分立半导体
数据表
BFG540 ; BFG540 / X ; BFG540 / XR
NPN 9 GHz宽带晶体管
产品speci fi cation
取代1997年的数据12月3日
2000 5月23日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 9 GHz宽带晶体管
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
h
FE
C
e
C
c
C
re
f
T
G
UM
参数
集电极截止电流
直流电流增益
发射极电容
集电极电容
反馈电容
跃迁频率
最大单边功率增益
（注1 ）
条件
I
E
= 0; V
CB
= 8 V
I
C
= 40毫安; V
CE
= 8 V
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 0.5 V ; F = 1 MHz的
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 8 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 0; V
CB
= 8 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 40毫安; V
CE
= 8 V ; F = 1千兆赫;
T
AMB
= 25
°C
I
C
= 40毫安; V
CE
= 8 V ; F = 900 MHz的;
T
AMB
= 25
°C
I
C
= 40毫安; V
CE
= 8 V ; F = 2 GHz的;
T
AMB
= 25
°C
s
21
F
2
BFG540 ; BFG540 / X ;
BFG540/XR
分钟。
60
15
典型值。
120
2
0.9
0.5
9
18
11
16
1.3
1.9
2.1
21
34
500
50
马克斯。
50
250
1.8
2.4
单位
nA
pF
pF
pF
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
mV
dB
插入功率增益
噪音科幻gure
I
C
= 40毫安; V
CE
= 8 V ; F = 900 MHz的;
T
AMB
= 25
°C
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 10毫安; V
CE
= 8 V;
F = 900 MHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 40毫安; V
CE
= 8 V;
F = 900 MHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 10毫安; V
CE
= 8 V;
F = 2 GHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
P
L1
ITO
V
O
d
2
笔记
输出功率为1 dB增益
压缩
三阶截点
输出电压
二阶互调
失真
I
C
= 40毫安; V
CE
= 8 V ;
L
= 50
;
F = 900 MHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
注2
注3
注4
s
21 2
1. G
UM
是最大单边功率增益，假设S
12
是零和G
UM
=
10日志------------------------------------------------ --------分贝。
(
1
–
s
11 2
) (
1
–
s
22 2
)
2. V
CE
= 8 V ;我
C
= 40毫安;
L
= 50
;
T
AMB
= 25
°C;
f
p
= 900 MHz的; F
q
= 902 MHz的;
在F量度
(2p
q)
= 898兆赫和f
(2q
p)
= 904兆赫。
3. d
im
=
60
分贝（ DIN 45004B ） ;我
C
= 40毫安; V
CE
= 8 V ;
L
= Z
S
= 75
;
T
AMB
= 25
°C;
V
p
= V
O
; V
q
= V
O
6
分贝; V
r
= V
O
6
分贝;
f
p
= 795.25兆赫; F
q
= 803.25兆赫; F
r
= 805.25兆赫;
在F量度
第（p + Q
r)
= 793.25兆赫。
4. I
C
= 40毫安; V
CE
= 8 V; V
O
= 275 mV的;牛逼
AMB
= 25
°C;
f
p
= 250 MHz的; F
q
= 560 MHz的;在f测
的（p + q）的
= 810兆赫。
2000 5月23日
4
BFG540 ; BFG540 / X ; BFG540 / XR
NPN 9 GHz宽带晶体管
牧师05 - 2007年11月21日
产品数据表
重要通知
尊敬的客户，
从2006年10月1日飞利浦半导体有一个新的商标名称
- 恩智浦半导体，这将在未来的数据表使用与新接触
详细信息。
在数据表在先前飞利浦引用仍然存在，请使用新的链接
如下所示。
http://www.philips.semiconductors.com使用http://www.nxp.com
http://www.semiconductors.philips.com使用http://www.nxp.com （互联网）
sales.addresses@www.semiconductors.philips.com使用salesaddresses@nxp.com
（电子邮件）
在每一页的底部的版权声明（或其他地方的文件，
根据版本）
- 皇家飞利浦电子N.V. （年） 。版权所有 -
被替换为：
- NXP B.V. （年） 。版权所有。 -
如果您有相关的数据资料有任何疑问，请联系我们最近的销售
（通过salesaddresses@nxp.com细节）通过电子邮件或电话连接的CE认证。感谢您
合作与理解，
恩智浦半导体
恩智浦
半导体
产品speci fi cation
NPN 9 GHz宽带晶体管
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
h
FE
C
e
C
c
C
re
f
T
G
UM
参数
集电极截止电流
直流电流增益
发射极电容
集电极电容
反馈电容
跃迁频率
最大单边功率增益
（注1 ）
条件
I
E
= 0; V
CB
= 8 V
I
C
= 40毫安; V
CE
= 8 V
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 0.5 V ; F = 1 MHz的
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 8 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 0; V
CB
= 8 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 40毫安; V
CE
= 8 V ; F = 1千兆赫;
T
AMB
= 25
°C
I
C
= 40毫安; V
CE
= 8 V ; F = 900 MHz的;
T
AMB
= 25
°C
I
C
= 40毫安; V
CE
= 8 V ; F = 2 GHz的;
T
AMB
= 25
°C
s
21
F
2
BFG540 ; BFG540 / X ;
BFG540/XR
分钟。
60
15
典型值。
120
2
0.9
0.5
9
18
11
16
1.3
1.9
2.1
21
34
500
50
马克斯。
50
250
1.8
2.4
单位
nA
pF
pF
pF
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
mV
dB
插入功率增益
噪音科幻gure
I
C
= 40毫安; V
CE
= 8 V ; F = 900 MHz的;
T
AMB
= 25
°C
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 10毫安; V
CE
= 8 V;
F = 900 MHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 40毫安; V
CE
= 8 V;
F = 900 MHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 10毫安; V
CE
= 8 V;
F = 2 GHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
P
L1
ITO
V
O
d
2
笔记
输出功率为1 dB增益
压缩
三阶截点
输出电压
二阶互调
失真
I
C
= 40毫安; V
CE
= 8 V ;
L
= 50
;
F = 900 MHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
注2
注3
注4
s
21 2
1. G
UM
是最大单边功率增益，假设S
12
是零和G
UM
=
10日志------------------------------------------------ --------分贝。
(
1
–
s
11 2
) (
1
–
s
22 2
)
2. V
CE
= 8 V ;我
C
= 40毫安;
L
= 50
;
T
AMB
= 25
°C;
f
p
= 900 MHz的; F
q
= 902 MHz的;
在F量度
(2p
q)
= 898兆赫和f
(2q
p)
= 904兆赫。
3. d
im
=
60
分贝（ DIN 45004B ） ;我
C
= 40毫安; V
CE
= 8 V ;
L
= Z
S
= 75
;
T
AMB
= 25
°C;
V
p
= V
O
; V
q
= V
O
6
分贝; V
r
= V
O
6
分贝;
f
p
= 795.25兆赫; F
q
= 803.25兆赫; F
r
= 805.25兆赫;
在F量度
第（p + Q
r)
= 793.25兆赫。
4. I
C
= 40毫安; V
CE
= 8 V; V
O
= 275 mV的;牛逼
AMB
= 25
°C;
f
p
= 250 MHz的; F
q
= 560 MHz的;在f测
的（p + q）的
= 810兆赫。
牧师05 - 2007年11月21日
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