BFG325/XR
NPN 14 GHz宽带晶体管
版本01 - 2005年2月2日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
在一个4针双发射SOT143R塑料封装的NPN硅平面外延晶体管。
1.2产品特点
s
s
s
s
高功率增益
低噪音音响gure
高转换频率
镀金保证了出色的可靠性
1.3应用
s
用于射频（ RF）前端的应用程序，在GHz范围内，例如：
x
模拟和数字蜂窝式电话
x
无绳电话（无绳电话（ CT ） ，个人通信
网络（ PCN ） ，数字增强无绳通信（ DECT ） ，等等）
x
雷达探测器
x
寻呼机
x
卫星天线电视（ SATV ）调谐器
x
在网络BER光学系统中继放大器器
1.4快速参考数据
表1：
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
合计
h
FE
C
CBS
f
T
G
最大
快速参考数据
条件
发射极开路
开基
T
sp
≤
90
°C
I
C
= 15毫安; V
CE
= 3 V;
T
j
= 25
°C
V
CB
= 5 V ; F = 1兆赫;
发射极接地
I
C
= 15毫安; V
CE
= 3 V;
F = 1千兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C
I
C
= 15毫安; V
CE
= 3 V;
F = 1.8 GHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
[1]
符号参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流（ DC ）
总功耗
直流电流增益
集电极 - 基
电容
跃迁频率
最大功率增益
[2]
民
-
-
-
-
60
-
-
-
典型值
-
-
-
-
100
0.26
14
18.3
最大
15
6
35
210
200
0.4
-
-
单位
V
V
mA
mW
pF
GHz的
dB
飞利浦半导体
BFG325/XR
NPN 14 GHz宽带晶体管
快速参考数据
- 续
条件
I
C
= 15毫安; V
CE
= 3 V;
F = 1.8 GHz的;牛逼
AMB
= 25
°C;
Z
S
= Z
L
= 50
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 3毫安;
V
CE
= 3 V ; F = 2 GHz的
民
-
典型值
14
最大
-
单位
dB
插入功率增益
表1：
|s
21
|
2
符号参数
NF
噪音科幻gure
-
1.1
-
dB
[1]
[2]
T
sp
是在集电针的焊接点的温度。
G
最大
是最大功率增益，如果满足K > 1.设K < 1则G
最大
=味精，见
图4中。
2.管脚信息
表2：
针
1
2
3
4
钉扎
描述
集热器
辐射源
BASE
辐射源
2
1
2, 4
sym086
简化的轮廓
3
4
符号
1
3
3.订购信息
表3：
订购信息
包
名字
BFG325/XR
描述
VERSION
SOT143R
SC- 61AA塑料表面贴装封装;反向牵制;
4引线
类型编号
4.标记
表4：
标记代码
标识代码
[1]
S2*
类型编号
BFG325/XR
[1]
* = P ：香港制造。
5.极限值
表5：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
9397 750 14247
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
条件
发射极开路
开基
集电极开路
民
-
-
-
最大
15
6
2
单位
V
V
V
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2 12
飞利浦半导体
BFG325/XR
NPN 14 GHz宽带晶体管
表5：
极限值
- 续
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
I
C
P
合计
T
英镑
T
j
[1]
参数
集电极电流（ DC ）
总功耗
储存温度
结温
条件
T
sp
≤
90
°C
[1]
民
-
-
65
-
最大
35
210
+175
175
单位
mA
mW
°C
°C
T
sp
是在集电针的焊接点的温度。
6.热特性
表6：
R
日（J -SP ）
[1]
热特性
条件
T
sp
≤
90
°C
[1]
符号参数
从结热阻到焊点
典型值
405
单位
K / W
T
sp
是在集电针的焊接点的温度。
7.特点
表7：
特征
T
j
= 25
°
℃;除非另有规定ED 。
符号参数
I
CBO
h
FE
C
CBS
C
CES
C
EBS
f
T
G
最大
|s
21
|
2
集电极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 基极电容
集电极 - 发射极电容
发射极 - 基极电容
跃迁频率
最大功率增益
[1]
插入功率增益
条件
I
E
= 0 ; V
CB
= 5 V
I
C
= 15毫安; V
CE
= 3 V
V
CB
= 5 V ; F = 1兆赫;发射极接地
V
CE
= 5 V ; F = 1兆赫;底座接地
V
EB
= 0.5 V ; F = 1兆赫;集电极接地
I
C
= 15毫安; V
CE
= 3 V ; F = 1千兆赫;
T
AMB
= 25
°C
I
C
= 15毫安; V
CE
= 3 V ; F = 1.8 GHz的;
T
AMB
= 25
°C
I
C
= 15毫安; V
CE
= 3 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
Z
S
= Z
L
= 50
F = 1.8 GHz的
F = 3 GHz的
NF
P
L(1dB)
IP3
噪音科幻gure
输出功率为1 dB增益
压缩
三阶截点
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 3毫安; V
CE
= 3 V ; F = 2 GHz的
I
C
= 15毫安; V
CE
= 3 V ; F = 1.8 GHz的;
T
AMB
= 25
°C;
Z
S
= Z
L
= 50
I
C
= 15毫安; V
CE
= 3 V ; F = 1.8 GHz的;
T
AMB
= 25
°C;
Z
S
= Z
L
= 50
-
-
-
-
-
14
10
1.1
8.7
19.4
-
-
-
-
-
dB
dB
dB
DBM
DBM
民
-
60
-
-
-
-
-
典型值
-
100
0.26
0.27
0.53
14
18.3
最大
15
200
0.4
-
-
-
-
pF
pF
pF
GHz的
dB
单位
nA
[1]
G
最大
是最大功率增益，如果满足K > 1.设K < 1则G
最大
=味精，见
图4中。
1
+
Ds
–
s
11
–
s
22
K是罗列特稳定系数：
K
=
----------------------------------------------------------
哪里
Ds
=
s
11
×
s
22
–
s
12
×
s
21
.
-
2
×
s
21
×
s
12
味精=最大稳定增益。
2
2
2
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飞利浦半导体
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NPN 14 GHz宽带晶体管
90°
+1
135°
+0.5
+2
45°
1.0
0.8
0.6
+0.2
0.4
0.2
180°
0
0.2
0.5
1
2
5
10
0°
0
3 GHz的
+5
40 MHZ
0.2
5
135°
0.5
1
90°
2
45°
1.0
001aac151
V
CE
= 3 V ;我
C
= 15毫安;
o
= 50
.
图5.共射输入重挠度COEF网络cient （S
11
） ;典型值
90°
135°
45°
40 MHZ
180°
50
40
30
20
10
0 3 GHz的
0°
135°
45°
90°
001aac152
V
CE
= 3 V ;我
C
= 15 mA的电流。
图6.通用发射器正向传输COEF网络cient （S
21
） ;典型值
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