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分立半导体

数据表

BFG16A

NPN 2 GHz的宽带晶体管

产品speci fi cation

取代1992年11月数据

在分立半导体的文件， SC14

1995年09月12日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN 2 GHz的宽带晶体管

特点

高功率增益

良好的热稳定性

黄金金属确保

出色的可靠性。

描述

NPN晶体管安装在一个塑料

SOT223信封。

它主要用于在使用中

宽带放大器，天线放大器

在高速和垂直放大器

示波器。

顶视图

BFG16A

钉扎

针

BASE

辐射源

集热器

描述

辐射源

fpage

MSB002 - 1

图1 SOT223 。

快速参考数据

符号

CBO

首席执行官

合计

记

1. T

是在集电极片的焊接点的温度。

极限值

按照绝对最大系统（IEC 134）。

符号

CBO

首席执行官

EBO

合计

英镑

记

1. T

是在集电极片的焊接点的温度。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

DC集电极电流

总功耗

储存温度

结温

最多至T

= 110

°C;

注1

发射极开路

开基

集电极开路

条件

分钟。

马克斯。

150

+150

150

单位

°C

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

DC集电极电流

总功耗

直流电流增益

跃迁频率

最大单边功率增益

最多至T

= 110

°C;

注1

= 150毫安; V

= 5 V ;牛逼

= 25

°C

= 100毫安; V

= 10 V;

F = 500 MHz的;牛逼

AMB

= 25

°C

= 100毫安; V

= 10 V;

F = 500 MHz的;牛逼

AMB

= 25

°C

开基

条件

发射极开路

分钟。

典型值。

1.5

马克斯。

150

GHz的

单位

1995年09月12日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN 2 GHz的宽带晶体管

热特性

符号

第j个-S

记

1. T

是在集电极片的焊接点的温度。

特征

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

CBO

记

1. G

是最大单边功率增益，假设S

是零。

参数

集电极 - 基极击穿

电压

集电极 - 发射极击穿

电压

集电极截止电流

直流电流增益

集电极电容

发射极电容

反馈电容

跃迁频率

最大单边功率增益

注1

条件

发射极开路;我

- 0.1毫安

开基;我

= 10毫安

分钟。

典型值。

2.5

10.0

1.5

参数

条件

价值

BFG16A

单位

K / W

从结点到t热阻

= 110

°C;

注1

到焊接点

马克斯。

单位

GHz的

发射极 - 基极击穿电压集电极开路;我

- 0.1毫安

= 0; V

= 28 V

= 150毫安; V

= 5 V

= i

= 0; V

= 10 V ; F = 1 MHz的

= i

= 0; V

= 0.5 V ; F = 1 MHz的

= 0; V

= 10 V ; F = 1 MHz的

= 100毫安; V

= 10 V;

F = 500 MHz的;牛逼

AMB

= 25

°C

= 100毫安; V

= 10 V;

F = 500 MHz的;牛逼

AMB

= 25

°C

21 2

10日志------------------------------------------------ ------------分贝。

(

–

11 2

) (

–

22 2

)

1995年09月12日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN 2 GHz的宽带晶体管

BFG16A

MBG198

MBB365

手册， halfpage

1.2

合计

(W)

手册， halfpage

160

1.0

^ h FE

120

0.8

0.6

0.4

0.2

100

150

200

牛逼S（O C）

100

I C （毫安）

200

= 10 V ;牛逼

= 25

°C.

Fig.3

图2功率降额曲线。

直流电流增益功能

集电极电流。

MBB363

手册， halfpage

c重新

手册， halfpage

MBB364

（PF ）

（千兆赫）

1.6

1.2

0.8

0.4

VCB （ V）

120

I C （毫安）

160

= i

= 0; F = 1兆赫。

= 10 V ; F = 500 MHz的;牛逼

AMB

= 25

°C.

Fig.4

反馈电容作为函数

集电极 - 基极电压。

Fig.5

过渡频率的函数

集电极电流。

1995年09月12日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN 2 GHz的宽带晶体管

BFG16A

手册，全页宽

3 GHz的

100

250

–j

100

250

40 MHZ

250

= 70毫安; V

= 15 V ;

= 50

100

MBB366

图6共发射极输入反射系数（S

90 o

手册，全页宽

120 o

40 MHZ

150 o

60 o

30 o

180 o

3 GHz的

150 o

30 o

120 o

90 o

= 70毫安; V

= 15 V.

60 o

MBB367

图7普通的发射极正向传输系数（S

1995年09月12日

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NXP

2019

79600

SOT-223

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SOT223

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SOT223

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SOT-22

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SOT223

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SOT-223

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