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分立半导体
数据表
BFG10W/X
超高频功率晶体管
产品speci fi cation
在分立半导体的文件, SC14
1995年9月22日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
特点
高效率
小尺寸离散功率放大器
900 MHz和1.9 GHz工作
地区
黄金金属确保
出色的可靠性。
应用
共射AB类
在手持无线电操作
设备达1.9 GHz的。
描述
NPN硅平面外延型晶体管
被封装在塑料, 4针
双发射极SOT343封装。
钉扎
1
2
3
4
描述
集热器
辐射源
BASE
辐射源
标记代号: T5 。
1
BFG10W/X
fpage
4
3
2
MBK523
顶视图
图1 SOT343 。
快速参考数据
射频性能在T
AMB
= 25
°C
在共发射极测试电路。
操作模式
脉冲, AB类,占空比: < 1 :2;吨
p
= 10毫秒
脉冲, AB类,占空比: < 1 : 8 ;吨
p
= 4.6毫秒
f
(千兆赫)
1.9
0.9
0.9
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C( AV )
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
平均集电极电流
总功耗
储存温度
结温
最多至T
s
= 102
°C;
注1
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
分钟。
马克斯。
20
10
2.5
250
250
400
+150
175
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
单位
V
CE
(V)
3.6
6
6
P
L
( mW)的
200
650
360
G
p
( dB)的
≥5
≥10
≥12.5
η
c
(%)
≥50
≥50
≥50
热特性
符号
R
第j个-S
参数
热阻结到
焊接点
条件
最多至T
s
= 102
°C;
注意1 ;
P
合计
= 400毫瓦
价值
180
单位
K / W
需要注意的限制值和热特性
1. T
s
是在集电针的焊接点的温度。
1995年9月22日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
特征
T
j
= 25
°C
(除非另有规定ED ) 。
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CES
h
FE
C
c
C
re
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
直流电流增益
集电极电容
反馈电容
条件
发射极开路;我
C
- 0.1毫安
开基;我
C
= 5毫安
集电极开路;我
E
- 0.1毫安
V
CE
= 6 V; V
BE
= 0
I
C
= 50毫安; V
CE
= 5 V
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 6 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 0; V
CE
= 6 V ; F = 1 MHz的
分钟。
20
10
2.5
25
BFG10W/X
马克斯。
100
3
2
V
V
V
单位
A
pF
pF
10
3
手册,全页宽
第i个J-一
(K / W)
δ
=1
0.75
10
2
0.5
0.33
0.2
MBG431
10
0.1
0.05
0.02
0.01
P
δ
= T
tp
tp
T
1
10
6
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
t
TP (多个)
1
图2瞬态结点到焊接点的脉冲时间的函数热阻抗;典型值。
1995年9月22日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
BFG10W/X
手册, halfpage
2.0
MLC819
Cc
(PF )
1.5
1.0
0.5
0
0
2
4
6
8
10
V CB ( V)
Fig.3
集电极电容的一个函数
集电极 - 基极电压。
1995年9月22日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
应用信息
射频性能在T
AMB
= 25
°C
在共发射极测试电路。
操作模式
脉冲, AB类,占空比: < 1 :2;吨
p
= 10毫秒
脉冲, AB类,占空比: < 1 : 8 ;吨
p
= 5毫秒
f
(千兆赫)
1.9
0.9
0.9
坚固耐用的AB类操作
V
CE
(V)
3.6
6
6
P
L
( mW)的
200
650
360
G
p
( dB)的
BFG10W/X
η
c
(%)
≥50;
(典型值) 。 60
≥50
≥50
≥5;
(典型值) 。 7
≥10
≥12.5
该BFG10W / X是能够承受相应的VSWR = 6负载不匹配:通过在各个阶段1
脉冲条件下高达8.6伏的条件下,电源电压: 900兆赫; 650毫瓦;吨
p
= 4.6毫秒; 1个工作周期: 8
和高达5.5 V的条件下,电源电压: 1.9千兆赫; 200毫瓦;吨
p
= 10毫秒; 1占空比: 2 。
MLC820
MBG194
手册, halfpage
10
Gp
( dB)的
8
η
c
100
η
c
(%)
80
手册, halfpage
16
80
Gp
η
c
60
Gp
η
c
(%)
( dB)的
12
6
Gp
60
8
40
4
40
4
20
2
20
0
0
100
200
300
0
400
500
P L ( mW)的
0
0.3
20
0.5
0.7
0.9
1.1
P L ( mW)的
脉冲, AB类操作。
V
CE
= 3.6 V ; F = 1.9 GHz的;占空比< 1:2。
电路P优化
L
= 200毫瓦。
脉冲, AB类操作。
V
CE
= 6 V ; F = 900 MHz的;占空比< 1:8 。
电路P优化
L
= 600毫瓦。
Fig.4
功率增益和EF网络效率的功能
负载功率;典型值。
Fig.5
功率增益和EF网络效率的功能
负载功率;典型值。
1995年9月22日
5
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