飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 9 GHz宽带晶体管
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
h
FE
C
e
C
c
C
re
f
T
G
UM
参数
集电极截止电流
直流电流增益
发射极电容
集电极电容
反馈电容
跃迁频率
最大单边功率增益
（注1 ）
条件
I
E
= 0; V
CB
= 8 V
I
C
= 40毫安; V
CE
= 8 V
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 0.5 V ; F = 1 MHz的
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 8 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 0; V
CB
= 8 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 40毫安; V
CE
= 8 V ; F = 1千兆赫;
T
AMB
= 25
°C
I
C
= 40毫安; V
CE
= 8 V ; F = 900 MHz的;
T
AMB
= 25
°C
I
C
= 40毫安; V
CE
= 8 V ; F = 2 GHz的;
T
AMB
= 25
°C
S
21
2
F
插入功率增益
噪音科幻gure
I
c
= 40毫安; V
CE
= 8 V ; F = 900 MHz的;
T
AMB
= 25
°C
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 10毫安; V
CE
= 8 V;
F = 900 MHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 40毫安; V
CE
= 8 V;
F = 900 MHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 10毫安; V
CE
= 8 V;
F = 2 GHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
P
L1
ITO
V
o
d
2
笔记
1. G
UM
是最大单边功率增益，假设S
12
是零和
G
UM
2.
S
21
-------------------------------------------------------------
分贝。
-
=
10日志
2
2
1
–
S
11
1
–
S
22
2
BFG541
分钟。
60
13
典型值。
120
2
1
0.7
9
15
9
14
1.3
1.9
2.1
21
34
500
50
马克斯。
50
250
1.8
2.4
单位
nA
pF
pF
pF
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
mV
dB
输出功率为1 dB增益
压缩
三阶截点
输出电压
二阶互调
失真
I
c
= 40毫安; V
CE
= 8 V ;
L
= 50
;
F = 900 MHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
注2
注3
注4
I
C
= 40毫安; V
CE
= 8 V ;
L
= 50
;
F = 900 MHz的;牛逼
AMB
= 25
°C;
f
p
= 900 MHz的; F
q
= 902 MHz的;
在F量度
(2pq)
= 898 MHz和在f
(2pq)
= 904兆赫。
3. d
im
=
60
分贝（ DIN 45004B ） ;我
C
= 40毫安; V
CE
= 8 V ;
L
= Z
s
= 75
;
T
AMB
= 25
°C;
V
p
= V
o
; V
q
= V
o
6
分贝; V
r
= V
o
6
分贝;
f
p
= 795.25兆赫; F
q
= 803.25兆赫; F
r
= 805.25兆赫;
在F量度
第（p +的q r）的
= 793.25兆赫
4. I
C
= 40毫安; V
CE
= 8 V; V
o
= 325 mV的;牛逼
AMB
= 25
°C;
f
p
= 250 MHz的; F
q
= 560 MHz的;
在F量度
的（p + q）的
= 810兆赫
1995年9月
4
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