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分立半导体
数据表
BF998WR
N沟道双栅极的MOS- FET的
产品speci fi cation
取代1995年的数据年04月25
在分离式半导体文件， SC07
1997年9月5日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道双栅极的MOS- FET的
特点
高正向转移导纳
具有较高的正向传输短沟道晶体管
纳输入电容比
低噪声增益控制放大器高达1GHz 。
应用
VHF和UHF应用的12 V电源电压，
如电视调谐器和专业
通信设备。
描述
在一个塑料耗尽型场效应晶体管
超小型SOT343R包的源和
基板互连。该晶体管被保护
针对过高的输入电压浪涌通过综合
背到背栅和源极之间的二极管。
小心
该器件采用防静电包装中提供。该
栅源输入必须加以保护，防止静电
运输或装卸过程中排出。
标识代码：
MB 。
BF998WR
钉扎
针
1
2
3
4
符号
S，B
d
g
2
g
1
来源
漏
门2
门1
描述
d
3
4
g
2
g1
2
1
S，B
顶视图
MAM198
Fig.1简化外形（ SOT343R ）和符号。
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
T
j
y
fs
C
ig1-s
C
rs
F
漏电流
总功耗
工作结温
正向转移导纳
在1号门的输入电容
反向传输电容
噪音科幻gure
F = 1 MHz的
F = 800 MHz的
参数
漏源电压
条件
分钟。
24
2.1
25
1
典型值。
马克斯。
12
30
300
150
单位
V
mA
mW
°C
mS
pF
fF
dB
1997年9月5日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道双栅极的MOS- FET的
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
DS
I
D
I
G1
I
G2
P
合计
T
英镑
T
j
记
1.装置安装在一个印刷电路板。
参数
漏源电压
漏电流
门1电流
门2的电流
总功耗
储存温度
工作结温
最多至T
AMB
= 45
°C;
见图2 ;注1
条件
65
分钟。
BF998WR
马克斯。
12
30
±10
±10
300
+150
+150
V
单位
mA
mA
mA
mW
°C
°C
MLD154
手册， halfpage
400
P合计
（ mW）的
300
200
100
0
0
50
100
150
200
o
TAMB （ C）
图2功率降额曲线。
1997年9月5日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道双栅极的MOS- FET的
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-S
笔记
1.装置安装在一个印刷电路板。
2. T
s
是在源极引线的焊接点的温度。
静态特性
T
j
= 25
°C;
除非另有规定ED 。
符号
V
(BR)G1-SS
V
(BR)G2-SS
V
(P)G1-S
V
(P)G2-S
I
DSS
I
G1-SS
I
G2-SS
参数
1号门 - 源极击穿电压
2号门 - 源极击穿电压
栅1 - 源截止电压
门2 - 源截止电压
漏 - 源电流
门1的截止电流
门2的截止电流
条件
V
G2-S
= V
DS
= 0; I
G1-S
= 10毫安
V
G1-S
= V
DS
= 0; I
G2-S
= 10毫安
V
G2-S
= 4 V; V
DS
= 8 V ;我
D
= 20
A
V
G1-S
= 0; V
DS
= 8 V ;我
D
= 20
A
V
G2-S
= 4 V; V
DS
= 8 V; V
G1-S
= 0
V
G2-S
= V
DS
= 0; V
G1-S
= 5 V
V
G1-S
= V
DS
= 0; V
G2-S
= 5 V
分钟。
6
6
2
参数
从结点到环境的热阻
热阻结到焊接点
条件
注1
注意2 ;牛逼
s
= 90
°C
BF998WR
价值
350
200
单位
K / W
K / W
马克斯。
20
20
2.5
2
18
50
50
单位
V
V
V
V
mA
nA
nA
动态特性
常见的来源;牛逼
AMB
= 25
°C;
V
G2-S
= 4 V ;我
D
= 10毫安; V
DS
= 8 V ;除非另有规定。
符号
y
fs
C
ig1-s
C
ig2-s
C
os
C
rs
F
参数
正向转移导纳
在1号门的输入电容
在2号门的输入电容
漏 - 源电容
噪音科幻gure
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 200 MHz的;
S
= 2毫秒; B
S
= B
SOPT
条件
脉冲;吨
j
= 25
°C
分钟。
22
典型值。
25
2.1
1.2
1.05
25
0.6
1
马克斯。
2.5
单位
mS
pF
pF
pF
fF
dB
dB
反向传输电容F = 1兆赫
F = 800 MHz的;
S
= 3.3毫秒; B
S
= B
SOPT
1997年9月5日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道双栅极的MOS- FET的
BF998WR
MGC471
MGC470
24
3V
ID
（MA ）
16
V G2 S = 4 V
2V
24
ID
（MA ）
0.3 V
1V
16
0.2 V
0.1 V
0V
V G1 S =
0.4 V
8
8
0.1
V
0.2
V
0V
0
1
0
V G1 S（ V）
1
0
0
2
4
6
8
0.3
V
0.4
V
0.5
V
10
V DS （ V）
V
DS
= 8 V.
T
AMB
= 25
°C.
V
G2-S
= 4 V.
T
AMB
= 25
°C.
图3传输特性;典型值。
图4输出特性;典型值。
MGC472
MGC473
24
FS
ID
（女士）
16
最大
典型值
30
（女士）
24
4V
3V
2V
1V
18
民
8
12
6
V G2
S = 0 V
0
1600
1200
800
400
0
0
400
VG1 （毫伏）
0
4
8
12
16
0.5 V
20
I D （毫安）
V
DS
= 8 V; V
G2
= 4 V ;牛逼
AMB
= 25
°C.
V
DS
= 8 V ;牛逼
AMB
= 25
°C.
Fig.5
漏电流作为栅1的电压的函数;
典型值。
Fig.6
正向转移导纳的功能
漏电流;典型值。
1997年9月5日
5
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