LAB
TO220 -AC封装外形。
尺寸mm （英寸）
10.67 (0.420)
9.65 (0.380)
SEME
BFC60
2
16.51 (0.650)
14.22 (0.560)
6.86 (0.270)
5.84 (0.230)
5.33 (0.210)
4.83 (0.190)
1.40 (0.020)
0.51 (0.055)
3.05 (0.120)
2.54 (1.000)
3.73 (0.147)
3.53 （ 0.139 ）直径。
4.83 (0.190)
3.56 (0.140)
N沟道
增强型
高压
隔离
功率MOSFET
V
DSS
I
D（续）
R
DS （ ON）
1500V
0.1A
140
1 2 3
14.73 (0.580)
12.70 (0.500)
6.35 (0.250)
4.60 (0.181)
1.78 (0.070)
0.99 (0.390)
2.54 (0.100)
N}÷米。
5.08 (0.200)
N}÷米。
1.02 (0.040)
0.38 (0.015)
0.66 (0.026)
0.41 (0.016)
2.92 (0.115)
2.03 (0.080)
引脚1 - 门
PIN 2 - 漏
PIN 3 - 来源
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
P
D
T
J
, T
英镑
漏 - 源极电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
总功耗
工作和存储结温范围
1500
0.1
0.2
±20
20
-55到+150
V
A
A
V
W
°C
电气特性
(T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
关闭
V
SD
|Y
FS
|
特征
漏极 - 源极击穿电压
漏极 - 源极导通电阻
零栅极电压漏极电流
门 - 源极漏电流
截止电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
二极管的正向电压
正向转移导纳
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 50毫安
V
DS
= 1200V , V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V , V
DS
= 0V
V
DS
= 10V ，我
D
= 1.0毫安
V
DS
= 20V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
I
D
= 50毫安
V
GS
= 0 , I
S
= 0.1A
V
DS
= 20V ，我
D
= 50毫安
50
1.5
40
12
3.0
40
400
1.0
100
1.5
ns
V
mS
预赛。 2/96
分钟。
1500
典型值。
140
MAX 。 UNIT
V
200
100
±100
3.5
A
nA
V
pF
Semelab PLC 。
电话（ 01455 ） 556565.电传： 341927.传真：（ 01455 ） 552612 。
QQ：2880707522 复制
