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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第818页 > BFG11/X
分立半导体
数据表
BFG11 ; BFG11 / X
NPN 2 GHz的RF功率晶体管
产品speci fi cation
取代1992年11月数据
在分立半导体的文件， SC14
1995年4月07
飞利浦半导体
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 2 GHz的RF功率晶体管
特点
高功率增益
高效率
小尺寸离散功率放大器
1.9 GHz的工作区
镀金保证了出色的可靠性。
应用
在手持对讲机共射AB类操作
设备在1.9 GHz的。
钉扎
针
BFG11
（参见图1）
1
2
3
4
集热器
BASE
辐射源
辐射源
1
顶视图
BFG11 ; BFG11 / X
描述
NPN硅平面外延晶体管封装在一个
塑料， 4针的双发射SOT143封装。
记号
类型编号
BFG11
BFG11/X
CODE
N72
N73
描述
手册， 2列
4
3
2
MSB014
BFG11/X
（参见图1）
1
2
3
4
集热器
辐射源
BASE
辐射源
图1 SOT143 。
快速参考数据
射频性能在T
AMB
= 25
°C
在一个共射测试电路（见图7） 。
操作模式
脉冲， AB类，占空比< 1:8
f
（千兆赫）
1.9
V
CE
(V)
3.6
P
L
（ mW）的
400
G
p
（ dB）的
≥4
η
c
(%)
≥50
1995年4月07
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 2 GHz的RF功率晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C（ AV ）
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
平均集电极电流
总功耗
储存温度
结温
最多至T
s
= 60
°C;
注意1 ;见图2
开基
集电极开路
条件
发射极开路
BFG11 ; BFG11 / X
分钟。
8
马克斯。
20
2.5
500
500
400
+150
175
V
V
V
单位
mA
mA
mW
°C
°C
65
热特性
符号
R
第j个-S
参数
热阻结到焊接点
条件
最多至T
s
= 60
°C;
注意1 ;
P
合计
= 400毫瓦
价值
290
单位
K / W
注意：在“极限参数”和“热特性”
1. T
s
是在集电针的焊接点的温度。
手册， halfpage
500
MLC818
P合计
（ mW）的
400
300
200
100
0
0
50
100
150
TS （ C）
o
200
图2功率降额曲线。
1995年4月07
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 2 GHz的RF功率晶体管
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CES
h
FE
C
c
C
re
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
直流电流增益
集电极电容
反馈电容
条件
发射极开路;我
C
= 0.1毫安;我
E
= 0
开基;我
C
= 10毫安;我
B
= 0
集电极开路;我
E
= 0.1毫安;我
C
= 0
V
CE
= 8 V; V
BE
= 0
I
C
= 100毫安; V
CE
= 5 V
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 3.6 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 0; V
CE
= 3.6 V ; F = 1 MHz的
8
BFG11 ; BFG11 / X
分钟。
20
2.5
25
马克斯。
V
V
V
单位
100
4
3
A
pF
pF
手册， halfpage
4
MLC848
Cc
（PF ）
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
V CB （ V）
I
C
= 0; F = 1兆赫。
Fig.3
集电极电容的一个函数
集电极 - 基极电压;典型值。
1995年4月07
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 2 GHz的RF功率晶体管
应用信息
射频性能在T
AMB
= 25
°C
在一个共射测试电路（见图7） 。
操作模式
脉冲， AB类，占空比< 1:8
f
（千兆赫）
1.9
V
CE
(V)
3.6
I
CQ
（MA ）
1
P
L
（ mW）的
400
BFG11 ; BFG11 / X
G
p
（ dB）的
≥4
（典型值） 。五
η
c
(%)
≥50
（典型值） 。 70
坚固耐用的AB类操作
该BFG11是能够承受相应的VSWR = 8的负载失配：通过所有阶段1 ，在额定
脉冲条件下高达8 V ， F = 1.9 GHz和1占空比的电源电压下，输出功率： 8 。
MLC849
MLC850
手册， halfpage
8
Gp
100
η
c
η
c
80
Gp
(%)
手册， halfpage
800
（ dB）的
6
PL
（ mW）的
600
4
60
400
2
40
200
0
0
200
400
600
20
800
P L （ mW）的
0
0
100
200
加入Pd（ mW）的
300
脉冲， AB类操作。
V
CE
= 3.6 V; V
BE
= 0.65 V ; F = 1.9 GHz的;占空比< 1:8 。
电路P优化
L
= 400毫瓦。
脉冲， AB类操作。
V
CE
= 3.6 V; V
BE
= 0.65 V ; F = 1.9 GHz的;占空比< 1:8 。
电路P优化
L
= 400毫瓦。
Fig.4
功率增益和集电极英法fi效率为
负载功率的功能;典型值。
Fig.5
负载功率为驱动电源的功能;
典型值。
1995年4月07
5
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