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分立半导体

数据表

BF909 ; BF909R

N沟道双栅MOS - FET的

产品speci fi cation

在分离式半导体文件， SC07

1995年4月25日

飞利浦半导体

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道双栅MOS - FET的

特点

特别是在5 V电源电压设计使用

高正向转移导纳

具有较高的正向传输短沟道晶体管

纳输入电容比

低噪声增益控制放大器高达1 GHz

AGC在优越的交叉调制性能。

应用

VHF和UHF应用的具有3至7 V电源电压

如电视调谐器和专业

通信设备。

描述

在一个塑料增强型场效应晶体管

超小型SOT143或SOT143R包。该

BF909 ; BF909R

晶体管由一个放大器的MOS- FET的源极的

与衬底互连的和内部的偏置电路，以

确保AGC在良好的交叉调制性能。

小心

该器件采用防静电包装中提供。该

栅源输入必须加以保护，防止静电

运输或装卸过程中排出。

钉扎

针

1

2

3

4

符号

S，B

d

g

2

g

1

来源

漏

门2

门1

描述

手册， halfpage

d

3

d

手册， halfpage

4

3

4

g2

g1

1

顶视图

g2

g1

2

S，B

顶视图

2

MAM124

1

MAM125 - 1

S，B

BF909标识代码：

M28.

BF909R标记的代码：

M29.

Fig.1简化外形（ SOT143 ）和符号。

图2简体外形（ SOT143R ）和符号。

快速参考数据

符号

V

DS

I

D

P

合计

T

j

y

fs

C

ig1-s

C

rs

F

1995年4月25日

漏电流

总功耗

工作结温

正向转移导纳

在1号门的输入电容

反向传输电容

噪音科幻gure

F = 1 MHz的

F = 800 MHz的

2

参数

漏源电压

条件

36

分钟。

43

3.6

35

2

典型值。

马克斯。

7

40

200

150

50

4.3

50

2.8

单位

V

mA

mW

°C

mS

pF

fF

dB

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道双栅MOS - FET的

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

DS

I

D

I

G1

I

G2

P

合计

参数

漏源电压

漏电流

门1电流

门2的电流

总功耗

BF909

BF909R

T

英镑

T

j

记

1.装置安装在一个印刷电路板。

储存温度

工作结温

看科幻G.3

最多至T

AMB

= 50

°C;

注1

最多至T

AMB

= 40

°C;

注1

65

条件

分钟。

BF909 ; BF909R

马克斯。

7

40

±10

±10

200

200

+150

150

V

单位

mA

mA

mA

mW

mW

°C

°C

MLB935

手册， halfpage

250

P合计

（ mW）的

200

150

BF909R

100

BF909

50

0

0

50

100

150

200

o

TAMB （ C）

图3功率降额曲线。

1995年4月25日

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道双栅MOS - FET的

热特性

符号

R

日J-一

BF909

BF909R

R

第j个-S

热阻结到焊接点

BF909

BF909R

笔记

1.装置安装在一个印刷电路板。

2. T

s

是在源极引线的焊接点的温度。

静态特性

T

j

= 25

°C;

除非另有规定ED 。

符号

V

(BR)G1-SS

V

(BR)G2-SS

V

(F)S-G1

V

(F)S-G2

V

G1-S(th)

V

G2-S(th)

I

DSX

I

G1-SS

I

G2-SS

记

1. R

G1

到V连接门1

GG

= 5 V ;见图18 。

参数

1号门 - 源极击穿电压

2号门 - 源极击穿电压

前锋源极 - 栅极电压1

前锋源极 - 栅极电压2

1号门源阈值电压

2号门源阈值电压

漏 - 源电流

门1的截止电流

门2的截止电流

条件

V

G2-S

= V

DS

= 0; I

G1-S

= 10毫安

V

G1-S

= V

DS

= 0; I

G2-S

= 10毫安

V

G2-S

= V

DS

= 0; I

S-G1

= 10毫安

V

G1-S

= V

DS

= 0; I

S-G2

= 10毫安

V

G2-S

= 4 V; V

DS

= 5 V;

I

D

= 20

A

V

G1-S

= V

DS

= 5 V ;我

D

= 20

A

V

G2-S

= 4 V; V

DS

= 5 V;

R

G1

= 120 kΩ的;注1

V

G1-S

= 5 V; V

G2-S

= V

DS

= 0

V

G2-S

= 5 V; V

G1-S

= V

DS

= 0

6

6

0.5

0.5

0.3

0.3

12

注2

T

s

= 92

°C

T

s

= 78

°C

参数

从结点到环境的热阻

条件

注1

BF909 ; BF909R

价值

500

550

290

360

单位

K / W

K / W

K / W

K / W

分钟。

马克斯。

15

15

1.5

1.5

1

1.2

20

50

50

V

V

V

V

V

V

单位

mA

nA

nA

动态特性

常见的来源;牛逼

AMB

= 25

°C;

V

DS

= 5 V; V

G2-S

= 4 V ;我

D

= 15毫安;除非另有规定。

符号

y

fs

C

ig1-s

C

ig2-s

C

os

C

rs

F

参数

正向转移导纳

在1号门的输入电容

在2号门的输入电容

漏 - 源电容

噪音科幻gure

F = 1 MHz的

F = 1 MHz的

F = 1 MHz的

F = 800 MHz的;

S

= G

SOPT

; B

S

= B

SOPT

条件

脉冲;吨

j

= 25

°C

分钟。

36

典型值。

43

3.6

2.3

2.3

35

2

马克斯。

50

4.3

3

3

50

2.8

单位

mS

pF

pF

pF

fF

dB

反向传输电容F = 1兆赫

1995年4月25日

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道双栅MOS - FET的

BF909 ; BF909R

MLB936

MLB937

手册， halfpage

110

30

手册， halfpage

ID

（MA ）

2V

20

V G2 S = 4 V 3 V

2.5 V

Vunw

（ dBμV为单位）

100

1.5 V

90

10

1V

80

0

10

20

30

40

50

增益衰减（ dB）的

0

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

V G1 S（ V）

V

DS

= 5 V; V

GG

= 5 V ; F

w

= 50兆赫。

f

UNW

= 60 MHz的;牛逼

AMB

= 25

°C;

R

G1

= 120 k.

Fig.4

不想要的电压为1％的交叉调制

作为增益减小的函数;典型

值;见图18 。

V

DS

= 5 V.

T

j

= 25

°C.

图5传输特性;典型值。

MLB938

30

手册， halfpage

ID

（MA ）

20

V G1 S = 1.4 V

手册， halfpage

200

MLB939

我G1

(A)

150

V G2 S = 4 V

1.3 V

1.2 V

3.5 V

3V

1.1 V

1.0 V

0.9 V

50

2V

100

2.5 V

10

0

0

2

4

6

8

10

V DS （ V）

0

0

1

2

V G1 S（ V）

3

V

DS

= 5 V.

V

G2-S

= 4 V.

T

j

= 25

°C.

V

DS

= 5 V.

T

j

= 25

°C.

Fig.7

图6输出特性;典型值。

1号门电流门1的功能

电压;典型值。

1995年4月25日

5

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