【分立半导体数据表BF904A ; BF904AR ; BF904AWRN沟道双栅MOS - FET的】,IC型号BF904AR,BF904AR PDF资料,BF904AR经销商,ic,电子元器件-51电子网

分立半导体

数据表

BF904A ; BF904AR ; BF904AWR

N沟道双栅MOS - FET的

产品speci fi cation

取代1999年的数据2月1日

1999年5月14日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道双栅MOS - FET的

特点

特别是在5 V设计使用

电源电压

具有较高的短沟道晶体管

转移导纳输入

电容比

低噪声增益控制放大器

高达1 GHz

优越的交叉调制

AGC过程中的表现。

应用

VHF和UHF应用

3 7 V电源电压，如

电视调谐器和专业

通信设备。

描述

增强型场效应

晶体管。晶体管组成

一个放大器的MOS - FET的源极

与基板互连和

内部偏置电路，以确保良好

在交叉调制性能

AGC 。

该BF904A ， BF904AR和

BF904AWR封装在

SOT143B ， SOT143R和SOT343R

塑料封装分别。

快速参考数据

符号

合计

ig1-ss

RSS

参数

漏源电压

漏电流

总功耗

正向转移导纳

在1号门的输入电容

反向传输电容

噪音科幻gure

工作结温

小心

F = 1 MHz的

F = 800 MHz的

≤

110

°C

顶视图

BF904A ; BF904AR ; BF904AWR

钉扎

针

描述

来源

漏

门2

门1

顶视图

MSB014

手册， 2列

BF904A标记的代码：

M41.

Fig.1

简化的轮廓

(SOT143B).

手册， 2列

halfpage

MSB035

MSB842

顶视图

BF904AR标记的代码：

M42.

BF904AWR标记的代码：

mH的。

Fig.2

简化的轮廓

(SOT143R).

Fig.3

简化的轮廓

(SOT343R).

条件

分钟。

典型值。

2.2

马克斯。

200

2.6

150

单位

°C

此产品是在防静电包装供给以防止因运输过程中的静电放电损坏

和处理。欲了解更多信息，请参阅飞利浦规格： SNW -EQ- 608 SNW - FQ- 302A和SNW - FQ- 302B 。

1999年5月14日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道双栅MOS - FET的

BF904A ; BF904AR ; BF904AWR

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

合计

英镑

记

1. T

是在源极引线的焊接点的温度。

参数

漏源电压

漏电流

门1电流

门2的电流

总功耗

储存温度

工作结温

≤

110

°C;

注意1 ;见图4

条件

分钟。

±10

200

+150

150

马克斯。

°C

单位

MGL615

手册， halfpage

250

P合计

（ mW）的

200

150

100

150

TS （ ° C）

200

图4功率降额曲线。

1999年5月14日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道双栅MOS - FET的

热特性

符号

第j个-S

记

1.焊接点源铅。

静态特性

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

(BR)G1-SS

(BR)G2-SS

(F)S-G1

(F)S-G2

G1-S(th)

G2-S(th)

DSX

G1-SS

G2-SS

记

1. R

到V连接门1

= 5 V ;看到图21 。

参数

1号门 - 源极击穿电压

2号门 - 源极击穿电压

前锋源极 - 栅极电压1

前锋源极 - 栅极电压2

1号门源阈值电压

2号门源阈值电压

漏 - 源电流

门1的截止电流

门2的截止电流

参数

热阻结到焊接点

BF904A ; BF904AR ; BF904AWR

条件

注1

价值

200

单位

K / W

条件

G2-S

= V

= 0; I

G1-S

= 10毫安

G1-S

= V

= 0; I

G2-S

= 10毫安

G2-S

= V

= 0; I

S-G1

= 10毫安

G1-S

= V

= 0; I

S-G2

= 10毫安

G2-S

= 4 V; V

= 5 V ;我

= 20

G1-S

= V

= 5 V ;我

= 20

G2-S

= 4 V; V

= 5 V;

= 120 kΩ的;注1

G2-S

= V

= 0; V

G1-S

= 5 V

G1-S

= V

= 0; V

G2-S

= 5 V

分钟。

0.5

0.3

马克斯。

1.5

1.2

单位

动态特性

常见的来源;牛逼

AMB

= 25

°C;

= 5 V; V

G2-S

= 4 V ;我

= 10毫安;除非另有规定。

符号

ig1-s

ig2-s

参数

正向转移导纳

在1号门的输入电容

在2号门的输入电容

漏 - 源电容

噪音科幻gure

F = 1 MHz的

F = 200 MHz的;

= 2毫秒; B

= B

SOPT

F = 800 MHz的;

= G

SOPT

; B

= B

SOPT

条件

脉冲;吨

= 25

°C

分钟。

典型值。

2.2

1.5

1.4

马克斯。

2.6

1.7

1.5

2.8

单位

反向传输电容F = 1兆赫

1999年5月14日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道双栅MOS - FET的

BF904A ; BF904AR ; BF904AWR

（女士）

MLD268

MRA769

手册， halfpage

收益

减少

（ dB）的

100

150

T J （ C）

VAGC （ V）

F = 50MHz的。

Fig.5

转移导纳作为一个功能

结温;典型值。

Fig.6

典型增益衰减成函数关系

AGC电压;看到图21 。

手册， halfpage

120

MRA771

MLD270

（MA ）

V G2 S = 4 V

2.5 V

Vunw

（ DB

110

100

1.5 V

增益衰减（ dB）的

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

V G1 S（ V）

= 5 V; V

= 5 V ; F

= 50兆赫。

UNW

= 60 MHz的;牛逼

AMB

= 25

°C;

= 120 k.

Fig.7

不想要的电压为1％的交叉调制

作为增益减小的函数;典型

值;看到图21 。

= 5 V.

= 25

°C.

图8传输特性;典型值。

1999年5月14日

BF904A ; BF904AR ; BF904AWR

N沟道双栅MOS - FET的

牧师04 - 2007年11月13日

产品数据表

重要通知

尊敬的客户，

从2006年10月1日飞利浦半导体有一个新的商标名称

- 恩智浦半导体，这将在未来的数据表使用与新接触

详细信息。

在数据表在先前飞利浦引用仍然存在，请使用新的链接

如下所示。

http://www.philips.semiconductors.com使用http://www.nxp.com

http://www.semiconductors.philips.com使用http://www.nxp.com （互联网）

sales.addresses@www.semiconductors.philips.com使用salesaddresses@nxp.com

（电子邮件）

根据版本）

被替换为：

如果您有相关的数据资料有任何疑问，请联系我们最近的销售

（通过salesaddresses@nxp.com细节）通过电子邮件或电话连接的CE认证。感谢您

合作与理解，

恩智浦半导体

恩智浦

半导体

产品speci fi cation

N沟道双栅MOS - FET的

特点

特别是在5 V设计使用

电源电压

具有较高的短沟道晶体管

转移导纳输入

电容比

低噪声增益控制放大器

高达1 GHz

优越的交叉调制

AGC过程中的表现。

应用

VHF和UHF应用

3 7 V电源电压，如

电视调谐器和专业

通信设备。

描述

增强型场效应

晶体管。晶体管组成

一个放大器的MOS - FET的源极

与基板互连和

内部偏置电路，以确保良好

在交叉调制性能

AGC 。

该BF904A ， BF904AR和

BF904AWR封装在

SOT143B ， SOT143R和SOT343R

塑料封装分别。

快速参考数据

符号

合计

ig1-ss

RSS

参数

漏源电压

漏电流

总功耗

正向转移导纳

在1号门的输入电容

反向传输电容

噪音科幻gure

工作结温

小心

F = 1 MHz的

F = 800 MHz的

≤

110

°C

顶视图

BF904A ; BF904AR ; BF904AWR

钉扎

针

描述

来源

漏

门2

门1

顶视图

MSB014

手册， 2列

BF904A标记的代码：

%M7.

Fig.1

简化的轮廓

(SOT143B).

手册， 2列

halfpage

MSB035

MSB842

顶视图

BF904AR标记的代码：

%M8.

BF904AWR标记的代码：

mH的。

Fig.2

简化的轮廓

(SOT143R).

Fig.3

简化的轮廓

(SOT343R).

条件

分钟。

典型值。

2.2

马克斯。

200

2.6

150

单位

°C

此产品是在防静电包装供给以防止因运输过程中的静电放电损坏

和处理。欲了解更多信息，请参阅飞利浦规格： SNW -EQ- 608 SNW - FQ- 302A和SNW - FQ- 302B 。

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2 15

恩智浦

半导体

产品speci fi cation

N沟道双栅MOS - FET的

BF904A ; BF904AR ; BF904AWR

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

合计

英镑

记

1. T

是在源极引线的焊接点的温度。

参数

漏源电压

漏电流

门1电流

门2的电流

总功耗

储存温度

工作结温

≤

110

°C;

注意1 ;见图4

条件

分钟。

±10

200

+150

150

马克斯。

°C

单位

MGL615

手册， halfpage

250

P合计

（ mW）的

200

150

100

150

TS （ ° C）

200

图4功率降额曲线。

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3 15

恩智浦

半导体

产品speci fi cation

N沟道双栅MOS - FET的

热特性

符号

第j个-S

记

1.焊接点源铅。

静态特性

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

(BR)G1-SS

(BR)G2-SS

(F)S-G1

(F)S-G2

G1-S(th)

G2-S(th)

DSX

G1-SS

G2-SS

记

1. R

到V连接门1

= 5 V ;看到图21 。

参数

1号门 - 源极击穿电压

2号门 - 源极击穿电压

前锋源极 - 栅极电压1

前锋源极 - 栅极电压2

1号门源阈值电压

2号门源阈值电压

漏 - 源电流

门1的截止电流

门2的截止电流

参数

热阻结到焊接点

BF904A ; BF904AR ; BF904AWR

条件

注1

价值

200

单位

K / W

条件

G2-S

= V

= 0; I

G1-S

= 10毫安

G1-S

= V

= 0; I

G2-S

= 10毫安

G2-S

= V

= 0; I

S-G1

= 10毫安

G1-S

= V

= 0; I

S-G2

= 10毫安

G2-S

= 4 V; V

= 5 V ;我

= 20

G1-S

= V

= 5 V ;我

= 20

G2-S

= 4 V; V

= 5 V;

= 120 kΩ的;注1

G2-S

= V

= 0; V

G1-S

= 5 V

G1-S

= V

= 0; V

G2-S

= 5 V

分钟。

0.5

0.3

马克斯。

1.5

1.2

单位

动态特性

常见的来源;牛逼

AMB

= 25

°C;

= 5 V; V

G2-S

= 4 V ;我

= 10毫安;除非另有规定。

符号

ig1-s

ig2-s

参数

正向转移导纳

在1号门的输入电容

在2号门的输入电容

漏 - 源电容

噪音科幻gure

F = 1 MHz的

F = 200 MHz的;

= 2毫秒; B

= B

SOPT

F = 800 MHz的;

= G

SOPT

; B

= B

SOPT

条件

脉冲;吨

= 25

°C

分钟。

典型值。

2.2

1.5

1.4

马克斯。

2.6

1.7

1.5

2.8

单位

反向传输电容F = 1兆赫

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恩智浦

半导体

产品speci fi cation

N沟道双栅MOS - FET的

BF904A ; BF904AR ; BF904AWR

（女士）

MLD268

MRA769

手册， halfpage

收益

减少

（ dB）的

100

150

T J （ C）

VAGC （ V）

F = 50MHz的。

Fig.5

转移导纳作为一个功能

结温;典型值。

Fig.6

典型增益衰减成函数关系

AGC电压;看到图21 。

手册， halfpage

120

MRA771

MLD270

（MA ）

V G2 S = 4 V

2.5 V

Vunw

（ DB

110

100

1.5 V

增益衰减（ dB）的

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

V G1 S（ V）

= 5 V; V

= 5 V ; F

= 50兆赫。

UNW

= 60 MHz的;牛逼

AMB

= 25

°C;

= 120 k.

Fig.7

不想要的电压为1％的交叉调制

作为增益减小的函数;典型

值;看到图21 。

= 5 V.

= 25

°C.

图8传输特性;典型值。

牧师04 - 2007年11月13日

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