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BFG 194
PNP硅晶体管RF
适用于低失真宽带放大器
天线和电信系统了
1.5 GHz的从20毫安集电极电流
80mA的
防静电：静电放电
敏感的设备，观察处理防范！
TYPE
订购代码标识
引脚配置
BFG 194
BFG194 Q62702 - F1321
1=E
2=B
3=E
4=C
包
SOT-223
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
符号
值
15
20
3
100
10
mW
1000
150
- 65 ... + 150
- 65 ... + 150
≤
75
°C
mA
单位
V
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
j
T
A
T
英镑
1)
T
S
≤
75 °C
结温
环境温度
储存温度
热阻
结 - 焊接点
R
thjs
K / W
1)
T
S
是在焊接点上的印刷电路板测量的集电极引线。
半导体集团
1
Aug-22-1996
BFG 194
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
（ BR ） CEO
15
-
-
-
50
-
V
nA
-
100
A
-
1
-
15
-
I
C
= 1毫安，
I
B
= 0
集电极 - 基极截止电流
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CB
= 10 V,
I
E
= 0
发射基截止电流
V
EB
= 2 V,
I
C
= 0
直流电流增益
I
C
= 70毫安，
V
CE
= 8 V
半导体集团
2
Aug-22-1996
BFG 194
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
AC特性
跃迁频率
值
典型值。
马克斯。
单位
f
T
3.5
5
1.4
0.4
4.7
-
GHz的
pF
-
2
-
-
dB
-
-
2.8
4.7
-
-
I
C
= 70毫安，
V
CE
= 8 V,
f
= 500 MHz的
集电极 - 基极电容
C
cb
C
ce
-
V
CB
= 10 V,
V
BE
=
v
be
= 0 ,
f
= 1兆赫
集电极 - 发射极电容
V
CE
= 10 V,
V
BE
=
v
be
= 0 ,
f
= 1兆赫
发射极 - 基极电容
C
eb
-
V
EB
= 0.5 V,
V
CB
=
v
cb
= 0 ,
f
= 1兆赫
噪声系数
F
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
SOPT
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
功率增益
2)
G
ma
I
C
= 70毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
SOPT
Z
L
=
Z
LOPT
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
传感器增益
|S
21e
|
2
-
-
8
3
-
-
-
-
11
6.5
-
-
I
C
= 70毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
= 50
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
2)
G
ma
= |S
21
/S
12
| (k-(k
2
-1)
1/2
)
半导体集团
3
Aug-22-1996
BFG 194
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*,
T
S
)
*包装安装在环氧
1200
mW
1000
P
合计
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
20
40
60
80
100
120 °C 150
T
A
,T
S
T
S
T
A
允许的脉冲负载
R
thjs
=
f
(t
p
)
允许的脉冲负载
P
totmax
/P
totDC
=
f
(t
p
)
10
2
10
2
R
thjs
K / W
P
totmax
/P
totDC
-
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
10
1
10
0
-7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10 s 10
t
p
-1
0
10
0
-7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10 s 10
t
p
-1
0
半导体集团
4
Aug-22-1996
BFG 194
集电极 - 基极电容
C
cb
=
f
(V
CB
)
V
BE
=
v
be
= 0,
f
= 1MHz的
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CE
=参数
4.0
5.5
GHz的
pF
10V
8V
5V
C
cb
3.0
f
T
4.5
4.0
2.5
3.5
2.0
3.0
1.5
2.5
1.0
2.0
1.5
1.0
0
4
8
12
16
V
V
R
22
0
20
40
60
80
0.7V
1V
3V
2V
0.5
0.0
mA
I
C
120
功率增益
G
ma
,
G
ms
=
F（我
C
)
f
= 0.9GHz
V
CE
=参数
12
5V
dB
10V
功率增益
G
ma
,
G
ms
=
F（我
C
)
f
= 1.8GHz的
V
CE
=参数
7.0
10V
dB
3V
2V
5V
3V
2V
G
G
5.0
8
4.0
6
1V
3.0
2.0
4
0.7V
2
0.0
0
0
20
40
60
80
mA
I
C
120
-1.0
0
1.0
0.7V
1V
20
40
60
80
mA
I
C
120
半导体集团
5
Aug-22-1996
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B66232B1114T001
BU4932F
B41888E4398M002
BZY97C100GP
BS-AA23RD
B82801B0324A040
BYT08PI-1000RG
BLM15HD601SN1
BF014E0223K
供货商
型号
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封装
单价/备注
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    BFG194
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