BFG520 ; BFG520 / X ; BFG520 / XR
NPN 9 GHz宽带晶体管
牧师04 - 2007年11月23日
产品数据表
重要通知
尊敬的客户，
从2006年10月1日飞利浦半导体有一个新的商标名称
- 恩智浦半导体，这将在未来的数据表使用与新接触
详细信息。
在数据表在先前飞利浦引用仍然存在，请使用新的链接
如下所示。
http://www.philips.semiconductors.com使用http://www.nxp.com
http://www.semiconductors.philips.com使用http://www.nxp.com （互联网）
sales.addresses@www.semiconductors.philips.com使用salesaddresses@nxp.com
（电子邮件）
在每一页的底部的版权声明（或其他地方的文件，
根据版本）
- 皇家飞利浦电子N.V. （年） 。版权所有 -
被替换为：
- NXP B.V. （年） 。版权所有。 -
如果您有相关的数据资料有任何疑问，请联系我们最近的销售
（通过salesaddresses@nxp.com细节）通过电子邮件或电话连接的CE认证。感谢您
合作与理解，
恩智浦半导体
恩智浦
半导体
产品speci fi cation
NPN 9 GHz宽带晶体管
特点
高功率增益
低噪声系数
高转换频率
黄金金属确保
出色的可靠性。
描述
NPN硅平面外延
晶体管，用于应用程序
在GHz范围的射频前端，
如模拟和数字蜂窝
电话机，无绳电话
（CT1 ， CT2 ，DECT等），雷达
检测器，寻呼机和卫星电视
调谐器（ SATV ）和中继器
放大器的光纤系统。
晶体管封装在
4针，双射极塑料SOT143
和SOT143R信封。
钉扎
针
1
2
3
4
1
2
3
4
1
2
3
4
BFG520 ; BFG520 / X ; BFG520 / XR
描述
集热器
BASE
辐射源
辐射源
fpage
4
3
BFG520 （图1 ）代码：
MF ％
1
顶视图
2
MSB014
BFG520 / X （图1 ）代码：
ML ％
集热器
辐射源
BASE
辐射源
集热器
辐射源
BASE
辐射源
图1 SOT143B 。
手册， 2列
3
4
BFG520 / XR （图2 ）代码：
％ MP
2
顶视图
1
MSB035
图2 SOT143R 。
快速参考数据
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
c
P
合计
h
FE
C
re
f
T
G
UM
参数
集电极 - 基极电压
DC集电极电流
总功耗
直流电流增益
反馈电容
跃迁频率
最大单边
功率增益
最多至T
s
= 88
°C;
注1
I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 6 V ;牛逼
j
= 25
°C
I
C
= 0; V
CB
= 6 V ; F = 1 MHz的
I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 6 V ; F = 1千兆赫;
T
AMB
= 25
°C
I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 6 V ; F = 900 MHz的;
T
AMB
= 25
°C
I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 6 V ; F = 2 GHz的;
T
AMB
= 25
°C
S
21
2
F
插入功率增益
噪音科幻gure
I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 6 V ; F = 900 MHz的;
T
AMB
= 25
°C
Γ
s
=
Γ
选择
; I
c
= 5毫安; V
CE
= 6 V;
F = 900 MHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 6 V;
F = 900 MHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 5毫安; V
CE
= 8 V;
F = 2 GHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
集电极 - 发射极电压开基
条件
发射极开路
60
17
分钟。
120
0.3
9
19
13
18
1.1
1.6
1.9
典型值。
马克斯。
20
15
70
300
250
1.6
2.1
pF
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
dB
单位
V
V
mA
mW
牧师04 - 2007年11月23日
2 14
恩智浦
半导体
产品speci fi cation
NPN 9 GHz宽带晶体管
极限值
按照绝对最大系统（IEC 134）。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
DC集电极电流
总功耗
储存温度
结温
BFG520 ; BFG520 / X ; BFG520 / XR
条件
发射极开路
开基
集电极开路
最多至T
s
= 88
°C;
注1
分钟。
马克斯。
20
15
2.5
70
300
150
175
V
V
V
单位
mA
mW
°C
°C
65
热阻
符号
R
第j个-S
记
1. T
s
是在集电极片的焊接点的温度。
参数
热阻结到
焊接点
条件
最多至T
s
= 88
°C;
注1
热阻
290 K / W
牧师04 - 2007年11月23日
3 14
恩智浦
半导体
产品speci fi cation
NPN 9 GHz宽带晶体管
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
h
FE
C
e
C
c
C
re
f
T
G
UM
参数
集电极截止电流
直流电流增益
发射极电容
集电极电容
反馈电容
跃迁频率
最大单边
功率增益（注1 ）
BFG520 ; BFG520 / X ; BFG520 / XR
条件
I
E
= 0; V
CB
= 6 V
I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 6 V
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 0.5 V ; F = 1 MHz的
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 6 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 0; V
CB
= 6 V ; F = 1 MHz的
I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 6 V ; F = 1千兆赫;
T
AMB
= 25
°C
I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 6 V ; F = 900 MHz的;
T
AMB
= 25
°C
I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 6 V ; F = 2 GHz的;
T
AMB
= 25
°C
分钟。
60
17
典型值。
120
1
0.6
0.3
9
19
13
18
1.1
1.6
1.9
17
26
275
50
马克斯。
50
250
1.6
2.1
单位
nA
pF
pF
pF
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
mV
dB
S
21
2
F
插入功率增益
噪音科幻gure
I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 6 V ; F = 900 MHz的;
T
AMB
= 25
°C
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 5毫安; V
CE
= 6 V;
F = 900 MHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 6 V;
F = 900 MHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 5毫安; V
CE
= 6 V;
F = 2 GHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
P
L1
ITO
V
o
d
2
笔记
输出功率为1 dB增益
压缩
三阶截点
输出电压
二阶互调
失真
I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 6 V ;
L
= 50
;
F = 900 MHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
注2
注3
I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 6 V; V
o
= 75 mV的;
T
AMB
= 25
°C;
f
的（p + q）的
= 810兆赫
1. G
UM
是最大单边功率增益，假设S
12
是零和
2
S
21
-
G
UM
=
10日志
-------------------------------------------------------------
分贝。
2
2
1
–
S
11
1
–
S
22
2. I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 6 V ;
L
= 50
;
F = 900 MHz的;牛逼
AMB
= 25
°C;
f
p
= 900 MHz的; F
q
= 902 MHz的;
在F量度
(2pq)
= 898兆赫和f
(2qp)
= 904兆赫。
3. d
im
=
60
分贝（ DIN 45004B ） ;
V
p
= V
o
; V
q
= V
o
6
分贝; V
r
= V
o
6
分贝;
f
p
= 795.25兆赫; F
q
= 803.25兆赫; F
r
= 805.25兆赫;
在F量度
第（p +的q r）的
= 793.25兆赫
牧师04 - 2007年11月23日
4 14
恩智浦
半导体
产品speci fi cation
NPN 9 GHz宽带晶体管
BFG520 ; BFG520 / X ; BFG520 / XR
手册， halfpage
400
MRA670-1
手册， halfpage
250
MRA671
P合计
（ mW）的
300
的hFE
200
150
200
100
100
50
0
0
50
100
150
TS （℃ ）
200
0
10
2
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
V
CE
= 6 V ;牛逼
j
= 25
°C.
图3功率降额曲线。
Fig.4
直流电流增益作为集电体的功能
电流。
手册， halfpage
0.6
MRA672
手册， halfpage
12
MRA673
CRE
（PF ）
0.4
fT
（千兆赫）
8
VCE = 6 V
VCE = 3V
0.2
4
0
0
4
8
VCB （ V）
12
0
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
I
C
= 0; F = 1兆赫。
F = 1千兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.5
反馈电容的一个函数
集电极 - 基极电压。
Fig.6
过渡频率的函数
集电极电流。
牧师04 - 2007年11月23日
5 14
分立半导体
数据表
BFG520 ; BFG520 / X ; BFG520 / XR
NPN 9 GHz宽带晶体管
产品speci fi cation
在分立半导体的文件， SC14
1995年9月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 9 GHz宽带晶体管
特点
高功率增益
低噪声系数
高转换频率
黄金金属确保
出色的可靠性。
描述
NPN硅平面外延
晶体管，用于应用程序
在GHz范围的射频前端，
如模拟和数字蜂窝
电话机，无绳电话
（CT1 ， CT2 ，DECT等），雷达
检测器，寻呼机和卫星电视
调谐器（ SATV ）和中继器
放大器的光纤系统。
晶体管封装在
4针，双射极塑料SOT143
和SOT143R信封。
钉扎
针
1
2
3
4
1
2
3
4
1
2
3
4
BFG520 ; BFG520 / X ; BFG520 / XR
描述
集热器
BASE
辐射源
辐射源
fpage
4
3
BFG520 （图1 ）代号： N36
1
顶视图
2
MSB014
BFG520 / X （图1 ）代号： N42
集热器
辐射源
BASE
辐射源
集热器
辐射源
BASE
辐射源
图1 SOT143B 。
手册， 2列
3
4
BFG520 / XR （图2 ）代码： N48
2
顶视图
1
MSB035
图2 SOT143R 。
快速参考数据
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
c
P
合计
h
FE
C
re
f
T
G
UM
参数
集电极 - 基极电压
DC集电极电流
总功耗
直流电流增益
反馈电容
跃迁频率
最大单边
功率增益
最多至T
s
= 88
°C;
注1
I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 6 V ;牛逼
j
= 25
°C
I
C
= 0; V
CB
= 6 V ; F = 1 MHz的
I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 6 V ; F = 1千兆赫;
T
AMB
= 25
°C
I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 6 V ; F = 900 MHz的;
T
AMB
= 25
°C
I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 6 V ; F = 2 GHz的;
T
AMB
= 25
°C
S
21
2
F
插入功率增益
噪音科幻gure
I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 6 V ; F = 900 MHz的;
T
AMB
= 25
°C
Γ
s
=
Γ
选择
; I
c
= 5毫安; V
CE
= 6 V;
F = 900 MHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 6 V;
F = 900 MHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 5毫安; V
CE
= 8 V;
F = 2 GHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
1995年9月
2
集电极 - 发射极电压开基
条件
发射极开路
60
17
分钟。
120
0.3
9
19
13
18
1.1
1.6
1.9
典型值。
马克斯。
20
15
70
300
250
1.6
2.1
pF
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
dB
单位
V
V
mA
mW
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 9 GHz宽带晶体管
极限值
按照绝对最大系统（IEC 134）。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
DC集电极电流
总功耗
储存温度
结温
BFG520 ; BFG520 / X ; BFG520 / XR
条件
发射极开路
开基
集电极开路
最多至T
s
= 88
°C;
注1
分钟。
马克斯。
20
15
2.5
70
300
150
175
V
V
V
单位
mA
mW
°C
°C
65
热阻
符号
R
第j个-S
记
1. T
s
是在集电极片的焊接点的温度。
参数
热阻结到
焊接点
条件
最多至T
s
= 88
°C;
注1
热阻
290 K / W
1995年9月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 9 GHz宽带晶体管
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
h
FE
C
e
C
c
C
re
f
T
G
UM
参数
集电极截止电流
直流电流增益
发射极电容
集电极电容
反馈电容
跃迁频率
最大单边
功率增益（注1 ）
BFG520 ; BFG520 / X ; BFG520 / XR
条件
I
E
= 0; V
CB
= 6 V
I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 6 V
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 0.5 V ; F = 1 MHz的
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 6 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 0; V
CB
= 6 V ; F = 1 MHz的
I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 6 V ; F = 1千兆赫;
T
AMB
= 25
°C
I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 6 V ; F = 900 MHz的;
T
AMB
= 25
°C
I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 6 V ; F = 2 GHz的;
T
AMB
= 25
°C
分钟。
60
17
典型值。
120
1
0.6
0.3
9
19
13
18
1.1
1.6
1.9
17
26
275
50
马克斯。
50
250
1.6
2.1
单位
nA
pF
pF
pF
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
mV
dB
S
21
2
F
插入功率增益
噪音科幻gure
I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 6 V ; F = 900 MHz的;
T
AMB
= 25
°C
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 5毫安; V
CE
= 6 V;
F = 900 MHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 6 V;
F = 900 MHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 5毫安; V
CE
= 6 V;
F = 2 GHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
P
L1
ITO
V
o
d
2
笔记
输出功率为1 dB增益
压缩
三阶截点
输出电压
二阶互调
失真
I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 6 V ;
L
= 50
;
F = 900 MHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
注2
注3
I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 6 V; V
o
= 75 mV的;
T
AMB
= 25
°C;
f
的（p + q）的
= 810兆赫
1. G
UM
是最大单边功率增益，假设S
12
是零和
2
S
21
-
G
UM
=
10日志
-------------------------------------------------------------
分贝。
2
2
1
–
S
11
1
–
S
22
2. I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 6 V ;
L
= 50
;
F = 900 MHz的;牛逼
AMB
= 25
°C;
f
p
= 900 MHz的; F
q
= 902 MHz的;
在F量度
(2pq)
= 898兆赫和f
(2qp)
= 904兆赫。
3. d
im
=
60
分贝（ DIN 45004B ） ;
V
p
= V
o
; V
q
= V
o
6
分贝; V
r
= V
o
6
分贝;
f
p
= 795.25兆赫; F
q
= 803.25兆赫; F
r
= 805.25兆赫;
在F量度
第（p +的q r）的
= 793.25兆赫
1995年9月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 9 GHz宽带晶体管
BFG520 ; BFG520 / X ; BFG520 / XR
手册， halfpage
400
MRA670-1
手册， halfpage
250
MRA671
P合计
（ mW）的
300
的hFE
200
150
200
100
100
50
0
0
50
100
150
TS （℃ ）
200
0
10
2
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
V
CE
= 6 V ;牛逼
j
= 25
°C.
图3功率降额曲线。
Fig.4
直流电流增益作为集电体的功能
电流。
手册， halfpage
0.6
MRA672
手册， halfpage
12
MRA673
CRE
（PF ）
0.4
fT
（千兆赫）
8
VCE = 6 V
VCE = 3V
0.2
4
0
0
4
8
VCB （ V）
12
0
10
1
1
10
IC （MA ）
10
2
I
C
= 0; F = 1兆赫。
F = 1千兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.5
反馈电容的一个函数
集电极 - 基极电压。
Fig.6
过渡频率的函数
集电极电流。
1995年9月
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