飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 3 GHz的宽带晶体管
热特性
符号
R
第j个-S
记
1. T
s
是在集电极片的焊接点的温度。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
h
FE
f
T
C
c
C
e
C
re
G
UM
F
V
o
笔记
1. G
UM
是最大单边功率增益，假设S
12
是零和G
UM
参数
集电极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
集电极电容
发射极电容
反馈电容
最大单边功率增益
（注1 ）
噪音科幻gure
输出电压
条件
I
E
= 0; V
CB
= 10 V
I
C
= 25毫安; V
CE
= 1 V;
T
AMB
= 25
°C
I
C
= 25毫安; V
CE
= 5 V;
F = 500 MHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
I
E
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1兆赫;
T
AMB
= 25
°C
I
C
= 0; V
EB
= 0.5 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 0; V
CE
= 5 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 15毫安; V
CE
= 10 V;
F = 800 MHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V ; F = 800 MHz的;
T
AMB
= 25
°C;
Z
S
= 60
;
b
s
=选择。
注2
分钟。
20
典型值。
75
2.8
0.7
1.25
0.4
15
2.5
150
参数
条件
BFG17A
价值
290
单位
K / W
从结点到t热阻
s
= 85
°C;
注1
到焊接点
马克斯。
50
150
单位
nA
GHz的
pF
pF
pF
dB
dB
mV
s
21 2
=
10日志------------------------------------------------ ------------分贝。 。
(
1
–
s
11 2
) (
1
–
s
22 2
)
2. d
im
=
60
分贝（ DIN 45004B ，第6,3 ： 3音。 ） ;我
C
= 14毫安; V
CE
= 10 V ;
L
= 75
.
V
p
= V
o
; f
p
= 795.25兆赫;
V
q
= V
o
6
分贝; F
q
= 803.25兆赫;
V
r
= V
o
6
分贝; F
r
= 805.25兆赫;
在F量度
第（p +的q r）的
= 793.25兆赫。
1995年09月12日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 3 GHz的宽带晶体管
BFG17A
手册，全页宽
1.5 nF的
1.5 nF的
VBB
10 k
L2
L3
1 nF的
1 nF的
L1
1 nF的
270
DUT
75
产量
VCC
75
输入
3.3 pF的
18
0.68 pF的
MBB251
(1)
(2)
L1 = L3 = 5
H
Ferroxcube公司扼流圈。
L2 = 3圈0.4毫米铜线，内部直径为3毫米，卷绕间距1mm以下。
图2互调失真和二阶互调失真美亚测试电路。
手册， halfpage
120
MBB374
MBB370
手册， halfpage
1.2
^ h FE
Cc
（PF ）
0.8
80
40
0.4
0
0
10
20
I C （毫安）
30
0
0
4
8
12
V CB （ V）
16
V
CE
= 1V ;牛逼
AMB
= 25
°C.
I
E
= 0; F = 1兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C
Fig.3
直流电流增益集热器功能
电流。
Fig.4
集电极电容的一个函数
集电极 - 基极电压。
1995年09月12日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 3 GHz的宽带晶体管
热特性
符号
R
第j个-S
记
1. T
s
是在集电极片的焊接点的温度。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
h
FE
f
T
C
c
C
e
C
re
G
UM
F
V
o
笔记
1. G
UM
是最大单边功率增益，假设S
12
是零和G
UM
参数
集电极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
集电极电容
发射极电容
反馈电容
最大单边功率增益
（注1 ）
噪音科幻gure
输出电压
条件
I
E
= 0; V
CB
= 10 V
I
C
= 25毫安; V
CE
= 1 V;
T
AMB
= 25
°C
I
C
= 25毫安; V
CE
= 5 V;
F = 500 MHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
I
E
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1兆赫;
T
AMB
= 25
°C
I
C
= 0; V
EB
= 0.5 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 0; V
CE
= 5 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 15毫安; V
CE
= 10 V;
F = 800 MHz的;牛逼
AMB
= 25
°C
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V ; F = 800 MHz的;
T
AMB
= 25
°C;
Z
S
= 60
;
b
s
=选择。
注2
分钟。
20
典型值。
75
2.8
0.7
1.25
0.4
15
2.5
150
参数
条件
BFG17A
价值
290
单位
K / W
从结点到t热阻
s
= 85
°C;
注1
到焊接点
马克斯。
50
150
单位
nA
GHz的
pF
pF
pF
dB
dB
mV
s
21 2
=
10日志------------------------------------------------ ------------分贝。 。
(
1
–
s
11 2
) (
1
–
s
22 2
)
2. d
im
=
60
分贝（ DIN 45004B ，第6,3 ： 3音。 ） ;我
C
= 14毫安; V
CE
= 10 V ;
L
= 75
.
V
p
= V
o
; f
p
= 795.25兆赫;
V
q
= V
o
6
分贝; F
q
= 803.25兆赫;
V
r
= V
o
6
分贝; F
r
= 805.25兆赫;
在F量度
第（p +的q r）的
= 793.25兆赫。
1995年09月12日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 3 GHz的宽带晶体管
BFG17A
手册，全页宽
1.5 nF的
1.5 nF的
VBB
10 k
L2
L3
1 nF的
1 nF的
L1
1 nF的
270
DUT
75
产量
VCC
75
输入
3.3 pF的
18
0.68 pF的
MBB251
(1)
(2)
L1 = L3 = 5
H
Ferroxcube公司扼流圈。
L2 = 3圈0.4毫米铜线，内部直径为3毫米，卷绕间距1mm以下。
图2互调失真和二阶互调失真美亚测试电路。
手册， halfpage
120
MBB374
MBB370
手册， halfpage
1.2
^ h FE
Cc
（PF ）
0.8
80
40
0.4
0
0
10
20
I C （毫安）
30
0
0
4
8
12
V CB （ V）
16
V
CE
= 1V ;牛逼
AMB
= 25
°C.
I
E
= 0; F = 1兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C
Fig.3
直流电流增益集热器功能
电流。
Fig.4
集电极电容的一个函数
集电极 - 基极电压。
1995年09月12日
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