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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第197页 > BF999
BF999
硅N沟道MOSFET三极管
高频级高达300 MHz
最好是在FM应用
3
储存温度
通道温度
热阻
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
1

道 - 焊接点
1)

总功耗，
T
S
76 °C


2
1
VPS05161
ESD
:
E
LECTRO
s
TATIC
d
ischarge敏感器件，观察处理防范！
TYPE
记号
引脚配置
包
BF999
最大额定值
参数
LBS
1=G
2=D
符号
3=S
价值
SOT23
单位
漏源电压
漏电流
栅极 - 源极峰值电流
V
DS
I
D
I
GSM
P
合计
T
英镑
T
ch
20
30
10
200
-55 ... 150
150
V
mA
mA
mW
°C
R
thChS
370
K / W
Nov-08-2002
BF999
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
DC特性
漏源击穿电压
I
D
= 10 A,
-
V
GS
= 4 V
I
GS
= 10毫安，
V
DS
= 0
V
GS
= 5 V,
V
DS
= 0

符号
分钟。
V
（ BR ） DS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
20
6.5
-
5
-
值
典型值。
-
-
-
-
-
马克斯。
-
12
50
18
2.5
单位
V
漏电流
V
DS
= 10 V,
V
GS
= 0
门源夹断电压
V
DS
= 10 V,
I
D
= 20 A
AC特性
转发Tranconductance
V
DS
= 10 V,
I
D
= 10毫安
栅极输入电容
V
DS
= 10 V,
I
D
= 10毫安，
f
= 1兆赫
反向转院电容
V
DS
= 10 V,
I
D
= 10毫安，
f
= 1兆赫
输出电容
V
DS
= 10 V,
I
D
= 10毫安，
f
= 1兆赫
功率增益
V
DS
= 10 V,
I
D
= 10毫安，
f
= 200兆赫
噪声系数
V
DS
= 10 V,
I
D
= 10毫安，
f
= 200兆赫
F
-
1
-
G
p
-
25
-
dB
C
DSS
-
1
-
pF
C
dg
-
25
-
fF
C
GSS
-
2.5
-
pF
g
fs
14
16
-
mS
2

栅极 - 源极漏电流


栅源击穿电压



nA
mA
V
I
DSS
-
V
GS （ P）
Nov-08-2002
BF999
总功耗
P
合计
=
f
(
T
S
)
输出特性
I
D
=
f
(
V
DS
)
300
25
BF 999
EHT07308
mW
Ι
D
mA
20
V
GS
= 0.8 V
0.6 V
0.4 V
P
合计
200
15
150
0.2 V
0V
-0.2 V
10
100
50
5
-0.4 V
-0.6 V
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
0
0
5
10
15
V
V
DS
20
T
S
门跨导
g
fs
=
f
(
V
GS
)
漏电流
I
D
=
f
(
V
GS
)
20
g
fs
mS
BF 999
EHT07309
30
BF 999
EHT07310
Ι
D
mA
15
20
10
10
5
0
-1
0
1
2
V
V
GS
3
0
-1
0
1
V
V
GS
2
3
Nov-08-2002
BF999
栅极输入电容
C
GSS
=
f
(
V
GS
)
输出电容
C
DSS
=
f
(
V
DS
)
3
C
GSS
pF
BF 999
EHT07311
2.0
C
DSS
pF
BF 999
EHT07312
1.5
2
1.0
1
0.5
0
-2
-1
0
V
V
GS
1
0.0
0
5
10
V
V
DS
15
反向传输电容
C
dg
=
f
(
V
DS
)
200
C
dg
fF
BF 999
EHT07313
门输入导纳
y
11s
（共源）
14
b
11s
mS
12
10
8
BF 999
f
= 800兆赫
EHT07314
700兆赫
150
600兆赫
500兆赫
100
6
4
200兆赫
400兆赫
300兆赫
50
2
100兆赫
50兆赫
0
0
5
10
V
V
DS
15
0
0
1
2
3
mS
g
11s
4
4
Nov-08-2002
BF999
门正向转移导纳
y
21s
（共源）
BF 999
EHT07315
输出导纳
y
22s
（共源）
5
b
22s
mS
4
600兆赫
BF 999
EHT07316
f
= 800兆赫
0
b
21s
mS
50兆赫
100兆赫
700兆赫
-5
200兆赫
3
300兆赫
500兆赫
400兆赫
400兆赫
2
300兆赫
-10
600兆赫
700兆赫
f
= 800兆赫
500兆赫
200兆赫
1
100兆赫
50兆赫
-15
4
6
8
10
12
14毫秒16
g
21s
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4毫秒0.5
g
22s
对于功率增益和噪声系数测试电路
f
= 200兆赫
1 nF的
15 pF的
15 pF的
1 nF的
输入
60
产量
60
BB515
270
k
1 nF的
270 k
270 k
BB515
Dr
1 nF的
V
G1S
V
TUN
V
TUN
V
DS
EHM07024
5
Nov-08-2002
硅N沟道MOSFET三极管
q
用于高频阶段高达300 MHz ，
BF 999
最好是在FM应用
TYPE
BF 999
记号
LB
订购代码
（磁带和卷轴）
Q62702-F1132
引脚配置
1
2
3
G
D
S
包
1)
SOT-23
最大额定值
参数
漏源电压
漏电流
栅极 - 源极峰值电流
总功耗，
T
A
≤
60 C
存储温度范围
通道温度
热阻
结 - 环境
2)
R
日JA
≤
450
符号
V
DS
I
D
±
I
GSM
值
20
30
10
200
单位
V
mA
P
合计
T
英镑
T
ch
mW
– 55 … + 150 C
150
K / W
1)
2)
有关详细信息，请参阅本章包装纲要。
包安装在氧化铝15毫米
×
16.7 mm
×
0.7 mm.
半导体集团
1
07.94
BF 999
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
漏源击穿电压
I
D
= 10
A, –
V
GS
= 4 V
栅源击穿电压
±
I
GS
= 10毫安，
V
DS
= 0
栅极 - 源极漏电流
±
V
GS
= 5 V,
V
DS
= 0
漏电流
V
DS
= 10 V,
V
GS
= 0
门源夹断电压
V
DS
= 10 V,
I
D
= 20
A
AC特性
正向跨导
V
DS
= 10 V,
I
D
= 10毫安，
f
= 1千赫
栅极输入电容
V
DS
= 10 V,
I
D
= 10毫安，
f
= 1兆赫
反向传输电容
V
DS
= 10 V,
I
D
= 10毫安，
f
= 1兆赫
输出电容
V
DS
= 10 V,
I
D
= 10毫安，
f
= 1兆赫
功率增益
（测试线路）
V
DS
= 10 V,
I
D
= 10毫安，
f
= 200兆赫，
G
G
= 2毫秒，
G
L
= 0.5毫秒
噪声系数（测试线路）
V
DS
= 10 V,
I
D
= 10毫安，
f
= 200兆赫，
G
G
= 2毫秒，
G
L
= 0.5毫秒
g
fs
C
GSS
C
dg
C
DSS
G
p
14
–
–
–
–
16
2.5
25
1
25
–
–
–
–
–
mS
pF
fF
pF
dB
V
（ BR ） DS
±
V
（ BR ） GSS
±
I
GSS
值
典型值。
马克斯。
单位
20
6.5
–
5
–
–
–
–
–
–
–
12
50
18
2.5
V
nA
mA
V
I
DSS
–
V
GS （ P）
F
–
1
–
半导体集团
2
BF 999
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
)
输出特性
I
D
=
f
(V
DS
)
门跨导
g
fs
=
f
(V
GS
)
V
DS
= 10 V,
I
DSS
= 10毫安，
f
= 1千赫
漏电流
I
D
=
f
(V
GS
)
V
DS
= 10 V
半导体集团
3
BF 999
栅极输入电容
C
GSS
=
f
(V
GS
)
V
DS
= 10 V,
I
DSS
= 10毫安，
f
= 1兆赫
输出电容
C
DSS
=
f
(V
DS
)
V
GS
= 0,
I
DSS
= 10毫安，
f
= 1兆赫
反向传输电容
C
dg
=
f
(V
DS
)
I
DSS
= 10毫安，
f
= 1 MHz时，
V
GS
= 0
门输入导纳
y
11s
V
DS
= 10 V,
V
GS
= 0,
I
DSS
= 10 mA时， （共源）
半导体集团
4
BF 999
门正向转移导纳
y
21s
V
DS
= 10 V,
V
GS
= 0,
I
DSS
= 10 mA时， （共源）
输出导纳
y
22s
V
DS
= 10 V,
V
GS
= 0,
I
DSS
= 10 mA时， （共源）
对于功率增益和噪声系数测试电路
f
= 200兆赫
半导体集团
5
BF999
硅N沟道MOSFET三极管
高频级高达300 MHz
最好是在FM应用
无铅（符合RoHS标准）封装
1)
合格的依据AEC Q101
3
1
2
ESD
（静电
放）
敏感的设备，观察处理防范！
TYPE
BF999
最大额定值
参数
记号
LBS
1=G
2=D
引脚配置
3=S
-
-
-
包
SOT23
符号
V
DS
I
D
±
I
GSM
P
合计
T
英镑
T
ch
价值
20
30
10
200
-55 ... 150
150
单位
V
mA
mA
mW
°C
漏源电压
连续漏电流
栅极 - 源极峰值电流
总功耗
T
S
≤
76 °C
储存温度
通道温度
热阻
参数
道 - 焊接点
2)
1
含有铅，
2
为
符号
R
thChS
价值
≤
370
单位
K / W
包可能是可根据特殊要求
计算
R
thJA请参考应用笔记热阻
1
2007-04-20
BF999
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
符号
值
参数
分钟。
DC特性
漏源击穿电压
I
D
= 10 μA ， -V
GS
= 4 V
栅源击穿电压
±
I
GS
= 10毫安，
V
DS
= 0
栅极 - 源极漏电流
±
V
GS
= 5 V,
V
DS
= 0
漏电流
V
DS
= 10 V,
V
GS
= 0
门源夹断电压
V
DS
= 10 V,
I
D
= 20 A
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
符号
值
参数
分钟。
AC特性
正向跨导
V
DS
= 10 V,
I
D
= 10毫安
栅极输入电容
V
DS
= 10 V,
I
D
= 10毫安，
f
= 10 MHz的
输出电容
V
DS
= 10 V,
I
D
= 10毫安，
f
= 10 MHz的
功率增益
V
DS
= 10 V,
I
D
= 10毫安，
f
= 45 MHz的
噪声系数
V
DS
= 10 V,
I
D
= 10毫安，
f
= 45 MHz的
F
-
2.1
-
dB
G
p
-
27
-
dB
C
DSS
-
0.9
-
pF
C
GSS
-
2.5
-
pF
g
fs
14
20
-
mS
典型值。
马克斯。
-V
GS （ P）
-
0.8
1.5
V
I
DSS
5
10
16
mA
±
I
GSS
-
-
50
nA
±V
（ BR ） GSS
6.5
-
12
V
（ BR ） DS
20
-
-
V
典型值。
马克斯。
单位
单位
2
2007-04-20
BF999
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
输出特性
I
D
=
(V
DS
)
250
18
mA
0.3V
mW
14
12
150
0.2V
P
合计
0.1V
0V
-0.1V
-0.2V
-0.3V
I
D
10
8
6
4
2
100
50
-0.4V
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
0
0
5
10
V
20
T
S
V
DS
门跨导
g
fs
=
(V
GS
)
漏电流
I
D
= (V
GS
)
30
30
mS
mA
G
fs
20
20
15
I
D
15
10
10
5
5
0
-1
V
-0.5
0
0.5
1.5
0
-1
V
1
V
GS
V
GS
3
2007-04-20
BF999
栅极输入电容
C
GSS
=
(V
GS
)
输出电容
C
DSS
=
(V
DS
)
3
3
C
GSS
1
C
DSS
0
-2
V
pF
pF
1
-1
1
0
0
5
V
15
V
GS
V
DS
4
2007-04-20
SOT23封装
BF999
包装外形
0.15分钟。
1
±0.1
0.1最大。
1.3
±0.1
2.9
±0.1
3
B
2.4
±0.15
10最大。
1)
0.4
+0.1
-0.05
1
2
10最大。
C
0.95
1.9
0.08...0.1
A
5
0...8
0.25
M
B C
0.2
M
A
1 ）导线宽度可以是0.6最大。在密封条领域
FOOT PRINT
0.8
0.9
0.8
1.2
标记版面（例）
生产厂家
EH
s
销1
0.9
1.3
2005年六月
日期代码（ YM ）
BCW66
型号代码
标准包装
盘180毫米= 3.000件/卷
盘330毫米= 10.000件/卷
4
0.9
2.13
2.65
0.2
8
销1
3.15
1.15
5
2007-04-20
查看更多BF999PDF信息
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BYG22AHE3/TR3
B32529-C5155
BSY91
BLX48R
BA050LBSG
BU4584BF
B43305F2188M007
B66317G0000X187
BJ4-06
BL8509-090ECRM
B43505E2108M002
B57867S0103F140
BZX55/C18
B82422-H1152-K100
BLM15BB121SN1D
BLM03BD121SN1J
B-60-8
B32654A4155
BS616LV8013
BU4223G-TR
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BF999
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BF999
Infineon Technologies
2442+
3800
SOT-23-3
代理Infineon Technologies专营，原装现货优势
上海意淼电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2675049463 复制

电话：13681678667
联系人：吴
地址：上海市宝山区大场镇锦秋路699弄锦秋花园
BF999
INFINEON
23+
33500
SOT-23
只做进口原装，假一赔十；欢迎致电：杨先生15001712988
深圳市恒达亿科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3004390991 复制 点击这里给我发消息 QQ：3004390992 复制 点击这里给我发消息 QQ：1245773710 复制

电话：0755-82723761/82772189
联系人：夏先生 朱小姐
地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）
BF999
INFINEON
25+
4500
SOD-323
全新原装现货特价销售！
深圳市俊晖半导体有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：421123133 复制

电话：13410941925
联系人：李先生【原装正品,可开发票】
地址：深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12
BF999
Infineon(英飞凌)
24+
7800
TAPE & REEL
原装正品现货，可开增值税专用发票
江苏芯钻时代电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1316996791 复制

电话：18913062888
联系人：陈先生
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