BF959
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ IC = 1.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压（ IC = 10
MADC ，
IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压（ IE = 10
MADC ，
IC = 0）
集电极截止电流（ VCB = 20伏直流电， IE = 0 ）
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
ICBO
20
30
3.0
–
–
–
–
–
–
–
–
100
VDC
VDC
VDC
NADC
基本特征
直流电流增益
（ IC = 5.0 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 20 MADC ， VCE = 10 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 30 MADC ， IB = 2.0 MADC ）
基射极饱和电压（ IC = 30 MADC ， IB = 2.0 MADC ）
的hFE
35
40
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
–
–
–
–
–
–
–
–
1.0
1.0
VDC
VDC
–
小信号特性
电流增益 - 带宽积
（ IC = 20 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 100兆赫）
（ IC = 30 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 100兆赫）
共射极反馈电容
（ VCB = 10 VDC ， PF = 0 ， F = 10兆赫）
噪声系数（ IC = 4.0 mA时， VCE = 10 V ， RS = 50
,
F = 200兆赫）
fT
700
600
CRE
Nf
–
–
–
–
0.65
3.0
–
–
–
–
pF
dB
兆赫
http://onsemi.com
2
BF959
1000
500
的hFE ， DC电流增益
200
200
100
50
40
30
20
10
1
2
3
4 5
10
20
30
50
100
mV
50
40
30
20
10
1
100
500
2
3
4 5
10
20
30
50
IC ，集电极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图1的hFE为10 V
带宽积（千兆赫）
2.0
1.8
C，电容（pF ）
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
1
2
3
4 5
10
20
2V
10 V
5V
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
100
0.2
1
2
图2. VCE （SAT）的IC / IB = 10
兴业银行
COB
CRE
3
4 5
10
20
30
50
100
F T ，电流增益
30 40 50
IC ，集电极电流（毫安）
VR ，反向电压（伏）
图3.电流增益 - 带宽积
图4的电容
10
5
4
3
2
Y11e （ ms）的
1
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
1
2
3
4 5
10
20
30
50
100
g11e
VCE = 10 V
b11e
Y22e （
s)
500
300
200
100
50
40
30
20
10
1
2
3
4 5
10
20
VCE = 10 V
b22e
g22e
30
50
IC ，集电极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图5.输入阻抗在30MHz
图6.输出阻抗在30MHz
http://onsemi.com
3
BF959
包装尺寸
TO–92
TO–226AA
CASE 29-11
ISSUE AL
A
R
P
L
座位
飞机
B
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4. LEAD维不受控制IN P和
BEYOND尺寸k最低限度。
英寸
民
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.021
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
---
0.250
---
0.080
0.105
---
0.100
0.115
---
0.135
---
MILLIMETERS
民
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.407
0.533
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
---
6.35
---
2.04
2.66
---
2.54
2.93
---
3.43
---
风格14 ：
PIN 1.辐射源
2.收集
3. BASE
K
X X
G
H
V
1
D
J
C
第X-X
N
N
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
P
R
V
风格21 ：
PIN 1.集热器
2.辐射源
3. BASE
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留修改的权利
恕不另行通知这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定的任何保证，声明或担保
目的，也不SCILLC承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何责任，
包括但不限于特殊，间接或附带损失。这可能SCILLC数据表提供“典型”参数和/或
规格可以做不同在不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”必须是
验证每个客户的客户应用的技术专家。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。
SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况或
可能会出现死亡。如果买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有
SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的
直接或间接引起的，律师费，人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔
称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是一个机会均等/肯定行动雇主。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
ONlit@hibbertco.com
N.美国技术支持：
800-282-9855免费电话美国/加拿大
日本：
安森美半导体，日本顾客焦点中心
4-32-1西五反田，品川区，东京，日本141-0031
电话：
81–3–5740–2700
电子邮件：
r14525@onsemi.com
安森美半导体网站：
http://onsemi.com
有关更多信息，请联系您当地的
销售代表。
http://onsemi.com
4
BF959/D
QQ：2881677436 复制
