分立半导体
数据表
BFG67 ; BFG67 / X ; BFG67 / XR
NPN 8 GHz宽带晶体管
产品speci fi cation
取代1995年9月数据
1998年10月2日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 8 GHz宽带晶体管
特点
高功率增益
低噪声系数
高转换频率
黄金金属确保
出色的可靠性。
应用
在GHz宽带应用
范围，如卫星电视调谐器和
便携式射频通信
设备。
描述
在一个4针型硅NPN晶体管，
双发射SOT143B塑料
封装。可提供在线发射
钉扎（ BFG67 ）和交叉发射
钉扎（ BFG67 / X） 。版本
反向牵制（ BFG67 / XR ）也
可根据要求提供。
记号
类型编号
BFG67 （图1）
BFG67 / X （图1）
BFG67 / XR （图2）
CODE
V3
V12
V26
Fig.1
简化的轮廓
SOT143B.
手册， 2列
4
BFG67 ; BFG67 / X ; BFG67 / XR
钉扎
描述
针
BFG67
1
2
3
4
集热器
BASE
辐射源
辐射源
BFG67/X
集热器
辐射源
BASE
辐射源
BFG67/XR
集热器
辐射源
BASE
辐射源
3
手册， 2列
3
4
1
顶视图
2
MSB014
2
顶视图
1
MSB035
Fig.2
简化的轮廓
SOT143R.
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
C
P
合计
C
re
f
T
G
UM
F
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流（ DC ）
总功耗
反馈电容
跃迁频率
最大功率单侧
收益
噪音科幻gure
T
s
≤
65
°C
I
C
= i
c
= 0; V
CB
= 8 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 15毫安; V
CE
= 8 V ; F = 500 MHz的
I
C
= 15毫安; V
CE
= 8 V;
T
AMB
= 25
°C;
F = 1 GHz的
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 5毫安; V
CE
= 8 V;
T
AMB
= 25
°C;
F = 1 GHz的
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 5毫安; V
CE
= 8 V;
T
AMB
= 25
°C;
F = 2 GHz的
开基
条件
0.5
8
17
1.3
2.2
典型值。
马克斯。
10
50
300
V
mA
mW
pF
GHz的
dB
dB
dB
单位
1998年10月2日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 8 GHz宽带晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
j
记
1. T
s
是在集电针的焊接点的温度。
热特性
符号
R
第j个-S
记
1. T
s
是在集电针的焊接点的温度。
参数
热阻结到焊接点
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
总功耗
存储温度范围
结温
BFG67 ; BFG67 / X ; BFG67 / XR
条件
发射极开路
开基
集电极开路
T
s
≤
65
°C;
见图3 ;注1
分钟。
马克斯。
20
10
2.5
50
380
150
175
V
V
V
单位
mA
mW
°C
°C
65
条件
注1
价值
290
单位
K / W
MBC984 - 1
400
手册， halfpage
P合计
（ mW）的
300
200
100
0
0
50
100
150
Ts
(
o
C)
200
图3功率降额曲线。
1998年10月2日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 8 GHz宽带晶体管
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
h
FE
f
T
C
c
C
e
C
re
G
UM
参数
收藏家泄漏电流
直流电流增益
跃迁频率
集电极电容
发射极电容
反馈电容
最大功率单侧
获得;注1
条件
V
CB
= 5 V ;我
E
= 0
I
C
= 15毫安; V
CE
= 5 V
BFG67 ; BFG67 / X ; BFG67 / XR
分钟。
60
典型值。
100
8
0.7
1.3
0.5
17
10
1.3
1.7
2.5
3
马克斯。
50
单位
nA
GHz的
pF
pF
pF
dB
dB
dB
dB
dB
dB
I
C
= 15毫安; V
CE
= 8 V ; F = 500 MHz的
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 8 V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 0.5 V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
CB
= 8 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 15毫安; V
CE
= 8 V;
T
AMB
= 25
°C;
F = 1 GHz的
I
C
= 15毫安; V
CE
= 8 V;
T
AMB
= 25
°C;
F = 2 GHz的
F
噪音科幻gure
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 5毫安; V
CE
= 8 V
T
AMB
= 25
°C;
F = 1 GHz的
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 15毫安; V
CE
= 8 V;
T
AMB
= 25
°C;
F = 1 GHz的
I
C
= 5毫安; V
CE
= 8 V;
T
AMB
= 25
°C;
F = 2 GHz的;
S
= 60
I
C
= 15毫安; V
CE
= 8 V;
T
AMB
= 25
°C;
F = 2 GHz的;
S
= 60
记
1. G
UM
是最大单边功率增益，假设S
12
是零和G
UM
S
21 2
=
10日志------------------------------------------------ --------------分贝。
(
1
–
S
11 2
) (
1
–
S
22 2
)
1998年10月2日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 8 GHz宽带晶体管
BFG67 ; BFG67 / X ; BFG67 / XR
MBB301
MBB302
120
手册， halfpage
^ h FE
0.8
手册， halfpage
CRE
（PF ）
0.6
80
0.4
40
0.2
0
0
20
40
I C （毫安）
60
0
0
4
8
12
VCB （ V）
16
V
CE
= 5 V.
I
C
= i
c
= 0; F = 1兆赫。
Fig.4
直流电流增益作为集电体的功能
电流。
Fig.5
反馈电容的一个函数
集电极 - 基极电压。
手册， halfpage
10
MBB303
MBB304
手册，
25
halfpage
fT
（千兆赫）
8
收益
（ dB）的
20
味精
g最高
6
摹UM
15
4
10
2
5
0
0
10
20
30
I C （毫安）
40
0
0
10
20
30
IC （MA ）
40
V
CE
= 8 V ; F = 1千兆赫。
V
CE
= 8 V ;牛逼
AMB
= 25
°;
F = 2千兆赫。
G
UM
=最大单边功率增益;
味精=最大稳定增益;
G
最大
=最大可用增益。
Fig.6
过渡频率的函数
集电极电流。
图7增益为集电极电流的函数。
1998年10月2日
5
BFG67 ; BFG67 / X ; BFG67 / XR
NPN 8 GHz宽带晶体管
牧师05 - 2007年11月23日
产品数据表
重要通知
尊敬的客户，
从2006年10月1日飞利浦半导体有一个新的商标名称
- 恩智浦半导体，这将在未来的数据表使用与新接触
详细信息。
在数据表在先前飞利浦引用仍然存在，请使用新的链接
如下所示。
http://www.philips.semiconductors.com使用http://www.nxp.com
http://www.semiconductors.philips.com使用http://www.nxp.com （互联网）
sales.addresses@www.semiconductors.philips.com使用salesaddresses@nxp.com
（电子邮件）
在每一页的底部的版权声明（或其他地方的文件，
根据版本）
- 皇家飞利浦电子N.V. （年） 。版权所有 -
被替换为：
- NXP B.V. （年） 。版权所有。 -
如果您有相关的数据资料有任何疑问，请联系我们最近的销售
（通过salesaddresses@nxp.com细节）通过电子邮件或电话连接的CE认证。感谢您
合作与理解，
恩智浦半导体
恩智浦
半导体
产品speci fi cation
NPN 8 GHz宽带晶体管
特点
高功率增益
低噪声系数
高转换频率
黄金金属确保
出色的可靠性。
应用
在GHz宽带应用
范围，如卫星电视调谐器和
便携式射频通信
设备。
描述
在一个4针型硅NPN晶体管，
双发射SOT143B塑料
封装。可提供在线发射
钉扎（ BFG67 ）和交叉发射
钉扎（ BFG67 / X） 。版本
反向牵制（ BFG67 / XR ）也
可根据要求提供。
记号
类型编号
BFG67 （图1）
BFG67 / X （图1）
BFG67 / XR （图2）
CODE
V3%
MV ％
V26
Fig.1
简化的轮廓
SOT143B.
手册， 2列
4
BFG67 ; BFG67 / X ; BFG67 / XR
钉扎
描述
针
BFG67
1
2
3
4
集热器
BASE
辐射源
辐射源
BFG67/X
集热器
辐射源
BASE
辐射源
BFG67/XR
集热器
辐射源
BASE
辐射源
3
手册， 2列
3
4
1
顶视图
2
MSB014
2
顶视图
1
MSB035
Fig.2
简化的轮廓
SOT143R.
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
C
P
合计
C
re
f
T
G
UM
F
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流（ DC ）
总功耗
反馈电容
跃迁频率
最大功率单侧
收益
噪音科幻gure
T
s
≤
65
°C
I
C
= i
c
= 0; V
CB
= 8 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 15毫安; V
CE
= 8 V ; F = 500 MHz的
I
C
= 15毫安; V
CE
= 8 V;
T
AMB
= 25
°C;
F = 1 GHz的
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 5毫安; V
CE
= 8 V;
T
AMB
= 25
°C;
F = 1 GHz的
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 5毫安; V
CE
= 8 V;
T
AMB
= 25
°C;
F = 2 GHz的
开基
条件
0.5
8
17
1.3
2.2
典型值。
马克斯。
10
50
300
V
mA
mW
pF
GHz的
dB
dB
dB
单位
牧师05 - 2007年11月23日
2 14
恩智浦
半导体
产品speci fi cation
NPN 8 GHz宽带晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
j
记
1. T
s
是在集电针的焊接点的温度。
热特性
符号
R
第j个-S
记
1. T
s
是在集电针的焊接点的温度。
参数
热阻结到焊接点
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
总功耗
存储温度范围
结温
BFG67 ; BFG67 / X ; BFG67 / XR
条件
发射极开路
开基
集电极开路
T
s
≤
65
°C;
见图3 ;注1
分钟。
马克斯。
20
10
2.5
50
380
150
175
V
V
V
单位
mA
mW
°C
°C
65
条件
注1
价值
290
单位
K / W
MBC984 - 1
400
手册， halfpage
P合计
（ mW）的
300
200
100
0
0
50
100
150
Ts
(
o
C)
200
图3功率降额曲线。
牧师05 - 2007年11月23日
3 14
恩智浦
半导体
产品speci fi cation
NPN 8 GHz宽带晶体管
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
h
FE
f
T
C
c
C
e
C
re
G
UM
参数
收藏家泄漏电流
直流电流增益
跃迁频率
集电极电容
发射极电容
反馈电容
最大功率单侧
获得;注1
条件
V
CB
= 5 V ;我
E
= 0
I
C
= 15毫安; V
CE
= 5 V
BFG67 ; BFG67 / X ; BFG67 / XR
分钟。
60
典型值。
100
8
0.7
1.3
0.5
17
10
1.3
1.7
2.5
3
马克斯。
50
单位
nA
GHz的
pF
pF
pF
dB
dB
dB
dB
dB
dB
I
C
= 15毫安; V
CE
= 8 V ; F = 500 MHz的
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 8 V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 0.5 V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
CB
= 8 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 15毫安; V
CE
= 8 V;
T
AMB
= 25
°C;
F = 1 GHz的
I
C
= 15毫安; V
CE
= 8 V;
T
AMB
= 25
°C;
F = 2 GHz的
F
噪音科幻gure
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 5毫安; V
CE
= 8 V
T
AMB
= 25
°C;
F = 1 GHz的
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 15毫安; V
CE
= 8 V;
T
AMB
= 25
°C;
F = 1 GHz的
I
C
= 5毫安; V
CE
= 8 V;
T
AMB
= 25
°C;
F = 2 GHz的;
S
= 60
I
C
= 15毫安; V
CE
= 8 V;
T
AMB
= 25
°C;
F = 2 GHz的;
S
= 60
记
1. G
UM
是最大单边功率增益，假设S
12
是零和G
UM
S
21 2
=
10日志------------------------------------------------ --------------分贝。
(
1
–
S
11 2
) (
1
–
S
22 2
)
牧师05 - 2007年11月23日
4 14
恩智浦
半导体
产品speci fi cation
NPN 8 GHz宽带晶体管
BFG67 ; BFG67 / X ; BFG67 / XR
MBB301
MBB302
120
手册， halfpage
^ h FE
0.8
手册， halfpage
CRE
（PF ）
0.6
80
0.4
40
0.2
0
0
20
40
I C （毫安）
60
0
0
4
8
12
VCB （ V）
16
V
CE
= 5 V.
I
C
= i
c
= 0; F = 1兆赫。
Fig.4
直流电流增益作为集电体的功能
电流。
Fig.5
反馈电容的一个函数
集电极 - 基极电压。
手册， halfpage
10
MBB303
MBB304
手册，
25
halfpage
fT
（千兆赫）
8
收益
（ dB）的
20
味精
g最高
6
摹UM
15
4
10
2
5
0
0
10
20
30
I C （毫安）
40
0
0
10
20
30
IC （MA ）
40
V
CE
= 8 V ; F = 1千兆赫。
V
CE
= 8 V ;牛逼
AMB
= 25
°;
F = 2千兆赫。
G
UM
=最大单边功率增益;
味精=最大稳定增益;
G
最大
=最大可用增益。
Fig.6
过渡频率的函数
集电极电流。
图7增益为集电极电流的函数。
牧师05 - 2007年11月23日
5 14
QQ：2880707522 复制
