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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第432页 > BF998RW
BF998/BF998R/BF998RW
威世德律风根
N沟道双栅MOS -场效应四极管，
耗尽型
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
应用
输入混频级的UHF调谐器。
特点
D
D
D
D
集成门极保护二极管
低噪声系数
低反馈电容
高交调性能
D
低输入电容
D
高AGC范围
D
高增益
2
1
1
2
94 9279
13 579
94 9278
95 10831
3
4
4
3
BF998标记： MO
塑料外壳（ SOT 143 ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
BF998R标记：铁道部
塑料外壳（ SOT 143R ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
1
2
13 654
13 566
4
3
BF998RW标记： WMO
塑料外壳（ SOT 343R ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
文档编号85011
第4版， 23军， 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (9)
BF998/BF998R/BF998RW
威世德律风根
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源电流峰值
门1 /门2 - 源极电压
总功耗
通道温度
存储温度范围
测试条件
符号
价值
V
DS
12
I
D
30
±I
G1/G2SM
10
±V
G1S/G2S
7
P
合计
200
T
Ch
150
T
英镑
-65到+150
单位
V
mA
mA
V
mW
°
C
°
C
T
AMB
≤
60
°
C
最大热阻
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
测试条件
上玻璃纤维印刷电路板的信道环境（ 25×20× 1.5） mm的
3
镀上35
m
M CU
符号
R
thChA
价值
450
单位
K / W
电气直流特性
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
漏 - 源
击穿电压
1号门 - 源
击穿电压
2号门 - 源
击穿电压
1号门 - 源
漏电流
2号门 - 源
漏电流
漏电流
测试条件
I
D
= 10
m
A,
–V
G1S
= –V
G2S
= 4 V
±I
G1S
= 10毫安，
V
G2S
= V
DS
= 0
±I
G2S
= 10毫安，
V
G1S
= V
DS
= 0
±V
G1S
= 5 V,
V
G2S
= V
DS
= 0
±V
G2S
= 5 V,
V
G1S
= V
DS
= 0
V
DS
= 8 V, V
G1S
= 0,
V
G2S
= 4 V
TYPE
符号
V
（ BR ） DS
±V
(BR)G1SS
±V
(BR)G2SS
±I
G1SS
±I
G2SS
BF998/BF998R/
BF998RW
BF998A/BF998RA/
BF998RAW
BF998B/BF998RB/
BF998RBW
I
DSS
I
DSS
I
DSS
–V
G1S(OFF)
–V
G2S(OFF)
4
4
9.5
1.0
0.6
民
12
7
7
典型值
最大单位
V
14
14
50
50
18
V
V
nA
nA
mA
10.5毫安
18
2.0
1.0
mA
V
V
1号门 - 源
截止电压
2号门 - 源
截止电压
V
DS
= 8 V, V
G2S
= 4 V,
I
D
= 20
m
A
V
DS
= 8 V, V
G1S
= 0,
I
D
= 20
m
A
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第4版， 23军， 99
BF998/BF998R/BF998RW
威世德律风根
AC电气特性
V
DS
= 8 V，I
D
= 10 mA时， V
G2S
= 4 V，F = 1 MHz时，T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
正向纳
1号门的输入电容
2号门的输入电容
反馈电容
输出电容
电源克
收益
AGC范围
噪声系数
g
测试条件
符号
y
21s
C
issg1
C
issg2
C
RSS
C
OSS
G
ps
G
ps
D
G
ps
F
F
民
21
典型值
24
2.1
1.1
25
1.05
28
20
1.0
1.5
最大
2.5
单位
mS
pF
pF
fF
pF
dB
dB
dB
dB
dB
V
G1S
= 0, V
G2S
= 4 V
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒， F = 200 MHz的
G
S
= 3,3毫秒，G
L
= 1毫秒， F = 800 MHz的
V
G2S
= 4 -2 V ， F = 800 MHz的
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒， F = 200 MHz的
G
S
= 3,3毫秒，G
L
= 1毫秒， F = 800 MHz的
16.5
40
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BF998/BF998R/BF998RW
威世德律风根
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C除非另有说明）
300
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
20
250
I
D
- 漏电流（mA ）
16
12
8
0
4
V
G1S
= –1V
0
0
96 12159
4V
V
DS
= 8V
5V
3V
2V
1V
200
150
100
50
20
40
60
80
100 120 140 160
12817
0
–0.6
–0.2
0.2
0.6
1.0
1.4
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
图1.总功耗对比
环境温度
30
25
I
D
- 漏电流（mA ）
20
15
10
5
0
0
12812
图4.漏电流与2号门源电压
3.0
V
G2S
= 4V
V
G1S
= 0.6V
C
issg1
- 1号门的输入电容（pF ）
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
–2
V
DS
=8V
V
G2S
=4V
f=1MHz
0.4V
0.2V
0
–0.2V
–0.4V
2
4
6
8
10
–1.5 –1.0 –0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
V
DS
- 漏源电压（ V）
12863
V
G1S
- 1号门源极电压（ V）
图2.漏极电流与漏源电压
图5.门1输入电容与
1号门源电压
3.0
C
OSS
- 输出电容（pF ）
20
V
DS
= 8V
I
D
- 漏电流（mA ）
16
12
8
4
0
–0.8
12816
6V
5V
4V
3V
2V
1V
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
V
G2S
=4V
f=1MHz
0
V
G2S
=–1V
–0.4
0.0
0.4
0.8
1.2
2
12864
4
6
8
10
12
V
G1S
- 1号门源极电压（ V）
V
DS
- 漏源电压（ V）
图3.漏电流与1号门源电压
图6.输出电容与漏源电压
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BF998/BF998R/BF998RW
威世德律风根
10
F = 800MHz的
- 传感器增益（dB ）
0
–10
–20
–0.2V
–30
–0.4V
–40
–50
–1
12818
4V
3V
2V
1V
0
IM（ Y） （MS ）
21
5
0
–5
–10
–15
–20
–25
–30
–35
–40
1300MHz
0
12821
V
DS
=8V
V
G2S
=4V
f=100...1300MHz
I
D
=5mA
10mA
20mA
f=100MHz
400MHz
700MHz
1000MHz
S
21
2
V
G2S
=–0.8V
–0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
4
8
12
16
20
24
28
32
V
G1S
- 1号门源极电压（ V）
回复（Y
21
） （女士）
图7.传感器增益与1号门源电压
y
21s
- 正向纳（MS ）
32
28
24
20
16
12
8
4
0
0
0
12819
图10.短路正向转移导纳
9
V
DS
=8V
f=1MHz
V
G2S
=4V
3V
IM（ Y） （MS ）
22
8
7
6
5
4
3
2
f=1300MHz
1000MHz
700MHz
400MHz
100MHz
0
0.25
0.50
0.75
V
DS
=15V
V
G2S
=4V
I
D
=10mA
f=100...1300MHz
1.00
1.25
1.50
2V
1V
1
0
20
24
28
12822
4
8
12
16
I
D
- 漏电流（mA ）
回复（Y
22
） （女士）
图8.正向纳主场迎战漏电流
20
18
16
14
IM（ Y） （MS ）
11
12
10
8
6
4
2
0
0
12820
图11.短路输出导纳
f=1300MHz
1000MHz
700MHz
V
DS
=8V
V
G2S
=4V
I
D
=10mA
f=100...1300MHz
6
8
10
12
14
400MHz
100MHz
2
4
回复（Y
11
） （女士）
图9.短路输入导纳
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BF998/BF998R/BF998RW
威世德律风根
N沟道双栅MOS -场效应四极管，
耗尽型
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
应用
输入混频级的UHF调谐器。
特点
D
D
D
D
集成门极保护二极管
低噪声系数
低反馈电容
高交调性能
D
低输入电容
D
高AGC范围
D
高增益
2
1
1
2
94 9279
13 579
94 9278
95 10831
3
4
4
3
BF998标记： MO
塑料外壳（ SOT 143 ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
BF998R标记：铁道部
塑料外壳（ SOT 143R ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
1
2
13 654
13 566
4
3
BF998RW标记： WMO
塑料外壳（ SOT 343R ）
1 =源， 2 =漏， 3 = 2门， 4门= 1
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BF998/BF998R/BF998RW
威世德律风根
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源电流峰值
门1 /门2 - 源极电压
总功耗
通道温度
存储温度范围
测试条件
符号
价值
V
DS
12
I
D
30
±I
G1/G2SM
10
±V
G1S/G2S
7
P
合计
200
T
Ch
150
T
英镑
-65到+150
单位
V
mA
mA
V
mW
°
C
°
C
T
AMB
≤
60
°
C
最大热阻
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
测试条件
上玻璃纤维印刷电路板的信道环境（ 25×20× 1.5） mm的
3
镀上35
m
M CU
符号
R
thChA
价值
450
单位
K / W
电气直流特性
T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
漏 - 源
击穿电压
1号门 - 源
击穿电压
2号门 - 源
击穿电压
1号门 - 源
漏电流
2号门 - 源
漏电流
漏电流
测试条件
I
D
= 10
m
A,
–V
G1S
= –V
G2S
= 4 V
±I
G1S
= 10毫安，
V
G2S
= V
DS
= 0
±I
G2S
= 10毫安，
V
G1S
= V
DS
= 0
±V
G1S
= 5 V,
V
G2S
= V
DS
= 0
±V
G2S
= 5 V,
V
G1S
= V
DS
= 0
V
DS
= 8 V, V
G1S
= 0,
V
G2S
= 4 V
TYPE
符号
V
（ BR ） DS
±V
(BR)G1SS
±V
(BR)G2SS
±I
G1SS
±I
G2SS
BF998/BF998R/
BF998RW
BF998A/BF998RA/
BF998RAW
BF998B/BF998RB/
BF998RBW
I
DSS
I
DSS
I
DSS
–V
G1S(OFF)
–V
G2S(OFF)
4
4
9.5
1.0
0.6
民
12
7
7
典型值
最大单位
V
14
14
50
50
18
V
V
nA
nA
mA
10.5毫安
18
2.0
1.0
mA
V
V
1号门 - 源
截止电压
2号门 - 源
截止电压
V
DS
= 8 V, V
G2S
= 4 V,
I
D
= 20
m
A
V
DS
= 8 V, V
G1S
= 0,
I
D
= 20
m
A
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BF998/BF998R/BF998RW
威世德律风根
AC电气特性
V
DS
= 8 V，I
D
= 10 mA时， V
G2S
= 4 V，F = 1 MHz时，T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定编
参数
正向纳
1号门的输入电容
2号门的输入电容
反馈电容
输出电容
电源克
收益
AGC范围
噪声系数
g
测试条件
符号
y
21s
C
issg1
C
issg2
C
RSS
C
OSS
G
ps
G
ps
D
G
ps
F
F
民
21
典型值
24
2.1
1.1
25
1.05
28
20
1.0
1.5
最大
2.5
单位
mS
pF
pF
fF
pF
dB
dB
dB
dB
dB
V
G1S
= 0, V
G2S
= 4 V
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒， F = 200 MHz的
G
S
= 3,3毫秒，G
L
= 1毫秒， F = 800 MHz的
V
G2S
= 4 -2 V ， F = 800 MHz的
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒， F = 200 MHz的
G
S
= 3,3毫秒，G
L
= 1毫秒， F = 800 MHz的
16.5
40
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BF998/BF998R/BF998RW
威世德律风根
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C除非另有说明）
300
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
20
250
I
D
- 漏电流（mA ）
16
12
8
0
4
V
G1S
= –1V
0
0
96 12159
4V
V
DS
= 8V
5V
3V
2V
1V
200
150
100
50
20
40
60
80
100 120 140 160
12817
0
–0.6
–0.2
0.2
0.6
1.0
1.4
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
图1.总功耗对比
环境温度
30
25
I
D
- 漏电流（mA ）
20
15
10
5
0
0
12812
图4.漏电流与2号门源电压
3.0
V
G2S
= 4V
V
G1S
= 0.6V
C
issg1
- 1号门的输入电容（pF ）
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
–2
V
DS
=8V
V
G2S
=4V
f=1MHz
0.4V
0.2V
0
–0.2V
–0.4V
2
4
6
8
10
–1.5 –1.0 –0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
V
DS
- 漏源电压（ V）
12863
V
G1S
- 1号门源极电压（ V）
图2.漏极电流与漏源电压
图5.门1输入电容与
1号门源电压
3.0
C
OSS
- 输出电容（pF ）
20
V
DS
= 8V
I
D
- 漏电流（mA ）
16
12
8
4
0
–0.8
12816
6V
5V
4V
3V
2V
1V
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
V
G2S
=4V
f=1MHz
0
V
G2S
=–1V
–0.4
0.0
0.4
0.8
1.2
2
12864
4
6
8
10
12
V
G1S
- 1号门源极电压（ V）
V
DS
- 漏源电压（ V）
图3.漏电流与1号门源电压
图6.输出电容与漏源电压
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4 (9)
文档编号85011
第4版， 23军， 99
BF998/BF998R/BF998RW
威世德律风根
10
F = 800MHz的
- 传感器增益（dB ）
0
–10
–20
–0.2V
–30
–0.4V
–40
–50
–1
12818
4V
3V
2V
1V
0
IM（ Y） （MS ）
21
5
0
–5
–10
–15
–20
–25
–30
–35
–40
1300MHz
0
12821
V
DS
=8V
V
G2S
=4V
f=100...1300MHz
I
D
=5mA
10mA
20mA
f=100MHz
400MHz
700MHz
1000MHz
S
21
2
V
G2S
=–0.8V
–0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
4
8
12
16
20
24
28
32
V
G1S
- 1号门源极电压（ V）
回复（Y
21
） （女士）
图7.传感器增益与1号门源电压
y
21s
- 正向纳（MS ）
32
28
24
20
16
12
8
4
0
0
0
12819
图10.短路正向转移导纳
9
V
DS
=8V
f=1MHz
V
G2S
=4V
3V
IM（ Y） （MS ）
22
8
7
6
5
4
3
2
f=1300MHz
1000MHz
700MHz
400MHz
100MHz
0
0.25
0.50
0.75
V
DS
=15V
V
G2S
=4V
I
D
=10mA
f=100...1300MHz
1.00
1.25
1.50
2V
1V
1
0
20
24
28
12822
4
8
12
16
I
D
- 漏电流（mA ）
回复（Y
22
） （女士）
图8.正向纳主场迎战漏电流
20
18
16
14
IM（ Y） （MS ）
11
12
10
8
6
4
2
0
0
12820
图11.短路输出导纳
f=1300MHz
1000MHz
700MHz
V
DS
=8V
V
G2S
=4V
I
D
=10mA
f=100...1300MHz
6
8
10
12
14
400MHz
100MHz
2
4
回复（Y
11
） （女士）
图9.短路输入导纳
文档编号85011
第4版， 23军， 99
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FaxBack + 1-408-970-5600
5 (9)
不适用于新的设计，这款产品将很快过时
BF998/BF998R/BF998RW
威世半导体
N沟道双栅MOS -场效应四极管，耗尽型
2
1
特点
集成门极保护二极管
低噪声系数
e3
低反馈电容
高交调性能
低输入电容
高AGC范围
高增益
铅（Pb ） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
SOT143
3
1
4
2
SOT143R
4
1
3
2
SOT343R
应用
输入和混音器的UHF调谐器阶段
4
3
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
19216
机械数据
典型值：
BF998
案例：
SOT143塑料外壳
重量：
约。 8.0毫克
标记：
MO
穿针：
1 =源， 2 =排水，
3 = 2门， 4门= 1
典型值：
BF998R
案例：
SOT143R塑料外壳
重量：
约。 8.0毫克
标记：
铁道部
穿针：
1 =源， 2 =排水，
3 = 2门， 4门= 1
典型值：
BF998RW
案例：
SOT343R塑料外壳
重量：
约。 6.0毫克
标记：
WMO
穿针：
1 =源， 2 =排水，
3 = 2门， 4门= 1
零件表
部分
BF998
BF998A
BF998R
BF998RA
BF998RW
BF998RAW
BF998RBW
订购代码
BF998A-GS08
BF998A-GS08
BF998RA-GS08
BF998RA-GS08
BF998RAW - GS08或
BF998RBW-GS08
BF998RAW-GS08
BF998RBW-GS08
键入标记
MO
MO
铁道部
铁道部
WMO
WMO
WMO
备注
SOT143
SOT143
SOT143R
SOT143R
SOT343R
SOT343R
SOT343R
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BF998/BF998R/BF998RW
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源峰
当前
门1 /门2 - 源极电压
总功耗
通道温度
存储温度范围
T
AMB
≤
60 °C
测试条件
符号
V
DS
I
D
± I
G1/G2SM
± V
G1S/G2S
P
合计
T
Ch
T
英镑
价值
12
30
10
7
200
150
- 65至+ 150
单位
V
mA
mA
V
mW
°C
°C
热特性
参数
通道环境
1)
测试条件
1)
符号
R
thChA
价值
450
单位
K / W
上玻璃纤维印刷电路板（ 25×20× 1.5） mm的
3
镀上35微米铜
电气直流特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
漏极 - 源极击穿
电压
1号门 - 源极击穿
电压
2号门 - 源极击穿
电压
1号门 - 源极漏电流
2号门 - 源极漏电流
测试条件
I
D
= 10
μA,
- V
G1S
= - V
G2S
= 4 V
± I
G1S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0
± I
G2S
= 10 mA时， V
G1S
= V
DS
= 0
± V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
± V
G2S
= 5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
BF998/
BF998R/
BF998RW
漏电流
V
DS
= 8 V, V
G1S
= 0, V
G2S
= 4 V
BF998A/
BF998RA/
BF998RAW
BF998RBW
1号门 - 源截止电压
2号门 - 源截止电压
V
DS
= 8 V, V
G2S
= 4 V，I
D
= 20
μA
V
DS
= 8 V, V
G1S
= 0, I
D
= 20
μA
部分
符号
V
（ BR ） DS
± V
(BR)G1SS
± V
(BR)G2SS
± I
G1SS
± I
G2SS
I
DSS
4
分钟。
12
7
7
14
14
50
50
18
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
mA
I
DSS
I
DSS
- V
G1S(OFF)
- V
G2S(OFF)
4
9.5
1.0
0.6
10.5
18
2.0
1.0
mA
mA
V
V
AC电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
V
DS
= 8 V，I
D
= 10 mA时， V
G2S
= 4 V，F = 1兆赫
参数
正向纳
1号门的输入电容
2号门的输入电容
反馈电容
输出电容
V
G1S
= 0, V
G2S
= 4 V
测试条件
符号
|y
21s
|
C
issg1
C
issg2
C
RSS
C
OSS
分钟。
21
典型值。
24
2.1
1.1
25
1.05
2.5
马克斯。
单位
mS
pF
pF
fF
pF
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BF998/BF998R/BF998RW
威世半导体
参数
测试条件
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒，
F = 200 MHz的
G
S
= 3,3毫秒，G
L
= 1毫秒，
F = 800 MHz的
V
G2S
= 4 -2 V ， F = 800 MHz的
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒，
F = 200 MHz的
G
S
= 3,3毫秒，G
L
= 1毫秒，
F = 800 MHz的
符号
G
ps
G
ps
ΔG
ps
F
F
16.5
40
1.0
1.5
分钟。
典型值。
28
20
马克斯。
单位
dB
dB
dB
dB
dB
功率增益
AGC范围
噪声系数
共源S参数
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
V
DS
= 8 V, V
G2S
= 4 V，Z
0
= 50
Ω
ID / MA
F / MHz的
登录
MAG
S11
昂
度
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
- 0.03
- 0.15
- 0.34
- 0.70
- 1.03
- 1.33
- 1.62
- 1.92
- 2.21
- 2.49
- 2.80
- 3.07
- 3.31
- 0.05
- 0.16
- 0.48
- 0.76
- 1.11
- 1.43
- 1.75
- 2.07
- 2.40
- 2.70
- 3.03
- 3.32
- 3.59
- 0.05
- 0.17
- 0.50
- 0.81
- 1.18
- 1.52
- 1.86
- 2.20
- 2.53
- 2.86
- 3.21
- 3.50
- 3.80
- 7.2
- 14.1
- 20.9
- 32.1
- 39.2
- 45.8
- 52.3
- 58.7
- 64.7
- 70.7
- 76.6
- 82.5
- 88.6
- 9.0
- 18.7
- 26.0
- 33.7
- 41.2
- 48.3
- 55.1
- 61.6
- 67.9
- 74.2
- 80.2
- 86.4
- 92.3
- 9.4
- 19.4
- 27.1
- 35.0
- 42.9
- 50.3
- 57.2
- 63.9
- 70.4
- 76.8
- 82.9
- 89.0
- 95.1
5.71
5.51
5.20
2.01
1.45
0.94
0.43
- 0.10
- 0.59
- 1.12
- 1.52
- 1.93
- 2.35
5.19
5.58
4.45
3.95
3.40
2.88
2.39
1.88
1.39
0.90
0.50
0.13
- 0.28
6.07
6.44
5.31
4.80
4.23
3.72
3.22
2.72
2.24
1.74
1.34
0.95
0.56
登录
MAG
S21
昂
度
168.8
157.3
134.7
121.3
108.4
96.5
85.0
74.1
63.6
53.1
43.7
33.6
24.1
165.3
151.8
136.3
123.3
110.9
99.5
88.7
78.1
67.9
57.9
48.7
38.9
29.6
165.4
152.0
136.7
123.8
111.5
100.3
89.6
79.4
69.2
59.4
50.2
40.8
31.5
- 55.94
- 50.26
- 48.51
- 46.98
- 46.40
- 46.40
- 47.02
- 47.53
- 47.81
- 48.52
- 48.53
- 46.95
- 44.44
- 56.24
- 49.97
- 47.91
- 46.48
- 45.91
- 45.91
- 46.53
- 47.13
- 47.41
- 48.21
- 48.43
- 47.04
- 44.54
- 55.74
- 49.47
- 47.41
- 45.98
- 45.41
- 45.41
- 46.13
- 46.63
- 47.00
- 47.91
- 48.33
- 47.04
- 44.53
登录
MAG
S12
昂
度
83.6
76.8
67.7
62.8
57.8
57.3
58.9
63.3
73.1
83.5
102.1
120.4
131.7
81.9
75.0
67.2
61.8
56.3
55.8
56.7
60.7
69.9
80.0
98.9
118.2
130.5
81.4
74.6
66.4
60.8
55.1
54.4
54.9
58.5
67.3
76.7
95.2
115.3
128.7
- 0.08
- 0.13
- 0.29
- 0.44
- 0.59
- 0.76
- 0.91
- 1.08
- 1.26
- 1.45
- 1.57
- 1.75
- 1.92
- 0.11
- 0.21
- 0.33
- 0.47
- 0.65
- 0.81
- 0.96
- 1.12
- 1.32
- 1.49
- 1.61
- 1.79
- 1.96
- 0.15
- 0.24
- 0.36
- 0.52
- 0.68
- 0.84
- 1.02
- 1.16
- 1.35
- 1.53
- 1.66
- 1.84
- 2.00
登录
MAG
S22
昂
度
- 3.6
- 7.0
- 9.7
- 12.3
- 15.1
- 17.4
- 19.7
- 22.0
- 24.3
- 26.2
- 28.4
- 30.5
- 32.7
- 3.5
- 7.2
- 9.8
- 12.6
- 15.3
- 17.8
- 20.0
- 22.4
- 24.6
- 26.6
- 28.8
- 31.0
- 33.3
- 3.6
- 7.3
- 10.0
- 12.9
- 15.7
- 18.0
- 20.4
- 22.7
- 25.0
- 27.1
- 29.4
- 31.6
- 33.9
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3
5
10
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BF998/BF998R/BF998RW
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
300
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
20
250
I
D
- 漏电流（mA ）
16
12
8
200
150
100
50
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
12817
4
V
V
DS
=
8 V
5
V
3
V
2
V
1
V
0
4
V
G1S
= - 1
V
0
- 0.6
- 0.2
0.2
0.6
1.0
1.4
96 12159
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
V
G2S
- 门源2
电压
(V)
图1.总功率耗散与环境温度
图4.漏电流与2号门源电压
25
V
G2S
= 4
V
C
issg1
- 1号门的输入电容（pF ）
30
V
G1S
= 0.6
V
0.4
V
0.2
V
0
- 0.2
V
- 0.4
V
0
0
12812
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
- 2 - 1.5
V
DS
=
8 V
V
G2S
= 4
V
F = 1 MHz的
I
D
- 漏电流（mA ）
20
15
10
5
2
4
6
8
10
-1
- 0.5
0
0.5
1.0
1.5
V
DS
- 漏源
电压
(V)
12863
V
G1S
- 门源1
电压
(V)
图2.漏极电流与漏源电压
图5.门1输入电容与1号门源电压
20
V
DS
=
8 V
6
V
5
V
4
V
12
8
4
0
- 0.8
12816
C
OSS
- 输出电容（pF ）
3
V
2
V
1
V
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
1.2
12864
I
D
- 漏电流（mA ）
16
V
G2S
= 4
V
F = 1 MHz的
0
V
G2S
= - 1
V
- 0.4
0.0
0.4
0.8
2
4
6
8
10
12
V
G1S
- 门源1
电压
(V)
V
DS
- 漏源
电压
(V)
图3.漏电流与1号门源电压
图6.输出电容与漏源电压
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4
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BF998/BF998R/BF998RW
威世半导体
10
f =
800
兆赫
- 传感器增益（dB ）
0
- 10
- 20
4
V
3
V
2
V
1
V
0
- 0.2
V
IM （Y
21
） （女士）
5
0
-5
- 10
- 15
- 20
- 25
- 30
- 35
- 40
1300兆赫
0
12821
V
DS
=
8 V
V
G2S
= 4
V
F = 100 ... 1300兆赫
I
D
= 5毫安
10毫安
20毫安
F = 100 MHz的
400兆赫
700兆赫
1000兆赫
- 30
- 0.4
V
- 40
- 50
- 1.0
V
G2S
= - 0.8
V
- 0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
S
21
2
4
8
12
16
20
24
28
32
12818
V
G1S
- 门源1
电压
(V)
回复（Y
21
） （女士）
图7.传感器增益与1号门源电压
图10.短路正向转移导纳
y
21s
- 正向纳（毫秒）
32
28
24
20
16
12
8
4
0
0
0
4
8
12
16
20
24
28
I
D
- 漏电流（mA ）
1
V
2
V
V
DS
=
8 V
F = 1 MHz的
V
G2S
= 4
V
3
V
IM （Y
22
） （女士）
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0.00
12822
F = 1300 MHz的
1000兆赫
700兆赫
400兆赫
100兆赫
0.25
0.50
V
DS
= 15
V
V
G2S
= 4
V
I
D
= 10毫安
F = 100 ... 1300兆赫
1.00
1.25
1.50
0.75
12819
回复（Y
22
） （女士）
图8.正向纳主场迎战漏电流
图11.短路输出导纳
20
18
16
14
IM （Y
11
） （女士）
12
10
8
6
4
2
0
0
12820
F = 1300 MHz的
1000兆赫
700兆赫
V
DS
=
8 V
V
G2S
= 4
V
I
D
= 10毫安
F = 100 ... 1300兆赫
6
8
10
12
14
400兆赫
100兆赫
2
4
回复（Y
11
） （女士）
图9.短路输入导纳
文档编号85011
修订版1.8 ， 05 09月08
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