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BFG310/XR
NPN 14 GHz宽带晶体管
版本01 - 2005年2月2日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
在一个4针双发射SOT143R塑料封装的NPN硅平面外延晶体管。
1.2产品特点
s
s
s
s
高功率增益
低噪音音响gure
高转换频率
镀金保证了出色的可靠性
1.3应用
s
用于射频( RF)前端的应用程序,在GHz范围内,例如:
x
模拟和数字蜂窝式电话
x
无绳电话(无绳电话( CT ) ,个人通信
网络( PCN ) ,数字增强无绳通信( DECT ) ,等等)
x
雷达探测器
x
寻呼机
x
卫星天线电视( SATV )调谐器
x
在网络BER光学系统中继放大器器
1.4快速参考数据
表1:
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
合计
h
FE
C
CBS
f
T
快速参考数据
条件
发射极开路
开基
T
sp
145
°C
I
C
= 5毫安; V
CE
= 3 V;
T
j
= 25
°C
V
CB
= 5 V ; F = 1兆赫;
发射极接地
I
C
= 5毫安; V
CE
= 3 V;
F = 1千兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C
[1]
符号参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流( DC )
总功耗
直流电流增益
集电极 - 基
电容
跃迁频率
-
-
-
-
60
-
-
典型值
-
-
-
-
100
0.17
14
最大
15
6
10
60
200
0.3
-
单位
V
V
mA
mW
pF
GHz的
飞利浦半导体
BFG310/XR
NPN 14 GHz宽带晶体管
快速参考数据
- 续
条件
I
C
= 5毫安; V
CE
= 3 V;
F = 1.8 GHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
I
C
= 5毫安; V
CE
= 3 V;
F = 1.8 GHz的;牛逼
AMB
= 25
°C;
Z
S
= Z
L
= 50
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 1毫安;
V
CE
= 3 V ; F = 2 GHz的
-
-
典型值
18
14
最大
-
-
单位
dB
dB
最大稳定增益
插入功率增益
表1:
味精
|s
21
|
2
符号参数
NF
噪音科幻gure
-
1
-
dB
[1]
T
sp
是在集电针的焊接点的温度。
2.管脚信息
表2:
1
2
3
4
钉扎
描述
集热器
辐射源
BASE
辐射源
2
1
2, 4
sym086
简化的轮廓
3
4
符号
1
3
3.订购信息
表3:
订购信息
名字
BFG310/XR
描述
VERSION
SOT143R
SC- 61AA塑料表面贴装封装;反向牵制;
4引线
类型编号
4.标记
表4:
标记代码
标识代码
[1]
S1*
类型编号
BFG310/XR
[1]
* = P :香港制造。
9397 750 14244
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版本01 - 2005年2月2日
2 12
飞利浦半导体
BFG310/XR
NPN 14 GHz宽带晶体管
5.极限值
表5:
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
j
[1]
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
总功耗
储存温度
结温
条件
发射极开路
开基
集电极开路
T
sp
145
°C
[1]
-
-
-
-
-
65
-
最大
15
6
2
10
60
+175
175
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
T
sp
是在集电针的焊接点的温度。
6.热特性
表6:
R
日(J -SP )
[1]
热特性
条件
T
sp
145
°C
[1]
符号参数
从结热阻到焊点
典型值
530
单位
K / W
T
sp
是在集电针的焊接点的温度。
7.特点
表7:
特征
T
j
= 25
°
℃;除非另有规定ED 。
符号参数
I
CBO
h
FE
C
CBS
C
CES
C
EBS
f
T
味精
|s
21
|
2
集电极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 基极电容
集电极 - 发射极电容
发射极 - 基极电容
跃迁频率
最大稳定增益
插入功率增益
条件
I
E
= 0 ; V
CB
= 5 V
I
C
= 5毫安; V
CE
= 3 V
V
CB
= 5 V ; F = 1兆赫;发射极接地
V
CE
= 5 V ; F = 1兆赫;底座接地
V
EB
= 0.5 V ; F = 1兆赫;集电极接地
I
C
= 5毫安; V
CE
= 3 V ; F = 1千兆赫;
T
AMB
= 25
°C
I
C
= 5毫安; V
CE
= 3 V ; F = 1.8 GHz的;
T
AMB
= 25
°C
I
C
= 5毫安; V
CE
= 3 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
Z
S
= Z
L
= 50
F = 1.8 GHz的
F = 3 GHz的
NF
P
L(1dB)
IP3
噪音科幻gure
输出功率为1 dB增益
压缩
三阶截点
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 1毫安; V
CE
= 3 V ; F = 2 GHz的
I
C
= 5毫安; V
CE
= 3 V ; F = 1.8 GHz的;
T
AMB
= 25
°C;
Z
S
= Z
L
= 50
I
C
= 5毫安; V
CE
= 3 V ; F = 1.8 GHz的;
T
AMB
= 25
°C;
Z
S
= Z
L
= 50
-
-
-
-
-
14
11
1
1.8
8.5
-
-
-
-
-
dB
dB
dB
DBM
DBM
-
60
-
-
-
-
-
典型值
-
100
0.17
0.28
0.22
14
18
最大
15
200
0.3
-
-
-
-
pF
pF
pF
GHz的
dB
单位
nA
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NPN 14 GHz宽带晶体管
P
合计
( mW)的
60
50
70
001aac169
10
I
C
(MA )
8
I
B
= 120
A
100
A
80
A
001aac170
40
30
20
6
60
A
4
40
A
20
A
2
10
0
0
50
100
150
T
sp
(°C)
200
0
0
1
2
3
4
5
V
CE
(V)
6
图1.功率降额曲线
图2.集电极电流的一个函数
集电极 - 发射极电压;典型值
001aac171
0.20
C
CBS
(PF )
0.19
40
G
( dB)的
30
味精
001aac172
0.18
20
0.17
10
0.16
s
21 2
0.15
0
1
2
3
4
V
CB
(V)
5
0
10
10
2
10
3
F(兆赫)
10
4
I
C
= 0 mA时; F = 1兆赫。
I
C
= 5毫安; V
CE
= 3 V.
图3.集电极 - 基极电容的一个函数
集电极 - 基极电压;典型值
图4增益是频率的函数;典型值
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90°
+1
135°
+0.5
+2
45°
1.0
0.8
0.6
+0.2
0.4
0.2
180°
0
0.2
3 GHz的
0.5
1
2
5
40 MHZ
10
0
+5
0.2
5
135°
0.5
1
90°
2
45°
1.0
001aac173
V
CE
= 3 V ;我
C
= 5毫安;
o
= 50
.
图5.共射输入重挠度COEF网络cient (S
11
) ;典型值
90°
135°
45°
180°
20
16
12
8
40 MHZ
4
0
3 GHz的
135°
45°
90°
001aac174
V
CE
= 3 V ;我
C
= 5毫安。
图6.通用发射器正向传输COEF网络cient (S
21
) ;典型值
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