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数据表
书， halfpage
M3D123
BFG25AW ; BFG25AW / X
NPN 5 GHz宽带晶体管
产品speci fi cation
取代1995年8月数据
1998年09月23日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 5 GHz宽带晶体管
特点
低电流消耗
(100
A
至1 mA ）
低噪声系数
黄金金属确保
出色的可靠性。
应用
宽带超高频应用的低
功率放大器，如口袋
电话和寻呼系统。
描述
NPN硅平面外延型晶体管
在一个4针双发射SOT343N
塑料封装。
快速参考数据
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
合计
h
FE
C
re
f
T
G
UM
F
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流（ DC ）
总功耗
直流电流增益
反馈电容
跃迁频率
最大单边
功率增益
噪音科幻gure
T
s
≤
85
°C
I
C
= 0.5毫安; V
CE
= 1 V
I
C
= 0; V
CE
= 1V ; F = 1 MHz的
发射极开路
开基
条件
钉扎
针
BFG25AW
1
2
3
4
集热器
BASE
辐射源
辐射源
描述
BFG25AW ; BFG25AW / X
fpage
4
3
1
顶视图
2
MBK523
BFG25AW/X
1
2
3
4
集热器
辐射源
BASE
辐射源
图1 SOT343N 。
记号
类型编号
BFG25AW
BFG25AW/X
CODE
N6
V1
分钟。
50
典型值。
80
0.2
5
16
2
MAX 。 UNIT
8
5
6.5
500
200
0.3
pF
GHz的
dB
dB
V
V
mA
mW
I
C
= 1毫安; V
CE
= 1V ; F = 500 MHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
3.5
I
C
= 0.5毫安; V
CE
= 1V ; F = 1千兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C
Γ
s
= Γ
选择
; I
C
= 1毫安; V
CE
= 1V ; F = 1 GHz的
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
j
记
1. T
s
是在集电针的焊接点的温度。
1998年09月23日
2
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
总功耗
储存温度
结温
T
s
≤
85
°C;
见图2 ;注1
开基
集电极开路
条件
发射极开路
65
分钟。
8
5
2
6.5
500
+150
175
马克斯。
V
V
V
mA
mW
°C
°C
单位
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 5 GHz宽带晶体管
热特性
符号
R
第j个-S
记
1. T
s
是在集电针的焊接点的温度。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
h
FE
C
re
f
T
G
UM
参数
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家泄漏电流
直流电流增益
反馈电容
跃迁频率
最大单边功率增益;
注1
条件
I
C
= 100
A;
I
E
= 0
I
E
= 100
A;
I
C
= 0
参数
BFG25AW ; BFG25AW / X
条件
价值
180
单位
K / W
从结热阻焊接点T
s
≤
85
°C;
注1
分钟。
50
3.5
典型值。
80
0.2
5
16
8
1.9
2
马克斯。
8
5
2
50
200
0.3
单位
V
V
V
nA
pF
GHz的
dB
dB
dB
dB
集电极 - 发射极击穿电压余
C
= 1毫安;我
B
= 0
发射极开路; V
CB
= 5 V ;我
E
= 0
I
C
= 0.5毫安; V
CE
= 1 V
I
C
= 0; V
CE
= 1V ; F = 1 MHz的
I
C
= 1毫安; V
CE
= 1V ; F = 1千兆赫;
T
AMB
= 25
°C
I
C
= 0.5毫安; V
CE
= 1 V;
F = 1千兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C
I
C
= 0.5毫安; V
CE
= 1 V;
F = 2 GHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
F
噪音科幻gure
Γ
s
= Γ
选择
; I
C
= 0.5毫安; V
CE
= 1 V;
F = 1 GHz的
Γ
s
= Γ
选择
; I
C
= 1毫安; V
CE
= 1 V;
F = 1 GHz的
记
1. G
UM
是最大单边功率增益，假设S
12
是零。
UM
S
21 2
=
10日志------------------------------------------------ --------------分贝。
(
1
–
S
11 2
) (
1
–
S
22 2
)
1998年09月23日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 5 GHz宽带晶体管
BFG25AW ; BFG25AW / X
手册， halfpage
600
MBG248
手册， halfpage
100
MCD138
P合计
（ mW）的
400
^ h FE
80
60
40
200
20
0
0
50
100
150
牛逼S（
o
C)
200
0
10
3
10
2
10
1
1
I C （毫安）
10
V
CE
= 1 V.
Fig.3
图2功率降额曲线。
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
手册， halfpage
0.3
MLB971
手册， halfpage
6
MLB972
CRE
（PF ）
0.2
fT
（千兆赫）
4
0.1
2
0
0
2
4
VCE （ V）
6
0
0
1
2
3 I （毫安） 4
C
I
C
= 0; F = 1兆赫。
F = 500 MHz的; V
CE
= 1V ;牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.4
反馈电容的一个函数
集电极 - 基极电压;典型值。
Fig.5
过渡频率的函数
集电极电流;典型值。
1998年09月23日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 5 GHz宽带晶体管
BFG25AW ; BFG25AW / X
手册， halfpage
30
MLB973
手册， halfpage
30
MLB974
收益
（ dB）的
20
摹UM
味精
收益
（ dB）的
20
摹UM
味精
10
10
0
0
1
0
2
I C （毫安）
3
0
1
2
I C （毫安）
3
F = 500 MHz的; V
CE
= 1 V.
F = 1千兆赫; V
CE
= 1 V.
Fig.6
增益集电极电流的功能;
典型值。
Fig.7
增益集电极电流的功能;
典型值。
手册， halfpage
50
MLB975
收益
（ dB）的
手册， halfpage
50
MLB976
收益
（ dB）的
40
摹UM
40
摹UM
30
味精
20
30
味精
20
10
10
0
10
10
2
10
3
F（兆赫）
10
4
0
10
10
2
10
3
F（兆赫）
10
4
I
C
= 0.5毫安; V
CE
= 1 V.
I
C
= 1毫安; V
CE
= 1 V.
Fig.8
获得作为频率的函数;
典型值。
Fig.9
获得作为频率的函数;
典型值。
1998年09月23日
5
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BSM191F
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