飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN宽带晶体管
特点
高功率增益
高效率
低噪声系数
高转换频率
发射器是热导
低反馈电容
线性和非线性操作。
手册， halfpage
BFG480W
钉扎
针
1
2
3
4
辐射源
BASE
辐射源
集热器
描述
3
4
应用
具有高线性系统的要求的RF前端
码分多址（CDMA ）
共射AB类驱动程序。
描述
NPN双重多晶硅宽带晶体管埋
层用于在4针的双发射极低压应用
SOT343R塑料封装。
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
C
P
合计
f
T
G
最大
F
G
p
η
C
参数
集电极 - 发射极电压开基
集电极电流（ DC ）
总功耗
跃迁频率
最大增益
噪音科幻gure
功率增益
收藏家EF网络效率
T
s
≤
60
°C
条件
80
I
C
= 80毫安; V
CE
= 2 V ; F = 2 GHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
21
I
C
= 80毫安; V
CE
= 2 V ; F = 2 GHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
16
I
C
= 8毫安; V
CE
= 2 V ; F = 2 GHz的;
Γ
S
=
Γ
选择
脉冲; AB类;
δ
< 1:2 ;吨
p
= 5毫秒;
V
CE
= 3.6 V ; F = 2 GHz的; P
L
= 100毫瓦
脉冲; AB类;
δ
< 1:2 ;吨
p
= 5毫秒;
V
CE
= 3.6 V ; F = 2 GHz的; P
L
= 100毫瓦
小心
此产品是在防静电包装供给以防止因运输过程中的静电放电损坏
和处理。欲了解更多信息，请参阅飞利浦规格： SNW -EQ- 608 SNW - FQ- 302A和SNW - FQ- 302B 。
1.8
13.5
45
典型值。
马克斯。
4.5
250
360
V
mA
mW
GHz的
dB
dB
dB
%
单位
2
顶视图
标识代码：
P6.
1
MSB842
Fig.1简化外形SOT343R 。
1998年10月21日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN宽带晶体管
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
h
FE
C
c
C
e
C
re
f
T
G
最大
S
21
F
2
BFG480W
参数
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极漏电流
直流电流增益
集电极电容
发射极电容
反馈电容
跃迁频率
最大功率增益;注1
插入功率增益
噪音科幻gure
条件
I
C
= 50
A;
I
E
= 0
I
E
= 100
A;
I
C
= 0
V
CE
= 5 V; V
BE
= 0
I
C
= 80毫安; V
CE
= 2 V ;见图3
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 2 V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 0.5 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 0; V
CB
= 2 V ; F = 1兆赫;
见图4
I
C
= 80毫安; V
CE
= 2 V ; F = 2 GHz的;
T
AMB
= 25
°C;
见图5
I
C
= 80毫安; V
CE
= 2 V ; F = 2 GHz的;
T
AMB
= 25
°C;
参见图7和图8
I
C
= 80毫安; V
CE
= 2 V ; F = 2 GHz的;
T
AMB
= 25
°C;
参见图8
I
C
= 8毫安; V
CE
= 2 V ; F = 900 MHz的;
Γ
S
=
Γ
选择
;见图13
I
C
= 8毫安; V
CE
= 2 V ; F = 2 GHz的;
Γ
S
=
Γ
选择
;见图13
分钟。
14.5
4.5
1
40
典型值。
60
1.4
2.2
340
21
16
12
1.2
1.8
20
28
马克斯。
70
100
单位
V
V
V
nA
pF
pF
fF
GHz的
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
集电极 - 发射极击穿电压余
C
= 5毫安;我
B
= 0
P
L1
ITO
笔记
输出功率为1 dB增益
压缩
三阶截点
AB类;
δ
< 1:2 ;吨
p
= 5毫秒;
V
CE
= 3.6 V ;我
CQ
= 1毫安; F = 2 GHz的
I
C
= 80毫安; V
CE
= 2 V ; F = 2 GHz的;
Z
S
= Z
S选择
; Z
L
= Z
L选择
;注意2
1. G
最大
是最大功率增益，如果满足K > 1.设K < 1则G
最大
=味精;参见图6，图7和图8 。
2. Z
S
针对噪声优化;
L
优化增益。
1998年10月21日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN宽带晶体管
特点
高功率增益
高效率
低噪声系数
高转换频率
发射器是热导
低反馈电容
线性和非线性操作。
手册， halfpage
BFG480W
钉扎
针
1
2
3
4
辐射源
BASE
辐射源
集热器
描述
3
4
应用
具有高线性系统的要求的RF前端
码分多址（CDMA ）
共射AB类驱动程序。
描述
NPN双重多晶硅宽带晶体管埋
层用于在4针的双发射极低压应用
SOT343R塑料封装。
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
C
P
合计
f
T
G
最大
F
G
p
η
C
参数
集电极 - 发射极电压开基
集电极电流（ DC ）
总功耗
跃迁频率
最大增益
噪音科幻gure
功率增益
收藏家EF网络效率
T
s
≤
60
°C
条件
80
I
C
= 80毫安; V
CE
= 2 V ; F = 2 GHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
21
I
C
= 80毫安; V
CE
= 2 V ; F = 2 GHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
16
I
C
= 8毫安; V
CE
= 2 V ; F = 2 GHz的;
Γ
S
=
Γ
选择
脉冲; AB类;
δ
< 1:2 ;吨
p
= 5毫秒;
V
CE
= 3.6 V ; F = 2 GHz的; P
L
= 100毫瓦
脉冲; AB类;
δ
< 1:2 ;吨
p
= 5毫秒;
V
CE
= 3.6 V ; F = 2 GHz的; P
L
= 100毫瓦
小心
此产品是在防静电包装供给以防止因运输过程中的静电放电损坏
和处理。欲了解更多信息，请参阅飞利浦规格： SNW -EQ- 608 SNW - FQ- 302A和SNW - FQ- 302B 。
1.8
13.5
45
典型值。
马克斯。
4.5
250
360
V
mA
mW
GHz的
dB
dB
dB
%
单位
2
顶视图
标识代码：
P6.
1
MSB842
Fig.1简化外形SOT343R 。
1998年10月21日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN宽带晶体管
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
h
FE
C
c
C
e
C
re
f
T
G
最大
S
21
F
2
BFG480W
参数
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极漏电流
直流电流增益
集电极电容
发射极电容
反馈电容
跃迁频率
最大功率增益;注1
插入功率增益
噪音科幻gure
条件
I
C
= 50
A;
I
E
= 0
I
E
= 100
A;
I
C
= 0
V
CE
= 5 V; V
BE
= 0
I
C
= 80毫安; V
CE
= 2 V ;见图3
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 2 V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 0.5 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 0; V
CB
= 2 V ; F = 1兆赫;
见图4
I
C
= 80毫安; V
CE
= 2 V ; F = 2 GHz的;
T
AMB
= 25
°C;
见图5
I
C
= 80毫安; V
CE
= 2 V ; F = 2 GHz的;
T
AMB
= 25
°C;
参见图7和图8
I
C
= 80毫安; V
CE
= 2 V ; F = 2 GHz的;
T
AMB
= 25
°C;
参见图8
I
C
= 8毫安; V
CE
= 2 V ; F = 900 MHz的;
Γ
S
=
Γ
选择
;见图13
I
C
= 8毫安; V
CE
= 2 V ; F = 2 GHz的;
Γ
S
=
Γ
选择
;见图13
分钟。
14.5
4.5
1
40
典型值。
60
1.4
2.2
340
21
16
12
1.2
1.8
20
28
马克斯。
70
100
单位
V
V
V
nA
pF
pF
fF
GHz的
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
集电极 - 发射极击穿电压余
C
= 5毫安;我
B
= 0
P
L1
ITO
笔记
输出功率为1 dB增益
压缩
三阶截点
AB类;
δ
< 1:2 ;吨
p
= 5毫秒;
V
CE
= 3.6 V ;我
CQ
= 1毫安; F = 2 GHz的
I
C
= 80毫安; V
CE
= 2 V ; F = 2 GHz的;
Z
S
= Z
S选择
; Z
L
= Z
L选择
;注意2
1. G
最大
是最大功率增益，如果满足K > 1.设K < 1则G
最大
=味精;参见图6，图7和图8 。
2. Z
S
针对噪声优化;
L
优化增益。
1998年10月21日
4
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