【分立半导体数据表BF991N沟道双栅极的MOS- FET的产品speci fi cation在分离式】,IC型号BF991,BF991 PDF资料,BF991经销商,ic,电子元器件-51电子网

分立半导体

数据表

BF991

N沟道双栅极的MOS- FET的

产品speci fi cation

在分离式半导体文件， SC07

1991年4月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道双栅极的MOS- FET的

特点

防止过高的输入电压浪涌通过

门之间的整合后端到后端二极管

和源极。

应用

甚高频应用，例如：

- VHF电视调谐器和FM调谐器

- 专业的通讯设备。

钉扎

针

符号

S，B

来源

漏

门2

门1

顶视图

标识代码：

M91.

MAM039

手册， halfpage

BF991

描述

在一个塑料SOT143耗尽型场效应晶体管

超小型封装与互连的源

和底物。

描述

S，B

Fig.1简化外形（ SOT143 ）和符号。

快速参考数据

符号

合计

ig1-s

参数

漏源电压

漏电流

总功耗

结温

转移导纳

反馈电容

噪音科幻gure

F = 1千赫我

= 10毫安; V

= 10 V; V

G2-S

= 4 V

最多至T

AMB

= 60

°C

条件

典型值。

马克斯。

200

150

单位

°C

在1号门F = 1 MHz的输入电容;我

= 10毫安; V

= 10 V; V

G2-S

= 4 V 2.1

F = 1兆赫;我

= 10毫安; V

= 10 V; V

G2-S

= 4 V 20

F = 200 MHz的;

= 2毫秒; B

= B

SOPT

;

= 10毫安; V

= 10 V; V

G2-S

= 4 V

1991年4月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道双栅极的MOS- FET的

极限值

在根据绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

D（ AV ）

G1-S

G2-S

合计

英镑

参数

漏源电压

漏电流（ DC ）

平均漏电流

1号门 - 源极电流

2号门 - 源极电流

总功耗

储存温度

结温

最多至T

AMB

= 60

°C;

注1

条件

分钟。

马克斯。

±10

200

+150

150

BF991

单位

°C

热特性

符号

日J-一

参数

从结点到环境的热阻

条件

在自由空气中;注1

价值

460

单位

K / W

需要注意的限制值和热特性

1.装置安装在8的陶瓷基板

0.7 mm.

手册， halfpage

200

MGE792

P合计

（ mW）的

100

TAMB （ ° C）

200

图2功率降额曲线。

1991年4月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道双栅极的MOS- FET的

静态特性

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

G1-SS

G2-SS

DSS

(BR)G1-SS

(BR)G2-SS

(P)G1-S

(P)G2-S

参数

门1的截止电流

门2的截止电流

漏电流

条件

G1-S

= 5 V; V

G2-S

= V

= 0

G2-S

= 5 V; V

G1-S

= V

= 0

= 10 V; V

G1-S

= 0; V

G2-S

= 4 V

分钟。

BF991

马克斯。

2.5

单位

1号门 - 源极击穿电压I

G1-SS

= 10毫安; V

G2-S

= V

= 0

2号门 - 源极击穿电压I

G2-SS

= 10毫安; V

G1-S

= V

= 0

栅1 - 源截止电压

门2 - 源截止电压

= 20

= 10 V; V

G2-S

= 4 V

= 20

= 10 V; V

G1-S

= 0

动态特性

测量条件（共源）：我

= 10毫安; V

= 10 V; V

G2-S

= 4 V ;牛逼

AMB

= 25

°C.

符号

ig1-s

ig2-s

参数

转移导纳

在1号门的输入电容

在2号门的输入电容

反馈电容

输出电容

噪音科幻gure

换能器的增益;注1

F = 1千赫

F = 1 MHz的

F = 100 MHz的;

= 1毫秒; B

= B

SOPT

F = 200 MHz的;

= 2毫秒; B

= B

SOPT

F = 100 MHz的;

= 1毫秒; B

= B

SOPT

;

= 0.5毫秒; B

= B

LOPT

F = 200 MHz的;

= 2毫秒; B

= B

SOPT

;

= 0.5毫秒; B

= B

LOPT

记

1.晶体安装在SOT103封装。

条件

分钟。

典型值。

2.1

1.1

0.7

马克斯。

1.7

单位

1991年4月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道双栅极的MOS- FET的

包装外形

BF991

手册，全页宽

0.75

0.60

0.150

0.090

0.1

最大

3.0

2.8

1.9

0.2 M A B

最大

1.4

1.2

2.5

最大

1.1

最大

0.1 M A B

最大

0.88

0.1

1.7

0.48

0.1

MBC845

顶视图

尺寸（mm）。

参见

焊接建议。

图3 SOT143 。

释义

数据表状态

客观的特定网络阳离子

初步speci fi cation

产品speci fi cation

极限值

给定的限值按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。强调以上一个或

更多的限制，可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只有经营

该设备在这些或高于任何其他条件的特定网络阳离子的特性部分给出的

是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。

应用信息

其中应用信息被给出，它是咨询，并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。

生命支持应用

这些产品并非设计用于生命支持设备，设备或系统中使用，其中这些故障

产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户

在这类应用中使用这样做在自己的风险，并同意完全赔偿飞利浦对此类造成的任何损坏

不当使用或销售。

此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。

此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。

此数据表包含网络最终产品规范阳离子。

1991年4月

BF991

N沟道双栅极的MOS- FET的

牧师03 - 二○○七年十一月二十日

产品数据表

重要通知

尊敬的客户，

从2006年10月1日飞利浦半导体有一个新的商标名称

- 恩智浦半导体，这将在未来的数据表使用与新接触

详细信息。

在数据表在先前飞利浦引用仍然存在，请使用新的链接

如下所示。

http://www.philips.semiconductors.com使用http://www.nxp.com

http://www.semiconductors.philips.com使用http://www.nxp.com （互联网）

sales.addresses@www.semiconductors.philips.com使用salesaddresses@nxp.com

（电子邮件）

根据版本）

被替换为：

如果您有相关的数据资料有任何疑问，请联系我们最近的销售

（通过salesaddresses@nxp.com细节）通过电子邮件或电话连接的CE认证。感谢您

合作与理解，

恩智浦半导体

恩智浦

半导体

产品speci fi cation

N沟道双栅极的MOS- FET的

特点

防止过高的输入电压浪涌通过

门之间的整合后端到后端二极管

和源极。

应用

甚高频应用，例如：

- VHF电视调谐器和FM调谐器

- 专业的通讯设备。

钉扎

针

符号

S，B

来源

漏

门2

门1

顶视图

标识代码：

MA ％。

MAM039

手册， halfpage

BF991

描述

在一个塑料SOT143耗尽型场效应晶体管

超小型封装与互连的源

和底物。

描述

S，B

Fig.1简化外形（ SOT143 ）和符号。

快速参考数据

符号

合计

ig1-s

参数

漏源电压

漏电流

总功耗

结温

转移导纳

反馈电容

噪音科幻gure

F = 1千赫我

= 10毫安; V

= 10 V; V

G2-S

= 4 V

最多至T

AMB

= 60

°C

条件

典型值。

马克斯。

200

150

单位

°C

在1号门F = 1 MHz的输入电容;我

= 10毫安; V

= 10 V; V

G2-S

= 4 V 2.1

F = 1兆赫;我

= 10毫安; V

= 10 V; V

G2-S

= 4 V 20

F = 200 MHz的;

= 2毫秒; B

= B

SOPT

;

= 10毫安; V

= 10 V; V

G2-S

= 4 V

牧师03 - 二○○七年十一月二十日

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恩智浦

半导体

产品speci fi cation

N沟道双栅极的MOS- FET的

极限值

在根据绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

D（ AV ）

G1-S

G2-S

合计

英镑

参数

漏源电压

漏电流（ DC ）

平均漏电流

1号门 - 源极电流

2号门 - 源极电流

总功耗

储存温度

结温

最多至T

AMB

= 60

°C;

注1

条件

分钟。

马克斯。

±10

200

+150

150

BF991

单位

°C

热特性

符号

日J-一

参数

从结点到环境的热阻

条件

在自由空气中;注1

价值

460

单位

K / W

需要注意的限制值和热特性

1.装置安装在8的陶瓷基板

0.7 mm.

手册， halfpage

200

MGE792

P合计

（ mW）的

100

TAMB （ ° C）

200

图2功率降额曲线。

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恩智浦

半导体

产品speci fi cation

N沟道双栅极的MOS- FET的

静态特性

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

G1-SS

G2-SS

DSS

(BR)G1-SS

(BR)G2-SS

(P)G1-S

(P)G2-S

参数

门1的截止电流

门2的截止电流

漏电流

条件

G1-S

= 5 V; V

G2-S

= V

= 0

G2-S

= 5 V; V

G1-S

= V

= 0

= 10 V; V

G1-S

= 0; V

G2-S

= 4 V

分钟。

BF991

马克斯。

2.5

单位

1号门 - 源极击穿电压I

G1-SS

= 10毫安; V

G2-S

= V

= 0

2号门 - 源极击穿电压I

G2-SS

= 10毫安; V

G1-S

= V

= 0

栅1 - 源截止电压

门2 - 源截止电压

= 20

= 10 V; V

G2-S

= 4 V

= 20

= 10 V; V

G1-S

= 0

动态特性

测量条件（共源）：我

= 10毫安; V

= 10 V; V

G2-S

= 4 V ;牛逼

AMB

= 25

°C.

符号

ig1-s

ig2-s

参数

转移导纳

在1号门的输入电容

在2号门的输入电容

反馈电容

输出电容

噪音科幻gure

换能器的增益;注1

F = 1千赫

F = 1 MHz的

F = 100 MHz的;

= 1毫秒; B

= B

SOPT

F = 200 MHz的;

= 2毫秒; B

= B

SOPT

F = 100 MHz的;

= 1毫秒; B

= B

SOPT

;

= 0.5毫秒; B

= B

LOPT

F = 200 MHz的;

= 2毫秒; B

= B

SOPT

;

= 0.5毫秒; B

= B

LOPT

记

1.晶体安装在SOT103封装。

条件

分钟。

典型值。

2.1

1.1

0.7

马克斯。

1.7

单位

牧师03 - 二○○七年十一月二十日

4 7

恩智浦

半导体

产品speci fi cation

N沟道双栅极的MOS- FET的

包装外形

BF991

手册，全页宽

0.75

0.60

0.150

0.090

0.1

最大

3.0

2.8

1.9

0.2 M A B

最大

1.4

1.2

2.5

最大

1.1

最大

0.1 M A B

最大

0.88

0.1

1.7

0.48

0.1

MBC845

顶视图

尺寸（mm）。

参见

焊接建议。

图3 SOT143 。

牧师03 - 二○○七年十一月二十日

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