【BF988N沟道双栅MOS -场效应四极管，耗尽型静电敏感器件。遵守的注意事项来处理。应用VHF波段】,IC型号BF988A,BF988A PDF资料,BF988A经销商,ic,电子元器件-51电子网

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BF988

N沟道双栅MOS -场效应四极管，

耗尽型

静电敏感器件。

遵守的注意事项来处理。

应用

VHF波段的输入和混频级和UHF调谐器。

特点

D

D

D

D

集成门极保护二极管

高交调性能

低噪声系数

高增益

D

高AGC范围

D

低反馈电容

D

低输入电容

3

4

2

94 9307

96 12647

G

2

G

1

1

D

BF988标记： BF988

塑料盒（ 50个）

1漏， 2来源， 3门1 ， 4门2

+

+

+

+

12623

S

绝对最大额定值

参数

漏源电压

漏电流

门1 /门2源峰值电流

总功耗

通道温度

存储温度范围

T

AMB

≤

60°C

符号

V

DS

I

D

±I

G1/2SM

P

合计

T

Ch

T

英镑

价值

12

30

10

200

150

-55到+150

单位

V

mA

mA

mW

°C

°C

最大热阻

参数

玻璃纤维印刷电路板通道环境

（ 40 ×25× 1.5 ）毫米

3

镀上35

m

M CU

符号

R

thChA

价值

450

单位

K / W

得力风根半导体

牧师A2 ， 29 -JAN- 97

1 (8)

BF988

电气直流特性

T

AMB

= 25℃ ，除非另有说明

参数/测试条件

漏源击穿电压

I

D

= 10

m

A， -V

G1S

= –V

G2S

= 4 V

1号门 - 源极击穿电压

±I

G1S

= 10 mA时， V

G2S

= V

DS

= 0

2号门 - 源极击穿电压

±I

G2S

= 10 mA时， V

G1S

= V

DS

= 0

1号门源漏电流

±V

G1S

= 5 V, V

G2S

= V

DS

= 0

2号门源漏电流

±V

G2S

= 5 V, V

G1S

= V

DS

= 0

漏电流

V

DS

= 8 V, V

G1S

= 0, V

G2S

= 4 V

TYPE

符号

V

（ BR ） DS

±V

(BR)G1SS

±V

(BR)G2SS

±I

G1SS

±I

G2SS

BF988

BF988A

BF988B

I

DSS

I

DSS

I

DSS

–V

G1S(OFF)

–V

G2S(OFF)

4

4

9.5

分钟。

12

8

8

14

14

50

50

18

10.5

18

2.5

2.0

典型值。

马克斯。

单位

V

V

V

nA

nA

mA

mA

mA

V

V

栅1 - 源截止电压

V

DS

= 8 V, V

G2S

= 4 V，I

D

= 20

m

A

门2 - 源截止电压

V

DS

= 8 V, V

G1S

= 0, I

D

= 20

m

A

AC电气特性

V

DS

= 8 V，I

D

= 10 mA时， V

G2S

= 4 V，F = 1 MHz时，T

AMB

= 25℃ ，除非另有说明

参数/测试条件

转发率

门1输入电容

门2输入电容

V

G1S

= 0, V

G2S

= 4 V

反馈电容

输出电容

功率增益

g

S

= 2毫秒，G

L

= 0.5毫秒， F = 200 MHz的

g

S

= 3.3毫秒，G

L

= 1毫秒， F = 800 MHz的

AGC范围

V

G2S

= 4 -2 V ， F = 800 MHz的

噪声系数

g

S

= 2毫秒，G

L

= 0.5毫秒， F = 200 MHz的

g

S

= 3.3毫秒，G

L

= 1毫秒， F = 800 MHz的

TYPE

符号

y

21s

C

issg1

C

issg2

C

RSS

C

OSS

G

ps

G

ps

G

ps

F

F

分钟。

21

典型值。

24

2.1

1.2

25

1.05

28

20

2.5

马克斯。

单位

mS

pF

pF

fF

pF

dB

dB

dB

1

1.5

dB

dB

16.5

40

2 (8)

得力风根半导体

牧师A2 ， 29 -JAN- 97

BF988

共源S参数

V

G2S

= 4 V，Z

0

= 50

W

S

11

V

DS

/V

I

D

/ MA

F / MHz的

登录

MAG

dB

–0.02

–0.10

–0.31

–0.56

–0.87

–1.26

–1.59

–2.04

–2.42

–2.88

–3.39

–3.94

–4.46

–0.02

–0.11

–0.35

–0.62

–0.97

–1.39

–1.76

–2.25

–2.67

–3.16

–3.72

–4.30

–4.87

–0.01

–0.13

–0.37

–0.66

–1.02

–1.47

–1.85

–2.36

–2.80

–3.30

–3.89

–4.49

–5.06

昂

度

–7.8

–15.3

–22.8

–30.2

–37.3

–44.3

–50.9

–58.0

–64.4

–71.4

–78.3

–85.2

–91.8

–8.3

–16.1

–24.0

–31.6

–39.2

–46.4

–53.2

–60.3

–67.1

–74.1

–81.1

–88.0

–94.4

–8.4

–16.4

–24.5

–32.3

–39.8

–47.0

–54.1

–61.3

–67.9

–75.0

–82.0

–88.8

–95.2

登录

MAG

dB

6.01

5.87

5.69

5.42

5.17

4.85

4.54

4.25

4.02

3.78

3.42

3.21

3.01

7.84

7.70

7.49

7.21

6.93

6.59

6.27

5.97

5.71

5.46

5.07

4.85

4.63

8.62

8.46

8.26

7.96

7.66

7.33

6.98

6.68

6.42

6.15

5.75

5.52

5.30

S

21

昂

度

168.4

156.3

144.2

132.9

121.5

110.6

100.4

90.2

80.6

70.8

60.5

51.6

42.0

168.5

156.6

144.8

133.6

122.5

111.9

101.9

92.1

82.8

73.3

63.3

54.6

45.4

168.6

156.8

145.2

134.0

122.9

112.3

102.6

92.8

83.7

74.3

64.6

56.0

46.9

登录

MAG

dB

–56.27

–50.61

–47.70

–46.19

–45.46

–45.84

–47.31

–48.19

–50.37

–49.48

–47.92

–44.65

–41.76

–55.67

–50.01

–47.20

–45.60

–44.88

–45.25

–46.51

–47.19

–49.28

–48.99

–48.03

–45.15

–42.46

–55.26

–49.61

–46.70

–45.10

–44.38

–44.65

–45.72

–46.29

–48.18

–48.49

–47.93

–45.75

–43.05

S

12

昂

度

83.0

76.6

70.9

65.6

60.6

55.4

58.6

63.3

81.5

115.6

131.7

153.0

159.8

83.0

76.4

70.3

65.1

60.0

54.5

57.4

61.4

76.0

107.1

123.3

147.6

157.0

83.0

76.3

70.3

64.9

59.7

54.3

57.0

60.0

71.9

98.7

114.8

141.2

153.4

登录

MAG

dB

–0.02

–0.06

–0.13

–0.20

–0.28

–0.36

–0.43

–0.49

–0.52

–0.54

–0.66

–0.66

–0.66

–0.04

–0.09

–0.16

–0.23

–0.31

–0.42

–0.48

–0.55

–0.58

–0.60

–0.73

–0.73

–0.73

–0.07

–0.12

–0.20

–0.27

–0.36

–0.47

–0.53

–0.61

–0.64

–0.66

–0.77

–0.79

–0.79

S

22

昂

度

–3.6

–7.3

–10.6

–14.2

–17.5

–20.5

–23.8

–26.8

–30.2

–33.4

–36.8

–40.1

–43.9

–3.7

–7.4

–10.8

–14.3

–17.9

–20.9

–24.1

–27.3

–30.6

–33.8

–37.2

–40.6

–44.3

–3.7

–7.5

–11.0

–14.4

–18.0

–20.9

–24.2

–27.4

–30.6

–33.9

–37.3

–40.8

–44.5

5

8

10

15

100

200

300

400

500

600

700

800

900

1000

1100

1200

1300

100

200

300

400

500

600

700

800

900

1000

1100

1200

1300

100

200

300

400

500

600

700

800

900

1000

1100

1200

1300

得力风根半导体

牧师A2 ， 29 -JAN- 97

3 (8)

BF988

典型特征

(T

j

= 25

_

C除非另有说明）

250

P

合计

- 总功率耗散（ mW）的

20

I

D

- 漏电流（mA ）

200

150

100

50

0

0

96 12159

4V

V

DS

= 8V

5V

3V

2V

1V

16

12

8

0

4

V

G1S

= –1V

0

–0.6

30

60

90

120

150

12817

–0.2

0.2

0.6

1.0

1.4

T

AMB

- 环境温度（

°C

)

V

G2S

- 2号门源极电压（ V）

图1.总功率耗散与环境温度

30

25

I

D

- 漏电流（mA ）

20

15

10

5

0

0

12812

图4.漏电流与2号门源电压

2.8

V

G2S

= 4V

V

G1S

= 0.6V

C

issg1

- 1号门的输入电容（pF ）

2.4

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

0

–2

V

DS

=8V

V

G2S

=4V

f=1MHz

0.4V

0.2V

0

–0.2V

–0.4V

2

4

6

8

10

–1.5 –1.0 –0.5

0.0

0.5

1.0

1.5

V

DS

- 漏源电压（ V）

12813

V

G1S

- 1号门源极电压（ V）

图2.漏极电流与漏源电压

20

V

DS

= 8V

I

D

- 漏电流（mA ）

16

12

8

4

0

–0.8

12816

图5.门1输入电容与1号门源电压

2.8

C

issg2

- 2号门的输入电容（pF ）

6V

5V

4V

3V

2V

1V

2.4

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

0

–1

V

DS

=8V

V

G1S

=0

f=1MHz

0

V

G2S

=–1V

–0.4

0.0

0.4

0.8

1.2

0

1

2

3

4

5

V

G1S

- 1号门源极电压（ V）

12814

V

G2S

- 2号门源极电压（ V）

图3.漏电流与1号门源电压

图6.门2的输入电容与2号门源电压

4 (8)

得力风根半导体

牧师A2 ， 29 -JAN- 97

BF988

4.0

C

OSS

- 输出电容（pF ）

3.2

2.4

1.6

0.8

0

2

12815

20

V

G2S

=4V

V

G1S

=0

f=1MHz

IM（ Y）（MS ）

11

18

16

14

12

10

8

6

4

2

0

4

6

8

10

12

12820

f=1300MHz

1000MHz

700MHz

V

DS

=8V

V

G2S

=4V

I

D

=10mA

f=100...1300MHz

6

8

10

12

14

400MHz

100MHz

0

2

4

V

DS

- 漏源电压（ V）

回复（Y

11

）（女士）

图7.输出电容与漏源电压

10

F = 800MHz的

- 传感器增益（dB ）

0

–10

–20

–0.2V

–30

–0.4V

–40

–50

–1

12818

图10.短路输入导纳

5

0

–5

IM（ Y）（MS ）

21

–10

–15

–20

–25

–30

–35

–40

1300MHz

0

12821

4V

3V

2V

1V

0

V

DS

=8V

V

G2S

=4V

f=100...1300MHz

I

D

=5mA

10mA

20mA

f=100MHz

400MHz

700MHz

1000MHz

S

21

2

V

G2S

=–0.8V

–0.5

0.0

0.5

1.0

1.5

4

8

12

16

20

24

28

32

V

G1S

- 1号门源极电压（ V）

回复（Y

21

）（女士）

图8.传感器增益与1号门源电压

32

28

24

20

16

12

8

4

0

0

0

12819

图11.短路正向转移导纳

9

y

21s

- 正向纳（MS ）

V

DS

=8V

f=1MHz

V

G2S

=4V

3V

IM（ Y）（MS ）

22

8

7

6

5

4

3

2

f=1300MHz

1000MHz

700MHz

400MHz

100MHz

0

0.25

0.50

0.75

V

DS

=15V

V

G2S

=4V

I

D

=10mA

f=100...1300MHz

1.00

1.25

1.50

2V

1V

1

0

20

24

28

12822

4

8

12

16

I

D

- 漏电流（mA ）

回复（Y

22

）（女士）

图9.正向纳主场迎战漏电流

图12.短路输出导纳

得力风根半导体

牧师A2 ， 29 -JAN- 97

5 (8)

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