【分立半导体数据表BFG25A/XNPN 5 GHz宽带晶体管产品speci fi cation取代1】,IC型号BFG25,BFG25 PDF资料,BFG25经销商,ic,电子元器件-51电子网

分立半导体

数据表

BFG25A/X

NPN 5 GHz宽带晶体管

产品speci fi cation

取代1995年9月数据

在分立半导体的文件， SC14

1997年10月29日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN 5 GHz宽带晶体管

特点

低电流消耗

(100

至1 mA ）

低噪声系数

黄金金属确保

出色的可靠性。

应用

射频低功率的放大器，如

口袋里的电话，传呼

系统，具有信号频率

高达2 GHz 。

描述

硅NPN宽带晶体管的

四引脚双发射SOT143B

塑料封装（横发射器）。

钉扎

针

描述

集热器

辐射源

BASE

辐射源

顶视图

BFG25A/X

手册， 2列

MSB014

标识代码：

V11.

图1 SOT143B 。

快速参考数据

符号

CBO

首席执行官

合计

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流（ DC ）

总功耗

直流电流增益

跃迁频率

最大单边功率增益

噪音科幻gure

≤

165

°C

= 0.5毫安; V

= 1 V

= 1毫安; V

= 1 V;

F = 500 MHz的;牛逼

AMB

= 25

°C

= 0.5毫安; V

= 1 V;

F = 1千兆赫;牛逼

AMB

= 25

°C

= 0.5毫安; V

= 1 V;

F = 1千兆赫;

选择

; T

AMB

= 25

°C

= 1毫安; V

= 1V ; F = 1千兆赫;

选择

; T

AMB

= 25

°C

条件

3.5

分钟。

1.8

典型值。

马克斯。

6.5

200

GHz的

单位

1997年10月29日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN 5 GHz宽带晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

CBO

首席执行官

EBO

合计

英镑

记

1. T

是在集电针的焊接点的温度。

热特性

符号

第j个-S

记

1. T

是在集电针的焊接点的温度。

特征

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

CBO

参数

收藏家泄漏电流

直流电流增益

反馈电容

跃迁频率

最大单边功率增益

（注1 ）

噪音科幻gure

条件

= 0; V

= 5 V

= 0.5毫安; V

= 1 V

= i

= 0; V

= 1V ; F = 1 MHz的

= 1毫安; V

= 1 V;

AMB

= 25

°C;

F = 500 MHz的

= 0.5毫安; V

= 1 V;

F = 1千兆赫;牛逼

AMB

= 25

°C

= 0.5毫安; V

= 1V ; F = 1千兆赫;

选择

; T

AMB

= 25

°C

= 1毫安; V

= 1V ; F = 1千兆赫;

选择

; T

AMB

= 25

°C

记

1. G

是最大单边功率增益，假设S

是零和G

分钟。

3.5

典型值。

0.21

1.8

参数

条件

价值

320

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

总功耗

储存温度

结温

≤

165

°C;

注1

开基

集电极开路

条件

发射极开路

分钟。

BFG25A/X

马克斯。

单位

6.5

150

175

°C

单位

K / W

从结热阻焊接点钞1

马克斯。

200

0.3

单位

GHz的

10日志------------------------------------------------ -------------分贝

–

1997年10月29日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN 5 GHz宽带晶体管

BFG25A/X

MRC038 - 1

手册，

halfpage

手册， halfpage

100

MCD138

P合计

（ mW）的

^ h FE

100

150

TS （℃ ）

200

I C （毫安）

= 1 V.

Fig.3

图2功率降额曲线。

直流电流增益作为集电体的功能

电流;典型值。

0.3

手册， halfpage

c重新

（PF ）

0.2

MCD139

手册， halfpage

MCD140

（千兆赫）

0.1

VCB （ V）

I C （毫安）

= i

= 0; F = 1兆赫。

= 1V ; F = 500 MHz的;牛逼

AMB

= 25

°C.

Fig.4

反馈电容的一个函数

集电极 - 基极电压;典型值。

Fig.5

过渡频率的函数

集电极电流;典型值。

1997年10月29日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN 5 GHz宽带晶体管

BFG25A/X

手册， halfpage

MCD141

手册，

halfpage

MCD142

收益

（ dB）的

摹UM

收益

（ dB）的

摹UM

味精

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

I C （毫安）

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

I C （毫安）

= 1V ; F = 500兆赫。

GUM =最大单边功率增益;

味精=最大稳定增益。

= 1V ; F = 1千兆赫。

GUM =最大单边功率增益;

味精=最大稳定增益。

Fig.6

增益集电极电流的功能;

典型值。

Fig.7

增益集电极电流的功能;

典型值。

手册，

halfpage

MCD143

收益

（ dB）的

摹UM

手册，

halfpage

MCD144

收益

（ dB）的

摹UM

味精

F（兆赫）

= 0.5毫安; V

= 1 V.

GUM =最大单边功率增益;

味精=最大稳定增益。

= 1毫安; V

= 1 V.

GUM =最大单边功率增益;

味精=最大稳定增益。

Fig.8

获得作为频率的函数;

典型值。

Fig.9

获得作为频率的函数;

典型值。

1997年10月29日

分立半导体

数据表

BFG25A/X

NPN 5 GHz宽带晶体管

产品speci fi cation

取代1995年9月数据

在分立半导体的文件， SC14

1997年10月29日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN 5 GHz宽带晶体管

特点

低电流消耗

(100

至1 mA ）

低噪声系数

黄金金属确保

出色的可靠性。

应用

射频低功率的放大器，如

口袋里的电话，传呼

系统，具有信号频率

高达2 GHz 。

描述

硅NPN宽带晶体管的

四引脚双发射SOT143B

塑料封装（横发射器）。

钉扎

针

描述

集热器

辐射源

BASE

辐射源

顶视图

BFG25A/X

手册， 2列

MSB014

标识代码：

V11.

图1 SOT143B 。

快速参考数据

符号

CBO

首席执行官

合计

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流（ DC ）

总功耗

直流电流增益

跃迁频率

最大单边功率增益

噪音科幻gure

≤

165

°C

= 0.5毫安; V

= 1 V

= 1毫安; V

= 1 V;

F = 500 MHz的;牛逼

AMB

= 25

°C

= 0.5毫安; V

= 1 V;

F = 1千兆赫;牛逼

AMB

= 25

°C

= 0.5毫安; V

= 1 V;

F = 1千兆赫;

选择

; T

AMB

= 25

°C

= 1毫安; V

= 1V ; F = 1千兆赫;

选择

; T

AMB

= 25

°C

条件

3.5

分钟。

1.8

典型值。

马克斯。

6.5

200

GHz的

单位

1997年10月29日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN 5 GHz宽带晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

CBO

首席执行官

EBO

合计

英镑

记

1. T

是在集电针的焊接点的温度。

热特性

符号

第j个-S

记

1. T

是在集电针的焊接点的温度。

特征

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

CBO

参数

收藏家泄漏电流

直流电流增益

反馈电容

跃迁频率

最大单边功率增益

（注1 ）

噪音科幻gure

条件

= 0; V

= 5 V

= 0.5毫安; V

= 1 V

= i

= 0; V

= 1V ; F = 1 MHz的

= 1毫安; V

= 1 V;

AMB

= 25

°C;

F = 500 MHz的

= 0.5毫安; V

= 1 V;

F = 1千兆赫;牛逼

AMB

= 25

°C

= 0.5毫安; V

= 1V ; F = 1千兆赫;

选择

; T

AMB

= 25

°C

= 1毫安; V

= 1V ; F = 1千兆赫;

选择

; T

AMB

= 25

°C

记

1. G

是最大单边功率增益，假设S

是零和G

分钟。

3.5

典型值。

0.21

1.8

参数

条件

价值

320

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

总功耗

储存温度

结温

≤

165

°C;

注1

开基

集电极开路

条件

发射极开路

分钟。

BFG25A/X

马克斯。

单位

6.5

150

175

°C

单位

K / W

从结热阻焊接点钞1

马克斯。

200

0.3

单位

GHz的

10日志------------------------------------------------ -------------分贝

–

1997年10月29日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN 5 GHz宽带晶体管

BFG25A/X

MRC038 - 1

手册，

halfpage

手册， halfpage

100

MCD138

P合计

（ mW）的

^ h FE

100

150

TS （℃ ）

200

I C （毫安）

= 1 V.

Fig.3

图2功率降额曲线。

直流电流增益作为集电体的功能

电流;典型值。

0.3

手册， halfpage

c重新

（PF ）

0.2

MCD139

手册， halfpage

MCD140

（千兆赫）

0.1

VCB （ V）

I C （毫安）

= i

= 0; F = 1兆赫。

= 1V ; F = 500 MHz的;牛逼

AMB

= 25

°C.

Fig.4

反馈电容的一个函数

集电极 - 基极电压;典型值。

Fig.5

过渡频率的函数

集电极电流;典型值。

1997年10月29日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN 5 GHz宽带晶体管

BFG25A/X

手册， halfpage

MCD141

手册，

halfpage

MCD142

收益

（ dB）的

摹UM

收益

（ dB）的

摹UM

味精

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

I C （毫安）

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

I C （毫安）

= 1V ; F = 500兆赫。

GUM =最大单边功率增益;

味精=最大稳定增益。

= 1V ; F = 1千兆赫。

GUM =最大单边功率增益;

味精=最大稳定增益。

Fig.6

增益集电极电流的功能;

典型值。

Fig.7

增益集电极电流的功能;

典型值。

手册，

halfpage

MCD143

收益

（ dB）的

摹UM

手册，

halfpage

MCD144

收益

（ dB）的

摹UM

味精

F（兆赫）

= 0.5毫安; V

= 1 V.

GUM =最大单边功率增益;

味精=最大稳定增益。

= 1毫安; V

= 1 V.

GUM =最大单边功率增益;

味精=最大稳定增益。

Fig.8

获得作为频率的函数;

典型值。

Fig.9

获得作为频率的函数;

典型值。

1997年10月29日