LAB
SOT- 227封装外形。
尺寸mm （英寸）
3 1 .5 (1 .2 4 0 )
3 1 .7 (1 .2 4 8 )
7 .8 (0 .3 0 7 )
8 .2 (0 .3 2 2 )
1 1 .8 (0 .4 6 3 )
1 2 .2 (0 .4 8 0 )
W = 4 .1 (0 .1 6 1 )
4 .3 (0 .1 6 9 )
H=
4 .8 (0 .1 8 7 )
4 .9 (0 .1 9 3 )
（4处）
1 2 .6 (0 .4 9 6 )
1 2 .8 (0 .5 0 4 )
2 5 .2 (0 .9 9 2 )
2 5 .4 (1 .0 0 0 )
8 .9 (0 .3 5 0 )
9 .6 (0 .3 7 8 )
SEME
BFC16
第4代MOSFET
六角螺母M 4使用
（4处）
1
R
2
N沟道
增强型
高压
功率MOSFET
4 .0 (0 .1 5 7 )
4 .2 (0 .1 6 5 )
0 .7 5 (0 .0 3 0 )
0 .8 5 (0 .0 3 3 )
4
3.3 (0 .1 2 9)
3.6 (0.14 3 )
1 4 .9 (0.58 7 )
1 5 .1 (0.59 4 )
3 0 .1 (1 .1 8 5 )
3 0 .3 (1 .1 9 3 )
3 8 .0 (1.4 9 6 )
3 8 .2 (1.5 0 4 )
3
5 .1 (0 .2 0 1 )
5 .9 (0 .2 3 2 )
1 .9 5 (0 .0 7 7 )
2 .1 4 (0 .0 8 4 )
R =
4 .0 (0 .1 57 )
（ 2 P LAC （E S） ）
V
DSS
I
D（续）
R
DS （ ON）
*资料来源端子短路
在内部。目前的处理
能力是相等的任一
源极端子。
800V
40A
0.18
1号航站楼
来源*
3号航站楼
门
2号航站楼
4号航站楼
漏
来源*
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
V
DSS
I
D
I
DM
, I
LM
V
GS
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏 - 源极电压
连续漏电流
漏电流脉冲
1
和电感电流钳位
栅 - 源电压
总功率耗散@ T
例
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063 “从案例10秒。
800
40
160
±30
690
5.52
-40至150
300
V
A
A
V
W
W / ℃，
°C
静电额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
BV
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
特征
漏极 - 源极击穿电压
在国家漏极电流
2
漏极 - 源极导通电阻
2
零栅极电压漏极电流
(V
GS
= 0V)
门 - 源极漏电流
栅极阈值电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
最大
V
GS
= 10V
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5 I
D
[续]
V
DS
= V
DSS
V
DS
= 0.8V
DSS
, T
C
= 125°C
V
GS
= ±30V , V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 5.0毫安
2
分钟。
800
40
0.18
250
1000
±100
4
典型值。
MAX 。 UNIT
V
A
A
nA
V
1 ）重复评级：脉冲宽度有限的最高结温。
2 ）脉冲测试：脉冲宽度< 380μS ，占空比< 2 ％
Semelab PLC 。
电话（ 01455 ） 556565.电传： 341927.传真：（ 01455 ） 552612 。
预赛。 1/94
LAB
动态特性
特征
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
3
栅 - 源电荷
门 - 漏极（ “米勒” ）费
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1MHz的
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
R
G
= 0.6
分钟。
典型值。
1430
460
468
72
176
21
19
70
13
MAX 。 UNIT
2000
690
700
110
265
40
40
105
25
ns
nC
pF
11715 14000
SEME
BFC16
源 - 漏二极管额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
特征
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流
1
（体二极管）
二极管的正向电压
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= – I
D
[续]
I
S
= – I
D
[续]
dl
s
/ DT = 100A / μs的
470
18
945
36
测试条件
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
40
A
160
1.8
1800
60
V
ns
C
封装特性
L
D
L
S
V
隔离
C
隔离
力矩
特征
内部排水电感
（测量从漏极引脚死去的中心）
内部源极电感
（测量从源极到源邦德片）
RMS电压
（ 50-60赫兹正弦波从终端到安装底座，持续1分钟。 ）
漏到安装底座电容
F = 1MHz的
2500
70
13
分钟。
典型值。
3
5
MAX 。 UNIT
nH
V
pF
在磅
最大扭矩为设备安装螺钉和电气端接
热特性
R
θJC
R
θCS
特征
结到外壳
案例下沉
（采用高效导热化合物和平面散热器表面。 ）
1 ）重复评级：脉冲宽度有限的最高结温。
2 ）脉冲测试：脉冲宽度< 380μS ，占空比< 2 ％
3 ）看MIL -STD- 750方法3471
分钟。
典型值。
0.05
MAX 。 UNIT
0.18
° C / W
注意 - 静电敏感的设备。防静电程序必须遵循。
Semelab PLC 。
电话（ 01455 ） 556565.电传： 341927.传真：（ 01455 ） 552612 。
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