
T
G
UM
参数
收藏家泄漏电流
直流电流增益
集电极电容
发射极电容
反馈电容
跃迁频率
最大功率单侧
获得;注1
条件
I
E
= 0; V
CB
= 10 V
I
C
= 15毫安; V
CE
= 10 V
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 15毫安; V
CE
= 10 V ; F = 500 MHz的
I
C
= 15毫安; V
CE
= 10 V;
T
AMB
= 25
°C;
F = 1 GHz的
I
C
= 15毫安; V
CE
= 10 V;
T
AMB
= 25
°C;
F = 2 GHz的
F
噪音科幻gure
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 5毫安; V
CE
= 10 V;
T
AMB
= 25
°C;
F = 1 GHz的
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 5毫安; V
CE
= 10 V;
T
AMB
= 25
°C;
F = 2 GHz的
记
1. G
UM
是最大单边功率增益，假设S
12
是零和G
UM
分钟。
65
3.5
典型值。
90
0.6
0.9
0.35
5
16
11
2
3
参数
热阻结到焊接点
条件
注1
价值
290
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
总功耗
存储温度范围
结温
T
s
≤
60
°C;
注1
开基
集电极开路
条件
发射极开路
65
分钟。
BFG92A/X
马克斯。
20
15
2
25
400
150
175
V
V
V
单位
mA
mW
°C
°C
单位
K / W
马克斯。
50
135
单位
nA
pF
pF
pF
GHz的
dB
dB
dB
dB
S
21 2
=
10日志------------------------------------------------ --------------分贝。
(
1
–
S
11 2
) (
1
–
S
22 2
)
牧师06 - 2008年3月12日
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