BF904A ; BF904AR ; BF904AWR
N沟道双栅MOS - FET的
牧师04 - 2007年11月13日
产品数据表
重要通知
尊敬的客户，
从2006年10月1日飞利浦半导体有一个新的商标名称
- 恩智浦半导体，这将在未来的数据表使用与新接触
详细信息。
在数据表在先前飞利浦引用仍然存在，请使用新的链接
如下所示。
http://www.philips.semiconductors.com使用http://www.nxp.com
http://www.semiconductors.philips.com使用http://www.nxp.com （互联网）
sales.addresses@www.semiconductors.philips.com使用salesaddresses@nxp.com
（电子邮件）
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根据版本）
- 皇家飞利浦电子N.V. （年） 。版权所有 -
被替换为：
- NXP B.V. （年） 。版权所有。 -
如果您有相关的数据资料有任何疑问，请联系我们最近的销售
（通过salesaddresses@nxp.com细节）通过电子邮件或电话连接的CE认证。感谢您
合作与理解，
恩智浦半导体
恩智浦
半导体
产品speci fi cation
N沟道双栅MOS - FET的
特点
特别是在5 V设计使用
电源电压
具有较高的短沟道晶体管
转移导纳输入
电容比
低噪声增益控制放大器
高达1 GHz
优越的交叉调制
AGC过程中的表现。
应用
VHF和UHF应用
3 7 V电源电压，如
电视调谐器和专业
通信设备。
描述
增强型场效应
晶体管。晶体管组成
一个放大器的MOS - FET的源极
与基板互连和
内部偏置电路，以确保良好
在交叉调制性能
AGC 。
该BF904A ， BF904AR和
BF904AWR封装在
SOT143B ， SOT143R和SOT343R
塑料封装分别。
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
y
fs
C
ig1-ss
C
RSS
F
T
j
参数
漏源电压
漏电流
总功耗
正向转移导纳
在1号门的输入电容
反向传输电容
噪音科幻gure
工作结温
小心
F = 1 MHz的
F = 800 MHz的
T
s
≤
110
°C
2
顶视图
BF904A ; BF904AR ; BF904AWR
钉扎
针
1
2
3
4
描述
来源
漏
门2
门1
1
顶视图
2
MSB014
手册， 2列
4
3
BF904A标记的代码：
%M7.
Fig.1
简化的轮廓
(SOT143B).
手册， 2列
3
4
halfpage
3
4
1
2
MSB035
1
MSB842
顶视图
BF904AR标记的代码：
%M8.
BF904AWR标记的代码：
mH的。
Fig.2
简化的轮廓
(SOT143R).
Fig.3
简化的轮廓
(SOT343R).
条件
分钟。
22
典型值。
25
2.2
25
2
马克斯。
7
30
200
30
2.6
35
150
单位
V
mA
mW
mS
pF
fF
dB
°C
此产品是在防静电包装供给以防止因运输过程中的静电放电损坏
和处理。欲了解更多信息，请参阅飞利浦规格： SNW -EQ- 608 SNW - FQ- 302A和SNW - FQ- 302B 。
牧师04 - 2007年11月13日
2 15
恩智浦
半导体
产品speci fi cation
N沟道双栅MOS - FET的
BF904A ; BF904AR ; BF904AWR
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
DS
I
D
I
G1
I
G2
P
合计
T
英镑
T
j
记
1. T
s
是在源极引线的焊接点的温度。
参数
漏源电压
漏电流
门1电流
门2的电流
总功耗
储存温度
工作结温
T
s
≤
110
°C;
注意1 ;见图4
条件
65
分钟。
7
30
±10
±10
200
+150
150
马克斯。
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
单位
MGL615
手册， halfpage
250
P合计
（ mW）的
200
150
100
50
0
0
50
100
150
TS （ ° C）
200
图4功率降额曲线。
牧师04 - 2007年11月13日
3 15
恩智浦
半导体
产品speci fi cation
N沟道双栅MOS - FET的
热特性
符号
R
第j个-S
记
1.焊接点源铅。
静态特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
(BR)G1-SS
V
(BR)G2-SS
V
(F)S-G1
V
(F)S-G2
V
G1-S(th)
V
G2-S(th)
I
DSX
I
G1-SS
I
G2-SS
记
1. R
G1
到V连接门1
GG
= 5 V ;看到图21 。
参数
1号门 - 源极击穿电压
2号门 - 源极击穿电压
前锋源极 - 栅极电压1
前锋源极 - 栅极电压2
1号门源阈值电压
2号门源阈值电压
漏 - 源电流
门1的截止电流
门2的截止电流
参数
热阻结到焊接点
BF904A ; BF904AR ; BF904AWR
条件
注1
价值
200
单位
K / W
条件
V
G2-S
= V
DS
= 0; I
G1-S
= 10毫安
V
G1-S
= V
DS
= 0; I
G2-S
= 10毫安
V
G2-S
= V
DS
= 0; I
S-G1
= 10毫安
V
G1-S
= V
DS
= 0; I
S-G2
= 10毫安
V
G2-S
= 4 V; V
DS
= 5 V ;我
D
= 20
A
V
G1-S
= V
DS
= 5 V ;我
D
= 20
A
V
G2-S
= 4 V; V
DS
= 5 V;
R
G1
= 120 kΩ的;注1
V
G2-S
= V
DS
= 0; V
G1-S
= 5 V
V
G1-S
= V
DS
= 0; V
G2-S
= 5 V
分钟。
6
6
0.5
0.5
0.3
0.3
8
马克斯。
15
15
1.5
1.5
1
1.2
13
50
50
单位
V
V
V
V
V
V
mA
nA
nA
动态特性
常见的来源;牛逼
AMB
= 25
°C;
V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V ;我
D
= 10毫安;除非另有规定。
符号
y
fs
C
ig1-s
C
ig2-s
C
os
C
rs
F
参数
正向转移导纳
在1号门的输入电容
在2号门的输入电容
漏 - 源电容
噪音科幻gure
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 200 MHz的;
S
= 2毫秒; B
S
= B
SOPT
F = 800 MHz的;
S
= G
SOPT
; B
S
= B
SOPT
条件
脉冲;吨
j
= 25
°C
分钟。
22
1
1
典型值。
25
2.2
1.5
1.4
25
1
2
马克斯。
30
2.6
2
1.7
35
1.5
2.8
单位
mS
pF
pF
pF
fF
dB
dB
反向传输电容F = 1兆赫
牧师04 - 2007年11月13日
4 15
恩智浦
半导体
产品speci fi cation
N沟道双栅MOS - FET的
BF904A ; BF904AR ; BF904AWR
40
FS
（女士）
30
MLD268
MRA769
0
手册， halfpage
收益
减少
（ dB）的
10
20
20
30
10
40
50
0
50
0
50
100
150
o
T J （ C）
0
1
2
3
VAGC （ V）
4
F = 50MHz的。
Fig.5
转移导纳作为一个功能
结温;典型值。
Fig.6
典型增益衰减成函数关系
AGC电压;看到图21 。
手册， halfpage
120
MRA771
MLD270
20
ID
（MA ）
15
2V
V G2 S = 4 V
3V
2.5 V
Vunw
（ DB
V)
110
100
10
1.5 V
90
5
1V
80
0
10
20
30
40
50
增益衰减（ dB）的
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V G1 S（ V）
V
DS
= 5 V; V
GG
= 5 V ; F
w
= 50兆赫。
f
UNW
= 60 MHz的;牛逼
AMB
= 25
°C;
R
G1
= 120 k.
Fig.7
不想要的电压为1％的交叉调制
作为增益减小的函数;典型
值;看到图21 。
V
DS
= 5 V.
T
j
= 25
°C.
图8传输特性;典型值。
牧师04 - 2007年11月13日
5 15
分立半导体
数据表
BF904A ; BF904AR ; BF904AWR
N沟道双栅MOS - FET的
产品speci fi cation
取代1999年的数据2月1日
1999年5月14日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道双栅MOS - FET的
特点
特别是在5 V设计使用
电源电压
具有较高的短沟道晶体管
转移导纳输入
电容比
低噪声增益控制放大器
高达1 GHz
优越的交叉调制
AGC过程中的表现。
应用
VHF和UHF应用
3 7 V电源电压，如
电视调谐器和专业
通信设备。
描述
增强型场效应
晶体管。晶体管组成
一个放大器的MOS - FET的源极
与基板互连和
内部偏置电路，以确保良好
在交叉调制性能
AGC 。
该BF904A ， BF904AR和
BF904AWR封装在
SOT143B ， SOT143R和SOT343R
塑料封装分别。
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
y
fs
C
ig1-ss
C
RSS
F
T
j
参数
漏源电压
漏电流
总功耗
正向转移导纳
在1号门的输入电容
反向传输电容
噪音科幻gure
工作结温
小心
F = 1 MHz的
F = 800 MHz的
T
s
≤
110
°C
2
顶视图
BF904A ; BF904AR ; BF904AWR
钉扎
针
1
2
3
4
描述
来源
漏
门2
门1
1
顶视图
2
MSB014
手册， 2列
4
3
BF904A标记的代码：
M41.
Fig.1
简化的轮廓
(SOT143B).
手册， 2列
3
4
halfpage
3
4
1
2
MSB035
1
MSB842
顶视图
BF904AR标记的代码：
M42.
BF904AWR标记的代码：
mH的。
Fig.2
简化的轮廓
(SOT143R).
Fig.3
简化的轮廓
(SOT343R).
条件
分钟。
22
典型值。
25
2.2
25
2
马克斯。
7
30
200
30
2.6
35
150
单位
V
mA
mW
mS
pF
fF
dB
°C
此产品是在防静电包装供给以防止因运输过程中的静电放电损坏
和处理。欲了解更多信息，请参阅飞利浦规格： SNW -EQ- 608 SNW - FQ- 302A和SNW - FQ- 302B 。
1999年5月14日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道双栅MOS - FET的
BF904A ; BF904AR ; BF904AWR
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
DS
I
D
I
G1
I
G2
P
合计
T
英镑
T
j
记
1. T
s
是在源极引线的焊接点的温度。
参数
漏源电压
漏电流
门1电流
门2的电流
总功耗
储存温度
工作结温
T
s
≤
110
°C;
注意1 ;见图4
条件
65
分钟。
7
30
±10
±10
200
+150
150
马克斯。
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
单位
MGL615
手册， halfpage
250
P合计
（ mW）的
200
150
100
50
0
0
50
100
150
TS （ ° C）
200
图4功率降额曲线。
1999年5月14日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道双栅MOS - FET的
热特性
符号
R
第j个-S
记
1.焊接点源铅。
静态特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
(BR)G1-SS
V
(BR)G2-SS
V
(F)S-G1
V
(F)S-G2
V
G1-S(th)
V
G2-S(th)
I
DSX
I
G1-SS
I
G2-SS
记
1. R
G1
到V连接门1
GG
= 5 V ;看到图21 。
参数
1号门 - 源极击穿电压
2号门 - 源极击穿电压
前锋源极 - 栅极电压1
前锋源极 - 栅极电压2
1号门源阈值电压
2号门源阈值电压
漏 - 源电流
门1的截止电流
门2的截止电流
参数
热阻结到焊接点
BF904A ; BF904AR ; BF904AWR
条件
注1
价值
200
单位
K / W
条件
V
G2-S
= V
DS
= 0; I
G1-S
= 10毫安
V
G1-S
= V
DS
= 0; I
G2-S
= 10毫安
V
G2-S
= V
DS
= 0; I
S-G1
= 10毫安
V
G1-S
= V
DS
= 0; I
S-G2
= 10毫安
V
G2-S
= 4 V; V
DS
= 5 V ;我
D
= 20
A
V
G1-S
= V
DS
= 5 V ;我
D
= 20
A
V
G2-S
= 4 V; V
DS
= 5 V;
R
G1
= 120 kΩ的;注1
V
G2-S
= V
DS
= 0; V
G1-S
= 5 V
V
G1-S
= V
DS
= 0; V
G2-S
= 5 V
分钟。
6
6
0.5
0.5
0.3
0.3
8
马克斯。
15
15
1.5
1.5
1
1.2
13
50
50
单位
V
V
V
V
V
V
mA
nA
nA
动态特性
常见的来源;牛逼
AMB
= 25
°C;
V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V ;我
D
= 10毫安;除非另有规定。
符号
y
fs
C
ig1-s
C
ig2-s
C
os
C
rs
F
参数
正向转移导纳
在1号门的输入电容
在2号门的输入电容
漏 - 源电容
噪音科幻gure
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 200 MHz的;
S
= 2毫秒; B
S
= B
SOPT
F = 800 MHz的;
S
= G
SOPT
; B
S
= B
SOPT
条件
脉冲;吨
j
= 25
°C
分钟。
22
1
1
典型值。
25
2.2
1.5
1.4
25
1
2
马克斯。
30
2.6
2
1.7
35
1.5
2.8
单位
mS
pF
pF
pF
fF
dB
dB
反向传输电容F = 1兆赫
1999年5月14日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道双栅MOS - FET的
BF904A ; BF904AR ; BF904AWR
40
FS
（女士）
30
MLD268
MRA769
0
手册， halfpage
收益
减少
（ dB）的
10
20
20
30
10
40
50
0
50
0
50
100
150
o
T J （ C）
0
1
2
3
VAGC （ V）
4
F = 50MHz的。
Fig.5
转移导纳作为一个功能
结温;典型值。
Fig.6
典型增益衰减成函数关系
AGC电压;看到图21 。
手册， halfpage
120
MRA771
MLD270
20
ID
（MA ）
15
2V
V G2 S = 4 V
3V
2.5 V
Vunw
（ DB
V)
110
100
10
1.5 V
90
5
1V
80
0
10
20
30
40
50
增益衰减（ dB）的
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V G1 S（ V）
V
DS
= 5 V; V
GG
= 5 V ; F
w
= 50兆赫。
f
UNW
= 60 MHz的;牛逼
AMB
= 25
°C;
R
G1
= 120 k.
Fig.7
不想要的电压为1％的交叉调制
作为增益减小的函数;典型
值;看到图21 。
V
DS
= 5 V.
T
j
= 25
°C.
图8传输特性;典型值。
1999年5月14日
5
QQ：2880707522 复制
