【分立半导体数据表BF861A ; BF861B ; BF861CN沟道FET的结产品speci fi】,IC型号BF861C,BF861C PDF资料,BF861C经销商,ic,电子元器件-51电子网

分立半导体

数据表

BF861A ; BF861B ; BF861C

N沟道FET的结

产品speci fi cation

取代1995年的数据04月14日

在分离式半导体文件， SC07

1997年9月04

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道FET的结

特点

高送转导纳

低输入电容

低反馈电容

低噪声。

应用

前置放大器的AM调谐器的汽车收音机。

描述

N沟道对称的结型场效应晶体管中的一

SOT23封装。

钉扎 - SOT23

针

符号

漏

门

描述

来源

BF861A ; BF861B ; BF861C

手册， halfpage

顶视图

MAM036

标记代码：

BF861A ： M33 。

BF861B ： M34 。

BF861C ： M35 。

Fig.1简化外形和符号。

小心

该器件采用防静电包装中提供。该

栅源输入必须加以保护，防止静电

运输或装卸过程中排出。

快速参考数据

符号

DSS

参数

漏极 - 源极电压（直流）

漏电流

BF861A

BF861B

BF861C

合计

总功耗

正向转移导纳

BF861A

BF861B

BF861C

国际空间站

RSS

输入电容

反向传输电容

F = 1 MHz的

最多至T

AMB

= 25

°C

= 0; V

= 8 V

2.7

= 0; V

= 8 V

6.5

250

条件

分钟。

马克斯。

单位

1997年9月04

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道FET的结

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

GSO

DGO

合计

英镑

记

1.装置安装在一FR4印刷电路板。

参数

漏极 - 源极电压（直流）

栅源电压

漏极 - 栅极电压（直流）

正向栅极电流（DC）的

总功耗

储存温度

工作结温

漏极开路

开源

BF861A ; BF861B ; BF861C

条件

最多至T

AMB

= 25

°C;

注1

分钟。

马克斯。

250

+150

150

单位

°C

300

合计

（ mW）的

MRC166

200

100

TAMB （

150

图2功率降额曲线。

1997年9月04

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道FET的结

热特性

符号

日J-一

记

1.装置安装在一FR4印刷电路板。

特征

= 25

°C;

= 8 V; V

= 0;除非另有规定。

符号

（ BR ） GSS

GSoff

参数

栅极 - 源极截止电压

BF861A

BF861B

BF861C

GSS

DSS

门源正向电压

漏电流

BF861A

BF861B

BF861C

GSS

栅极截止电流

正向转移导纳

BF861A

BF861B

BF861C

共源输出

导

BF861A

BF861B

BF861C

国际空间站

RSS

/√B

输入电容

反向传输电容

等效输入噪声电压

F = 1 MHz的

= 0; F = 1 MHz的

V; V

= 0

= 0; I

= 1毫安

条件

= 1

参数

从结点到环境的热阻;注1

BF861A ; BF861B ; BF861C

价值

500

单位

K / W

分钟。

0.2

0.5

0.8

典型值。

马克斯。

单位

栅源击穿电压I

1 A

1.5

6.5

2.1

1.5

200

250

300

2.7

纳伏/赫兹÷

1997年9月04

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道FET的结

BF861A ; BF861B ; BF861C

I DSS

（MA ）

MBD461

手册， halfpage

300

MBD462

GOS

(S)

200

100

0.5

1.5

V GSoff （ V）

我DSS （毫安）

= 8 V.

= 0.

Fig.3

漏电流的栅源极间的函数

截止电压;典型值。

Fig.4

共源输出电导为

漏电流的函数;典型值。

手册， halfpage

MBD463

MBD464

手册， halfpage

BF861C

BF861B

（女士）

BF861A

我DSS （毫安）

I D （毫安）

= 8 V.

= 0.

= 8 V.

Fig.5

正向转移导纳为

漏电流的函数;典型值。

Fig.6

正向转移导纳为

漏电流的函数;典型值。

1997年9月04

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