BFG424F
NPN 25 GHz宽带晶体管
牧师01 - 2006年3月21日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
NPN型双多晶硅宽带晶体管具有掩埋层为低电压应用
在塑料， 4针的双发射极SOT343F包。
小心
该器件对静电放电（ ESD ）很敏感。因此应注意
在运输和装卸。
MSC895
1.2产品特点
s
s
s
s
s
非常高的功率增益
低噪音音响gure
高转换频率
发射器是热导
低反馈电容
1.3应用
s
射频（ RF）前端的宽带应用，例如：
x
模拟和数字蜂窝式电话
x
无绳电话机（无绳电话（CT），个人手持电话
系统（PHS ） ，数字增强无绳通信（ DECT ） ，等等）
x
雷达探测器
x
寻呼机
x
卫星天线的电视（ SATV ）调谐器
x
高频率的振荡器例如介质谐振器振荡器（ DRO）的低噪声
块（ LNB ）
1.4快速参考数据
表1：
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
合计
快速参考数据
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
总功耗
T
sp
≤
90
°C
[1]
条件
发射极开路
开基
民
-
-
-
-
典型值
-
-
25
-
最大
10
4.5
30
135
单位
V
V
mA
mW
飞利浦半导体
BFG424F
NPN 25 GHz宽带晶体管
快速参考数据
- 续
参数
直流电流增益
集电极 - 基
电容
跃迁频率
最大功率增益
噪音科幻gure
条件
I
C
= 25毫安; V
CE
= 2 V;
T
j
= 25
°C
V
CB
= 2 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 25毫安; V
CE
= 2 V;
F = 2 GHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
I
C
= 25毫安; V
CE
= 2 V;
F = 2 GHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
I
C
= 2毫安; V
CE
= 2 V;
F = 2 GHz的;
Γ
S
=
Γ
选择
[2]
表1：
符号
h
FE
C
CBS
f
T
G
P（ MAX）的
NF
民
50
-
-
-
-
典型值
80
102
25
23
1.2
最大
120
-
-
-
-
单位
fF
GHz的
dB
dB
[1]
[2]
T
sp
是在发射极管脚的焊接点的温度。
G
P（ MAX）的
是最大功率增益，如果满足K > 1.设K < 1则G
P（ MAX）的
=最大稳定增益（MSG） ，见
网络连接gure 8 。
2.管脚信息
表2：
针
1
2
3
4
钉扎
描述
辐射源
BASE
辐射源
集热器
1, 3
2
1
mbb159
简化的轮廓
3
4
符号
4
2
3.订购信息
表3：
订购信息
包
名字
BFG424F
-
描述
塑料表面贴装佛罗里达州的驮包;逆转
寄托; 4引线
VERSION
SOT343F
类型编号
4.标记
表4：
BFG424F
[1]
* = P ：香港制造。
记号
标识代码
[1]
NE *
类型编号
BFG424F_1
皇家飞利浦电子有限公司2006年版权所有。
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2 13
飞利浦半导体
BFG424F
NPN 25 GHz宽带晶体管
5.极限值
表5：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
j
[1]
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
储存温度
结温
条件
发射极开路
开基
集电极开路
T
sp
≤
90
°C
[1]
民
-
-
-
-
-
65
-
最大
10
4.5
1
30
135
+150
150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
T
sp
是在发射极管脚的焊接点的温度。
6.热特性
表6：
符号
R
日（J -SP ）
[1]
热特性
参数
热阻结
焊锡点
条件
T
sp
≤
90
°C
[1]
典型值
340
单位
K / W
T
sp
是在发射极管脚的焊接点的温度。
200
P
合计
（ mW）的
150
001aad817
100
50
0
0
40
80
120
T
sp
(°C)
160
图1.功率降额曲线
BFG424F_1
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NPN 25 GHz宽带晶体管
40
I
C
（MA ）
30
001aad818
120
h
FE
001aad819
(1)
(2)
(3)
(4)
80
(1)
(2)
(3)
20
(5)
(6)
40
10
(7)
(8)
0
0
1
2
3
4
V
CE
(V)
5
0
0
10
20
30
I
C
（MA ）
40
(1) I
B
= 400
A
(2) I
B
= 350
A
(3) I
B
= 300
A
(4) I
B
= 250
A
(5) I
B
= 200
A
(6) I
B
= 150
A
(7) I
B
= 100
A
(8) I
B
= 50
A
(1) V
CE
= 3 V
(2) V
CE
= 2 V
(3) V
CE
= 1 V
图2.集电极电流的一个函数
集电极 - 发射极电压;典型值
200
C
CBS
(fF)
160
图3.直流电流增益集电器的功能
电流;典型值
001aad820
120
80
40
0
0
1
2
3
4
V
CB
(V)
5
F = 1 MHz的
图4.集电极 - 基极电容作为集电极 - 基极电压的函数;典型值
BFG424F_1
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产品数据表
1.产品廓
1.1概述
NPN型双多晶硅宽带晶体管具有掩埋层为低电压应用
在塑料， 4针的双发射极SOT343F包。
小心
该器件对静电放电（ ESD ）很敏感。因此应注意
在运输和装卸。
MSC895
1.2产品特点
s
s
s
s
s
非常高的功率增益
低噪音音响gure
高转换频率
发射器是热导
低反馈电容
1.3应用
s
射频（ RF）前端的宽带应用，例如：
x
模拟和数字蜂窝式电话
x
无绳电话机（无绳电话（CT），个人手持电话
系统（PHS ） ，数字增强无绳通信（ DECT ） ，等等）
x
雷达探测器
x
寻呼机
x
卫星天线的电视（ SATV ）调谐器
x
高频率的振荡器例如介质谐振器振荡器（ DRO）的低噪声
块（ LNB ）
1.4快速参考数据
表1：
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
合计
快速参考数据
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
总功耗
T
sp
≤
90
°C
[1]
条件
发射极开路
开基
民
-
-
-
-
典型值
-
-
25
-
最大
10
4.5
30
135
单位
V
V
mA
mW
飞利浦半导体
BFG424F
NPN 25 GHz宽带晶体管
快速参考数据
- 续
参数
直流电流增益
集电极 - 基
电容
跃迁频率
最大功率增益
噪音科幻gure
条件
I
C
= 25毫安; V
CE
= 2 V;
T
j
= 25
°C
V
CB
= 2 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 25毫安; V
CE
= 2 V;
F = 2 GHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
I
C
= 25毫安; V
CE
= 2 V;
F = 2 GHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
I
C
= 2毫安; V
CE
= 2 V;
F = 2 GHz的;
Γ
S
=
Γ
选择
[2]
表1：
符号
h
FE
C
CBS
f
T
G
P（ MAX）的
NF
民
50
-
-
-
-
典型值
80
102
25
23
1.2
最大
120
-
-
-
-
单位
fF
GHz的
dB
dB
[1]
[2]
T
sp
是在发射极管脚的焊接点的温度。
G
P（ MAX）的
是最大功率增益，如果满足K > 1.设K < 1则G
P（ MAX）的
=最大稳定增益（MSG） ，见
网络连接gure 8 。
2.管脚信息
表2：
针
1
2
3
4
钉扎
描述
辐射源
BASE
辐射源
集热器
1, 3
2
1
mbb159
简化的轮廓
3
4
符号
4
2
3.订购信息
表3：
订购信息
包
名字
BFG424F
-
描述
塑料表面贴装佛罗里达州的驮包;逆转
寄托; 4引线
VERSION
SOT343F
类型编号
4.标记
表4：
BFG424F
[1]
* = P ：香港制造。
记号
标识代码
[1]
NE *
类型编号
BFG424F_1
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飞利浦半导体
BFG424F
NPN 25 GHz宽带晶体管
5.极限值
表5：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
j
[1]
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
储存温度
结温
条件
发射极开路
开基
集电极开路
T
sp
≤
90
°C
[1]
民
-
-
-
-
-
65
-
最大
10
4.5
1
30
135
+150
150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
T
sp
是在发射极管脚的焊接点的温度。
6.热特性
表6：
符号
R
日（J -SP ）
[1]
热特性
参数
热阻结
焊锡点
条件
T
sp
≤
90
°C
[1]
典型值
340
单位
K / W
T
sp
是在发射极管脚的焊接点的温度。
200
P
合计
（ mW）的
150
001aad817
100
50
0
0
40
80
120
T
sp
(°C)
160
图1.功率降额曲线
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NPN 25 GHz宽带晶体管
40
I
C
（MA ）
30
001aad818
120
h
FE
001aad819
(1)
(2)
(3)
(4)
80
(1)
(2)
(3)
20
(5)
(6)
40
10
(7)
(8)
0
0
1
2
3
4
V
CE
(V)
5
0
0
10
20
30
I
C
（MA ）
40
(1) I
B
= 400
A
(2) I
B
= 350
A
(3) I
B
= 300
A
(4) I
B
= 250
A
(5) I
B
= 200
A
(6) I
B
= 150
A
(7) I
B
= 100
A
(8) I
B
= 50
A
(1) V
CE
= 3 V
(2) V
CE
= 2 V
(3) V
CE
= 1 V
图2.集电极电流的一个函数
集电极 - 发射极电压;典型值
200
C
CBS
(fF)
160
图3.直流电流增益集电器的功能
电流;典型值
001aad820
120
80
40
0
0
1
2
3
4
V
CB
(V)
5
F = 1 MHz的
图4.集电极 - 基极电容作为集电极 - 基极电压的函数;典型值
BFG424F_1
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5 13
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