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BF961
威世半导体
N沟道双栅MOS -场效应四极管，耗尽型
特点
集成门极保护二极管
高交调性能
低噪声系数
高AGC范围
低反馈电容
低输入电容
2
3
4
1
G2
G1
D
S
应用
特别是对于FM-和VHF输入和混频级
电视信号接收器高达300兆赫。
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
13625
机械数据
案例：
TO- 50塑料外壳
重量：
约。 124毫克
标记：
BF961
穿针：
1 =排水， 2 =源，
3 = 1号门， 4 = 2门
零件表
部分
BF961
BF961A
BF961B
订购CCODE
BF961A或BF961B
BF961A
BF961B
BF961
BF961
BF961
记号
TO50
TO50
TO50
包
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源峰
当前
总功耗
通道温度
存储温度范围
T
AMB
≤
60 °C
测试条件
符号
V
DS
I
D
± I
G1/G2SM
P
合计
T
Ch
T
英镑
价值
20
30
10
200
150
- 55至+ 150
单位
V
mA
mA
mW
°C
°C
最大热阻
参数
通道环境
1)
1)
测试条件
符号
R
thChA
价值
450
单位
K / W
玻璃纤维印刷电路板（ 40 ×25× 1.5 ）毫米
3
镀上35
m
Cu
www.vishay.com
1
文档编号85002
修订版1.5 ， 25 -NOV- 04
BF961
威世半导体
电气直流特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
漏极 - 源极击穿
电压
1号门 - 源极击穿
电压
2号门 - 源极击穿
电压
测试条件
I
D
= 10
A,
- V
G1S
= - V
G2S
= 4 V
± I
G1S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0
± I
G2S
= 10 mA时， V
G1S
= V
DS
= 0
部分
符号
V
（ BR ） DS
± V
(BR)G1SS
± V
(BR)G2SS
± I
G1SS
± I
G2SS
I
DSS
I
DSS
I
DSS
- V
G1S(OFF)
- V
G2S(OFF)
4
4
9.5
BF961A
BF961B
1号门 - 源截止电压
2号门 - 源截止电压
V
DS
= 15 V, V
G2S
= 4 V,
I
D
= 20
A
V
DS
= 15 V, V
G1S
= 0, I
D
= 20
A
民
20
8
8
典型值。
日前，Vishay
最大
单位
V
14
14
100
100
20
10.5
20
3.5
3.5
V
V
nA
nA
mA
mA
mA
V
V
1号门 - 源极漏电流±V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
2号门 - 源极漏电流±V
G2S
= 5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
漏电流
V
DS
= 15 V, V
G1S
= 0, V
G2S
= 4 V BF961
AC电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
V
DS
= 15 V，I
D
= 10 mA时， V
G2S
= 4 V，F = 1兆赫
参数
正向纳
1号门的输入电容
2号门的输入电容
反馈电容
输出电容
功率增益
AGC范围
噪声系数
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒，
F = 200 MHz的
V
G2S
= 4 - 2 V ， F = 200 MHz的
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒，
F = 200 MHz的
V
G1S
= 0, V
G2S
= 4 V
测试条件
符号
| y
21s
|
C
issg1
C
issg2
C
RSS
C
OSS
G
ps
G
ps
F
民
12
典型值。
15
3.7
1.6
25
1.6
20
50
1.8
2.5
最大
单位
mS
pF
pF
fF
pF
dB
dB
dB
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
300
250
I
D
- 漏电流（mA ）
P
合计
- 总
功耗（MW ）
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
96 12160
V
G1S
= 0.6 V
0.4 V
0.2 V
0
–0.2 V
–0.4 V
–0.6 V
–0.8 V
0
2
4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24
V
DS
- 漏源电压（ V）
200
150
100
50
0
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
96 12159
图1.总功率耗散与环境温度
图2.漏极电流与漏源电压
www.vishay.com
2
文档编号85002
修订版1.5 ， 25 -NOV- 04
日前，Vishay
BF961
威世半导体
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
–2
C
issg2
- 2号门的输入电容（pF ）
Y
21S
- ForwardTransadmittance （MS ）
4.0
3.6
3.2
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0.0
–2
–1
0
1 2
3 4
5 6
7
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
V
G1S
= 0
F = 1 MHz的
V
DS
= 15 V
I
DS
= 10毫安
V
G1S
= 0.5 V
0V
–0.5 V
96 12161
–1
0
1
2
3
4
5
6
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
96 12164
图3.正向纳主场迎战2号门源电压
图6.门2的输入电容与2号门源电压
Y
21S
- ForwardTransadmittance （MS ）
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
V
DS
= 15 V
F = 1 MHz的
C
OSS
- 输出电容（pF ）
22
V
G2S
= 5 V
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22
V
G2S
= 4 V
F = 1 MHz的
4V
0V
3V
2V
1V
0
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5
V
G1S
- 1号门源极电压（ V）
96 12162
96 12165
V
DS
- 漏源V oltage （ V）
图4.正向纳主场迎战1号门源电压
图7.输出电容与漏源电压
C
issg1
- 1号门的输入电容（pF ）
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
V
DS
= 15 V
V
G2S
= 4 V
F = 1 MHz的
18
16
14
IM （Y
11
） （女士）
F = 700兆赫
600兆赫
500兆赫
400兆赫
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
300兆赫
200兆赫
100兆赫
V
DS
= 15 V
V
G2S
= 4 V
I
D
= 5 ... 20 mA的
F = 50 ... 700 MHz的
5
6
7
8
9
10
0.0
–2.0–1.5–1.0–0.5 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
96 12163
V
G1S
- 1号门源极电压（ V）
96 12166
回复（Y
11
） （女士）
图5.门1输入电容与1号门源电压
图8.短路输入导纳
文档编号85002
修订版1.5 ， 25 -NOV- 04
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3
BF961
威世半导体
日前，Vishay
10
5
0
IM （Y
21
） （女士）
V
DS
= 15 V
V
G2S
= 4 V
F = 50 ... 700 MHz的
I
D
= 5毫安
10毫安
20毫安
F = 50MHz的
100兆赫
200兆赫
300兆赫
–5
–10
–15
–20
–25
400兆赫
500兆赫
600兆赫
700兆赫
–30
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28
96 12167
回复（Y
21
） （女士）
图9.短路正向转移导纳
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.0
F = 700兆赫
600兆赫
500兆赫
400兆赫
300兆赫
200兆赫
100兆赫
0.2
0.4
0.6
I
D
= 20毫安
V
DS
= 15 V
V
G2S
= 4 V
I
D
= 5 ... 20 mA的
F = 50 ... 700 MHz的
0.8
1.0
1.2
1.4
IM （Y
22
） （女士）
I
D
= 5毫安
96 12168
回复（Y
22
） （女士）
图10.短路输出导纳
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4
文档编号85002
修订版1.5 ， 25 -NOV- 04
日前，Vishay
V
DS
= 15 V，I
D
= 5至20 mA ，V
G2S
= 4 V，Z
0
= 50
S
11
j
j0.5
j2
150°
j0.2
j5
300
180°
700兆赫
600
0.04
0.08
30 °
BF961
威世半导体
S
12
90 °
120°
60 °
0
0.2
0.5
1
2
5
100
50
∞
0°
–j0.2
700兆赫
–j0.5
500
300
–j2
–j5
–150 °
–30°
–120 °
12921
–60°
–90 °
12920
–j
图11.输入反射系数
图13.反向传输系数
S
21
ID = 20毫安
ID = 10毫安
ID = 5毫安
200
50
180 °
700MHz
0.8
1.6
0°
400
30°
90°
120°
60°
S
22
j
j0.5
j2
j0.2
j5
∞
100
300
500
–j5
700兆赫
2
5
–j2
–j
0
0.2
0.5
1
–150°
–30 °
–j0.2
–120°
12922
–60°
–90 °
12923
–j0.5
图12.正向传输系数
图14.输出反射系数
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5
BF961
威世半导体
N沟道双栅MOS -场效应四极管，耗尽型
特点
集成门极保护二极管
高交调性能
低噪声系数
高AGC范围
低反馈电容
低输入电容
2
3
4
1
G2
G1
D
S
应用
特别是对于FM-和VHF输入和混频级
电视信号接收器高达300兆赫。
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
13625
机械数据
案例：
TO- 50塑料外壳
重量：
约。 124毫克
标记：
BF961
穿针：
1 =排水， 2 =源，
3 = 1号门， 4 = 2门
零件表
部分
BF961
BF961A
BF961B
订购CCODE
BF961A或BF961B
BF961A
BF961B
BF961
BF961
BF961
记号
TO50
TO50
TO50
包
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源峰
当前
总功耗
通道温度
存储温度范围
T
AMB
≤
60 °C
测试条件
符号
V
DS
I
D
± I
G1/G2SM
P
合计
T
Ch
T
英镑
价值
20
30
10
200
150
- 55至+ 150
单位
V
mA
mA
mW
°C
°C
最大热阻
参数
通道环境
1)
1)
测试条件
符号
R
thChA
价值
450
单位
K / W
玻璃纤维印刷电路板（ 40 ×25× 1.5 ）毫米
3
镀上35
m
Cu
www.vishay.com
1
文档编号85002
修订版1.5 ， 25 -NOV- 04
BF961
威世半导体
电气直流特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
漏极 - 源极击穿
电压
1号门 - 源极击穿
电压
2号门 - 源极击穿
电压
测试条件
I
D
= 10
A,
- V
G1S
= - V
G2S
= 4 V
± I
G1S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0
± I
G2S
= 10 mA时， V
G1S
= V
DS
= 0
部分
符号
V
（ BR ） DS
± V
(BR)G1SS
± V
(BR)G2SS
± I
G1SS
± I
G2SS
I
DSS
I
DSS
I
DSS
- V
G1S(OFF)
- V
G2S(OFF)
4
4
9.5
BF961A
BF961B
1号门 - 源截止电压
2号门 - 源截止电压
V
DS
= 15 V, V
G2S
= 4 V,
I
D
= 20
A
V
DS
= 15 V, V
G1S
= 0, I
D
= 20
A
民
20
8
8
典型值。
日前，Vishay
最大
单位
V
14
14
100
100
20
10.5
20
3.5
3.5
V
V
nA
nA
mA
mA
mA
V
V
1号门 - 源极漏电流±V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
2号门 - 源极漏电流±V
G2S
= 5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
漏电流
V
DS
= 15 V, V
G1S
= 0, V
G2S
= 4 V BF961
AC电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
V
DS
= 15 V，I
D
= 10 mA时， V
G2S
= 4 V，F = 1兆赫
参数
正向纳
1号门的输入电容
2号门的输入电容
反馈电容
输出电容
功率增益
AGC范围
噪声系数
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒，
F = 200 MHz的
V
G2S
= 4 - 2 V ， F = 200 MHz的
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒，
F = 200 MHz的
V
G1S
= 0, V
G2S
= 4 V
测试条件
符号
| y
21s
|
C
issg1
C
issg2
C
RSS
C
OSS
G
ps
G
ps
F
民
12
典型值。
15
3.7
1.6
25
1.6
20
50
1.8
2.5
最大
单位
mS
pF
pF
fF
pF
dB
dB
dB
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
300
250
I
D
- 漏电流（mA ）
P
合计
- 总
功耗（MW ）
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
96 12160
V
G1S
= 0.6 V
0.4 V
0.2 V
0
–0.2 V
–0.4 V
–0.6 V
–0.8 V
0
2
4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24
V
DS
- 漏源电压（ V）
200
150
100
50
0
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
96 12159
图1.总功率耗散与环境温度
图2.漏极电流与漏源电压
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2
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修订版1.5 ， 25 -NOV- 04
日前，Vishay
BF961
威世半导体
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
–2
C
issg2
- 2号门的输入电容（pF ）
Y
21S
- ForwardTransadmittance （MS ）
4.0
3.6
3.2
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0.0
–2
–1
0
1 2
3 4
5 6
7
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
V
G1S
= 0
F = 1 MHz的
V
DS
= 15 V
I
DS
= 10毫安
V
G1S
= 0.5 V
0V
–0.5 V
96 12161
–1
0
1
2
3
4
5
6
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
96 12164
图3.正向纳主场迎战2号门源电压
图6.门2的输入电容与2号门源电压
Y
21S
- ForwardTransadmittance （MS ）
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
V
DS
= 15 V
F = 1 MHz的
C
OSS
- 输出电容（pF ）
22
V
G2S
= 5 V
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22
V
G2S
= 4 V
F = 1 MHz的
4V
0V
3V
2V
1V
0
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5
V
G1S
- 1号门源极电压（ V）
96 12162
96 12165
V
DS
- 漏源V oltage （ V）
图4.正向纳主场迎战1号门源电压
图7.输出电容与漏源电压
C
issg1
- 1号门的输入电容（pF ）
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
V
DS
= 15 V
V
G2S
= 4 V
F = 1 MHz的
18
16
14
IM （Y
11
） （女士）
F = 700兆赫
600兆赫
500兆赫
400兆赫
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
300兆赫
200兆赫
100兆赫
V
DS
= 15 V
V
G2S
= 4 V
I
D
= 5 ... 20 mA的
F = 50 ... 700 MHz的
5
6
7
8
9
10
0.0
–2.0–1.5–1.0–0.5 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
96 12163
V
G1S
- 1号门源极电压（ V）
96 12166
回复（Y
11
） （女士）
图5.门1输入电容与1号门源电压
图8.短路输入导纳
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BF961
威世半导体
日前，Vishay
10
5
0
IM （Y
21
） （女士）
V
DS
= 15 V
V
G2S
= 4 V
F = 50 ... 700 MHz的
I
D
= 5毫安
10毫安
20毫安
F = 50MHz的
100兆赫
200兆赫
300兆赫
–5
–10
–15
–20
–25
400兆赫
500兆赫
600兆赫
700兆赫
–30
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28
96 12167
回复（Y
21
） （女士）
图9.短路正向转移导纳
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.0
F = 700兆赫
600兆赫
500兆赫
400兆赫
300兆赫
200兆赫
100兆赫
0.2
0.4
0.6
I
D
= 20毫安
V
DS
= 15 V
V
G2S
= 4 V
I
D
= 5 ... 20 mA的
F = 50 ... 700 MHz的
0.8
1.0
1.2
1.4
IM （Y
22
） （女士）
I
D
= 5毫安
96 12168
回复（Y
22
） （女士）
图10.短路输出导纳
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4
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日前，Vishay
V
DS
= 15 V，I
D
= 5至20 mA ，V
G2S
= 4 V，Z
0
= 50
S
11
j
j0.5
j2
150°
j0.2
j5
300
180°
700兆赫
600
0.04
0.08
30 °
BF961
威世半导体
S
12
90 °
120°
60 °
0
0.2
0.5
1
2
5
100
50
∞
0°
–j0.2
700兆赫
–j0.5
500
300
–j2
–j5
–150 °
–30°
–120 °
12921
–60°
–90 °
12920
–j
图11.输入反射系数
图13.反向传输系数
S
21
ID = 20毫安
ID = 10毫安
ID = 5毫安
200
50
180 °
700MHz
0.8
1.6
0°
400
30°
90°
120°
60°
S
22
j
j0.5
j2
j0.2
j5
∞
100
300
500
–j5
700兆赫
2
5
–j2
–j
0
0.2
0.5
1
–150°
–30 °
–j0.2
–120°
12922
–60°
–90 °
12923
–j0.5
图12.正向传输系数
图14.输出反射系数
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BF961
威世半导体
N沟道双栅MOS -场效应四极管，耗尽型
特点
集成门极保护二极管
高交调性能
低噪声系数
高AGC范围
低反馈电容
低输入电容
2
3
4
1
G2
G1
D
S
应用
特别是对于FM-和VHF输入和混频级
电视信号接收器高达300兆赫。
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
13625
机械数据
案例：
TO- 50塑料外壳
重量：
约。 124毫克
标记：
BF961
穿针：
1 =排水， 2 =源，
3 = 1号门， 4 = 2门
零件表
部分
BF961
BF961A
BF961B
订购CCODE
BF961A或BF961B
BF961A
BF961B
BF961
BF961
BF961
记号
TO50
TO50
TO50
包
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源峰
当前
总功耗
通道温度
存储温度范围
T
AMB
≤
60 °C
测试条件
符号
V
DS
I
D
± I
G1/G2SM
P
合计
T
Ch
T
英镑
价值
20
30
10
200
150
- 55至+ 150
单位
V
mA
mA
mW
°C
°C
最大热阻
参数
通道环境
1)
1)
测试条件
符号
R
thChA
价值
450
单位
K / W
玻璃纤维印刷电路板（ 40 ×25× 1.5 ）毫米
3
镀上35
m
Cu
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威世半导体
电气直流特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
漏极 - 源极击穿
电压
1号门 - 源极击穿
电压
2号门 - 源极击穿
电压
测试条件
I
D
= 10
A,
- V
G1S
= - V
G2S
= 4 V
± I
G1S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0
± I
G2S
= 10 mA时， V
G1S
= V
DS
= 0
部分
符号
V
（ BR ） DS
± V
(BR)G1SS
± V
(BR)G2SS
± I
G1SS
± I
G2SS
I
DSS
I
DSS
I
DSS
- V
G1S(OFF)
- V
G2S(OFF)
4
4
9.5
BF961A
BF961B
1号门 - 源截止电压
2号门 - 源截止电压
V
DS
= 15 V, V
G2S
= 4 V,
I
D
= 20
A
V
DS
= 15 V, V
G1S
= 0, I
D
= 20
A
民
20
8
8
典型值。
日前，Vishay
最大
单位
V
14
14
100
100
20
10.5
20
3.5
3.5
V
V
nA
nA
mA
mA
mA
V
V
1号门 - 源极漏电流±V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
2号门 - 源极漏电流±V
G2S
= 5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
漏电流
V
DS
= 15 V, V
G1S
= 0, V
G2S
= 4 V BF961
AC电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
V
DS
= 15 V，I
D
= 10 mA时， V
G2S
= 4 V，F = 1兆赫
参数
正向纳
1号门的输入电容
2号门的输入电容
反馈电容
输出电容
功率增益
AGC范围
噪声系数
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒，
F = 200 MHz的
V
G2S
= 4 - 2 V ， F = 200 MHz的
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒，
F = 200 MHz的
V
G1S
= 0, V
G2S
= 4 V
测试条件
符号
| y
21s
|
C
issg1
C
issg2
C
RSS
C
OSS
G
ps
G
ps
F
民
12
典型值。
15
3.7
1.6
25
1.6
20
50
1.8
2.5
最大
单位
mS
pF
pF
fF
pF
dB
dB
dB
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
300
250
I
D
- 漏电流（mA ）
P
合计
- 总
功耗（MW ）
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
96 12160
V
G1S
= 0.6 V
0.4 V
0.2 V
0
–0.2 V
–0.4 V
–0.6 V
–0.8 V
0
2
4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24
V
DS
- 漏源电压（ V）
200
150
100
50
0
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
96 12159
图1.总功率耗散与环境温度
图2.漏极电流与漏源电压
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日前，Vishay
BF961
威世半导体
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
–2
C
issg2
- 2号门的输入电容（pF ）
Y
21S
- ForwardTransadmittance （MS ）
4.0
3.6
3.2
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0.0
–2
–1
0
1 2
3 4
5 6
7
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
V
G1S
= 0
F = 1 MHz的
V
DS
= 15 V
I
DS
= 10毫安
V
G1S
= 0.5 V
0V
–0.5 V
96 12161
–1
0
1
2
3
4
5
6
V
G2S
- 2号门源极电压（ V）
96 12164
图3.正向纳主场迎战2号门源电压
图6.门2的输入电容与2号门源电压
Y
21S
- ForwardTransadmittance （MS ）
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
V
DS
= 15 V
F = 1 MHz的
C
OSS
- 输出电容（pF ）
22
V
G2S
= 5 V
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22
V
G2S
= 4 V
F = 1 MHz的
4V
0V
3V
2V
1V
0
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5
V
G1S
- 1号门源极电压（ V）
96 12162
96 12165
V
DS
- 漏源V oltage （ V）
图4.正向纳主场迎战1号门源电压
图7.输出电容与漏源电压
C
issg1
- 1号门的输入电容（pF ）
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
V
DS
= 15 V
V
G2S
= 4 V
F = 1 MHz的
18
16
14
IM （Y
11
） （女士）
F = 700兆赫
600兆赫
500兆赫
400兆赫
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
300兆赫
200兆赫
100兆赫
V
DS
= 15 V
V
G2S
= 4 V
I
D
= 5 ... 20 mA的
F = 50 ... 700 MHz的
5
6
7
8
9
10
0.0
–2.0–1.5–1.0–0.5 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
96 12163
V
G1S
- 1号门源极电压（ V）
96 12166
回复（Y
11
） （女士）
图5.门1输入电容与1号门源电压
图8.短路输入导纳
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威世半导体
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10
5
0
IM （Y
21
） （女士）
V
DS
= 15 V
V
G2S
= 4 V
F = 50 ... 700 MHz的
I
D
= 5毫安
10毫安
20毫安
F = 50MHz的
100兆赫
200兆赫
300兆赫
–5
–10
–15
–20
–25
400兆赫
500兆赫
600兆赫
700兆赫
–30
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28
96 12167
回复（Y
21
） （女士）
图9.短路正向转移导纳
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.0
F = 700兆赫
600兆赫
500兆赫
400兆赫
300兆赫
200兆赫
100兆赫
0.2
0.4
0.6
I
D
= 20毫安
V
DS
= 15 V
V
G2S
= 4 V
I
D
= 5 ... 20 mA的
F = 50 ... 700 MHz的
0.8
1.0
1.2
1.4
IM （Y
22
） （女士）
I
D
= 5毫安
96 12168
回复（Y
22
） （女士）
图10.短路输出导纳
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V
DS
= 15 V，I
D
= 5至20 mA ，V
G2S
= 4 V，Z
0
= 50
S
11
j
j0.5
j2
150°
j0.2
j5
300
180°
700兆赫
600
0.04
0.08
30 °
BF961
威世半导体
S
12
90 °
120°
60 °
0
0.2
0.5
1
2
5
100
50
∞
0°
–j0.2
700兆赫
–j0.5
500
300
–j2
–j5
–150 °
–30°
–120 °
12921
–60°
–90 °
12920
–j
图11.输入反射系数
图13.反向传输系数
S
21
ID = 20毫安
ID = 10毫安
ID = 5毫安
200
50
180 °
700MHz
0.8
1.6
0°
400
30°
90°
120°
60°
S
22
j
j0.5
j2
j0.2
j5
∞
100
300
500
–j5
700兆赫
2
5
–j2
–j
0
0.2
0.5
1
–150°
–30 °
–j0.2
–120°
12922
–60°
–90 °
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–j0.5
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