飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
特征
T
j
= 25
°C
(除非另有规定ED ) 。
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CES
h
FE
C
c
C
re
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
直流电流增益
集电极电容
反馈电容
条件
发射极开路;我
C
- 0.1毫安
开基;我
C
= 5毫安
集电极开路;我
E
- 0.1毫安
V
CE
= 6 V; V
BE
= 0
I
C
= 50毫安; V
CE
= 5 V
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 6 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 0; V
CE
= 6 V ; F = 1 MHz的
分钟。
20
10
2.5
25
BFG10W/X
马克斯。
100
3
2
V
V
V
单位
A
pF
pF
10
3
手册,全页宽
第i个J-一
(K / W)
δ
=1
0.75
10
2
0.5
0.33
0.2
MBG431
10
0.1
0.05
0.02
0.01
P
δ
= T
tp
tp
T
1
10
6
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
t
TP (多个)
1
图2瞬态结点到焊接点的脉冲时间的函数热阻抗;典型值。
1995年9月22日
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飞利浦半导体
产品speci fi cation
超高频功率晶体管
应用信息
射频性能在T
AMB
= 25
°C
在共发射极测试电路。
操作模式
脉冲, AB类,占空比: < 1 :2;吨
p
= 10毫秒
脉冲, AB类,占空比: < 1 : 8 ;吨
p
= 5毫秒
f
(千兆赫)
1.9
0.9
0.9
坚固耐用的AB类操作
V
CE
(V)
3.6
6
6
P
L
( mW)的
200
650
360
G
p
( dB)的
BFG10W/X
η
c
(%)
≥50;
(典型值) 。 60
≥50
≥50
≥5;
(典型值) 。 7
≥10
≥12.5
该BFG10W / X是能够承受相应的VSWR = 6负载不匹配:通过在各个阶段1
脉冲条件下高达8.6伏的条件下,电源电压: 900兆赫; 650毫瓦;吨
p
= 4.6毫秒; 1个工作周期: 8
和高达5.5 V的条件下,电源电压: 1.9千兆赫; 200毫瓦;吨
p
= 10毫秒; 1占空比: 2 。
MLC820
MBG194
手册, halfpage
10
Gp
( dB)的
8
η
c
100
η
c
(%)
80
手册, halfpage
16
80
Gp
η
c
60
Gp
η
c
(%)
( dB)的
12
6
Gp
60
8
40
4
40
4
20
2
20
0
0
100
200
300
0
400
500
P L ( mW)的
0
0.3
20
0.5
0.7
0.9
1.1
P L ( mW)的
脉冲, AB类操作。
V
CE
= 3.6 V ; F = 1.9 GHz的;占空比< 1:2。
电路P优化
L
= 200毫瓦。
脉冲, AB类操作。
V
CE
= 6 V ; F = 900 MHz的;占空比< 1:8 。
电路P优化
L
= 600毫瓦。
Fig.4
功率增益和EF网络效率的功能
负载功率;典型值。
Fig.5
功率增益和EF网络效率的功能
负载功率;典型值。
1995年9月22日
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