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分立半导体
数据表
手册, halfpage
M3D067
BF872
PNP型高压晶体管
产品speci fi cation
取代1998年的数据09月21日
1999年04月21
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP型高压晶体管
特点
低反馈电容。
手册, halfpage
BF872
应用
对于颜色的B类视频输出级使用
电视接收器。
描述
PNP晶体管采用TO -202塑料封装。
NPN补充: BF871 。
钉扎
1
2
3
辐射源
集电极,连接到安装基座
BASE
Fig.1
简化外形( TO- 202)和符号。
描述
1 2 3
3
1
2
MBH792
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
25
°C
T
mb
25
°C
开基
集电极开路
条件
发射极开路
65
65
分钟。
马克斯。
300
300
5
50
100
50
1.6
5
+150
150
+150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
W
W
°C
°C
°C
1999年04月21
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP型高压晶体管
热特性
符号
R
日J-一
R
日J- MB
参数
从结点到环境的热阻
从结热阻安装基座
价值
78
25
BF872
单位
K / W
K / W
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CESAT
C
re
f
T
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
反馈电容
跃迁频率
条件
I
E
= 0; V
CB
=
200
V
I
E
= 0; V
CB
=
200
V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
=
5
V
I
C
=
25
毫安; V
CE
=
20
V
I
C
= i
c
= 0; V
CE
=
30
V ; F = 1MHz的
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
10
V;
F = 100 MHz的
50
60
分钟。
马克斯。
10
10
50
600
2.2
mV
pF
兆赫
单位
nA
A
nA
集电极 - 发射极饱和电压I
C
=
30
毫安;我
B
=
5
mA
1999年04月21
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP型高压晶体管
包装外形
塑料单端含铅(通孔)包;有散热片,安装到散热片,
1安装孔; 3引线(直列)
E1
P
c
1
BF872
SOT128B
P1
HE
D
L2
L1
L
1
2
bp
e1
e
E
3
w
M
Q
A
c
0
外形尺寸(mm是原始尺寸)
单位
mm
A
4.6
4.4
bp
0.8
0.6
c
0.65
0.5
c1
0.56
0.46
D
8.6
8.4
E
10.1
9.9
E
1
10.4
10.0
e
5.08
5
规模
e1
2.54
10 mm
HE
24.2
23.8
L
13.3
12.2
L1
2.4
2.0
L2
(1)
最大
2.5
P
3.8
3.6
P1
3.9
3.7
Q
1.7
1.5
w
0.25
1.此区域内不允许使用塑料闪光
概要
VERSION
SOT128B
参考文献:
IEC
JEDEC
TO-202
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
1999年04月21
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP型高压晶体管
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
初步speci fi cation
产品speci fi cation
极限值
BF872
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
给定的限值按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。强调以上一个或
更多的限制,可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只有经营
该设备在这些或高于任何其他条件的特定网络阳离子的特性部分给出的
是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出,它是咨询,并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备,设备或系统中使用,其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这类应用中使用这样做在自己的风险,并同意完全赔偿飞利浦对此类造成的任何损坏
不当使用或销售。
1999年04月21
5
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