【SMD型PNP型高压晶体管BF821,BF823SOT-23+0.12.9-0.1+0.10.4-0】,IC型号BF821,BF821 PDF资料,BF821经销商,ic,电子元器件-51电子网

SMD型

PNP型高压晶体管

BF821,BF823

SOT-23

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

晶体管

单位：mm

特点

+0.1

2.4

-0.1

低电流（最大50 mA）的

高电压（最大300伏）。

+0.1

1.3

-0.1

1

+0.1

0.95

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

2

0.55

0.4

3

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

0.97

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

BF821

BF823

集电极 - 发射极电压

BF821

BF823

发射极 - 基极电压

集电极电流

峰值集电极电流

峰值电流基地

总功耗*

储存温度

结温

工作环境温度

从结点到环境的热阻*

V

EBO

I

C

I

CM

I

BM

P

合计

T

英镑

T

j

R

AMB

R

日J-一

V

首席执行官

符号

V

CBO

等级

-300

-250

-300

-250

-5

-50

-100

-50

250

-65到+150

150

-65到+150

500

K / W

单位

V

mA

mW

*晶体管安装在一FR4印刷电路板。

电气特性TA = 25

参数

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

反馈电容

跃迁频率

符号

I

CBO

I

EBO

h

FE

V

CESAT

C

re

f

T

Testconditons

I

E

= 0; V

CB

= -200 V

I

E

= 0; V

CB

= -200 V ;牛逼

j

= 150

I

C

= 0; V

EB

= -5 V

I

C

= -25毫安; V

CE

= -20 V

I

C

= -30毫安;我

B

= -5毫安

I

C

=集成电路= 0; V

CB

= -30 V ; F = 1 MHz的

I

C

= -10毫安; V

CE

= -10 V ; F = 100 MHz的

60

50

-800

1.6

mV

pF

兆赫

民

典型值

最大

-10

-50

单位

nA

ìA

nA

h

FE

分类

TYPE

记号

BF821

1W

BF823

1Y

+0.1

0.38

-0.1

0-0.1

www.kexin.com.cn

1

RECTRON

半导体

技术规格

见下文

为

产品编号

SOT -23 - 功率晶体管和达林顿

最大额定值

产品编号

电气特性

（大=

25 ° C除非另有说明）

极性V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

P

D

I

C

(V) (V) (V)

( W)

(A)

O

闵縻嗯分钟@ 25℃

PNP

NPN

PNP

NPN

PNP

NPN

PNP

NPN

1

I

CBO

V

h

FE

I

@

CB FE

@

C

（ UA）

(A)

最小最大

最大

100

15

20

30

200

20

100

110

200

125

50

67

36

600

450

800

475

800

100

2

25

1

*BC807

*BC808

*BC817

*BC818

*BC846

*BC847

*BC848

*BC849

*BC850

*BC856

*BC857

*BC858

*BC859

*BC860

BF820

BF821

BF822

BF823

BF840

BF841

*

50

1

30

1

50

1

30

1

80

50

30

50

80

50

30

50

300

250

40

2

45

25

45

25

65

45

30

45

65

45

30

45

300

2

300

2

250

40

3

5

6

5

4

0.25

0.5

0.1

V

CE

V

I

f

T

V

CE （ SAT ）， BE （ SAT ）

@

C

@

(V)

（ A）（兆赫）

(V)

MIN -

民

最大

1

0.70

500

1

0.70

500

1

0.70

500

1

0.70

500

5

0.60

100

5

0.60

100

5

0.60

100

5

0.60

100

5

0.60

100

5

0.65

100

5

0.65

100

5

0.65

100

5

0.65

100

5

20

10

0.65

0.60

0.80

0.60

0.80

100

30

380

I

C

（MA ）

10

1

30 125

0.05 10

0.025 100

5

222

125

h

FE

V

CES

V

CER

I

CEX

民

最大

产品编号

CMBT918

CMBT2222A

CMBT2907A

CMBT3904

CMBT3906

CMBT4401

CMBT4403

CMBT5401

CMBT5551

CMBTA05

CMBTA06

CMBTA13

CMBTA14

CMBTA42

CMBTA55

CMBTA56

CMBTA92

CMMT451

CMMT491

CMMT551

CMMT591

CSA1162GR

CSA1362GR

CSC2712GR

CSD1306E

1

极性V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

P

D

I

C

（ V）（ V）（ V）（ W）（A ）

分分分

NPN

30 15

3 0.225 0.35

NPN

PNP

NPN

PNP

NPN

PNP

NPN

PNP

NPN

PNP

NPN

3

I

CBO

@ V

CB

h

FE

h

FE

@ I

C

（ UA）

(V)

(A)

最大

最小最大

50

15 20

3

10

50

3

50

3

60

50

30

35

100

300

240

250

-

150

300

150

10

150

10

100

10

100

10

150

500

150

500

2

100

2

150

75

60

40

60

40

160

40

60

40

150

6

5

6

5

6

5

6

4

10

6

4

5

0.25

0.5

0.6

0.2

0.6 100

3

0.6 100

3

0.5

0.6

0.5

0.3

0.5

50

100

120 60

120 80

60

80

30

100

10k

20k

180 160

60

80

30

60

80

30

1

30

1

300 300

60 60

80 80

300 300

80

50

15

60

30

4

200 40

60 100

80 100

200 40

60

50

100

50

0.5 100

0.5 250

1.0 100

100

100-

0.70

0

60

50

15

50

15

0.5 1.0

0.15 0.15

0.2 0.80

0.15 0.15

0.2

60 100 300

50 200 400

15 200 400

60 200 400

20 400

800

V

CE

V

CE （SAT）

V

BE （SAT）

@

(V)

最大的Mn -MX

1

0.40

-

1.00

4

10

0.30 0.60

4

1.20

5

10

0.40

-

1.30

5

1

0.20 0.65

4

0.85

5

1

0.25 0.65

4

0.85

5

1

0.40 0.75

4

0.95

5

2

0.40 0.75

4

0.95

5

-

5

0.20

1.00

5

0.15

-

1.00

5

1

0.25

-

1

0.25

-

5

1.50

-

5

1.50

-

10

0.50

-

0.90

5

1

0.25

-

1

0.25

-

10

0.50

-

0.90

5

10

0.35

-

1.10

5

0.25

-

10

0.35

-

1.10

5

0.30

-

6

0.30

-

1

0.25

-

6

0.25

-

1

0.50

-

I

C

f

T

@ I

C

（毫安）（兆赫）（MA ）

10

150

10

150

10

100

20

100

20

150

500

150

500

100

400

100

500

-

300

5

300

5

-

120

4

-

250

4

20

50

10

20

10

100

10

50

1

10

1

150

I

CE0

2

I

CBO

V

CES

I

CER

f

T

典型值

分立半导体

数据表

BF821 ; BF823

PNP型高压晶体管

产品数据表

取代1999年的数据4月15日

2004年01月16日

恩智浦半导体

产品数据表

PNP型高压晶体管

特点

低电流（最大50 mA）的

高电压（最大300伏）。

应用

电话和专业的通讯设备。

描述

PNP晶体管在SOT23塑料包装。

NPN补充： BF820 ， BF822 。

记号

类型编号

BF821

BF823

记

1. * = P ：香港制造。

* = T：在马来西亚。

* = W ：中国制造。

订购信息

包

Typenumber

名字

BF821

BF823

描述

塑料表面贴装封装; 3引线

标识代码

(1)

1W*

1Y*

顶视图

手册， halfpage

BF821 ; BF823

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

3

1

2

1

2

MAM256

Fig.1简化外形（ SOT23 ）和符号。

VERSION

SOT23

2004年01月16日

2

恩智浦半导体

产品数据表

PNP型高压晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

符号

V

CBO

BF821

BF823

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

BF821

BF823

V

EBO

I

C

I

CM

I

BM

P

合计

T

英镑

T

j

T

AMB

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

热特性

符号

R

号（j -a）的

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

特征

T

j

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

I

CBO

I

EBO

h

FE

V

CESAT

C

re

f

T

参数

集电极 - 基极截止电流

发射极 - 基极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

反馈电容

跃迁频率

条件

I

E

= 0; V

CB

=

200

V

I

E

= 0; V

CB

=

200

V ;牛逼

j

= 150

°C

I

C

= 0; V

EB

=

5

V

I

C

=

25

毫安; V

CE

=

20

V

I

C

=

30

毫安;我

B

=

5

mA

I

C

=

10

毫安; V

CE

=

10

V;

F = 100 MHz的

参数

从结点到环境的热阻

注1

条件

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

峰值电流基地

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

T

AMB

≤

25

°C;

注1

集电极开路

开基

参数

集电极 - 基极电压

条件

发射极开路

BF821 ; BF823

分钟。

65

马克斯。

300

250

300

250

5

50

100

50

250

+150

150

+150

单位

V

mA

mW

°C

价值

500

单位

K / W

分钟。

50

60

马克斯。

10

50

800

1.6

单位

nA

A

nA

mV

pF

兆赫

I

C

= I

c

= 0; V

CB

=

30

V ; F = 1 MHz的

2004年01月16日

3

恩智浦半导体

产品数据表

PNP型高压晶体管

包装外形

塑料表面贴装封装; 3引线

BF821 ; BF823

SOT23

D

B

E

A

X

HE

v

M

A

3

Q

A

A1

1

e1

e

bp

2

w

M

B

细节X

Lp

c

0

1

规模

2 mm

外形尺寸（mm是原始尺寸）

单位

mm

A

1.1

0.9

A

1

马克斯。

0.1

b

p

0.48

0.38

c

0.15

0.09

D

3.0

2.8

E

1.4

1.2

e

1.9

e

1

0.95

H

E

2.5

2.1

L

p

0.45

0.15

Q

0.55

0.45

v

0.2

w

0.1

概要

VERSION

SOT23

参考文献：

IEC

JEDEC

TO-236AB

JEITA

欧洲

投影

发行日期

04-11-04

06-03-16

2004年01月16日

4

恩智浦半导体

产品数据表

PNP型高压晶体管

数据表状态

文件

状态

(1)

目标数据表

初步数据表

产品数据表

笔记

1.启动或完成设计之前，请咨询最新发布的文档。

产品

状态

(2)

发展

QUALI科幻阳离子

生产

德网络nition

BF821 ; BF823

本文件包含的数据从客观规范的产品

发展。

本文件包含的初步规格数据。

本文件包含的产品规格。

2.本文档中描述的设备（S ）的产品的状态可能已经改变，因为这个文件发布

和可能不同的情况下，多个器件。最新产品状态信息可在互联网上

网址http://www.nxp.com 。

免责声明

一般

本文件中的信息被认为是

准确和可靠。然而，恩智浦半导体

不提供任何陈述或保证，

明示或暗示的内容的准确性或完整性

这样的信息，并有权对任何法律责任

使用这些信息的后果。

有权进行修改

恩智浦半导体

保留随时更改信息的权利

文件中公布的，包括但不限于

规格和产品说明，在任何时间，

恕不另行通知。本文件取代所有

之前，此次公布的信息。

适合使用

恩智浦半导体产品

没有设计，授权或担保适合

在医疗，军事，航空，航天和生活配套使用

设备，或者是在故障或失效

的恩智浦半导体的产品可以合理

预期会导致人身伤害，死亡或严重

属性或环境损害。恩智浦半导体

接受列入恩智浦和/或使用不承担任何责任

半导体产品在此类设备或

应用，因此这样的夹杂物和/或用途是在

客户自己的风险。

应用

在此描述为应用程序

任何这些产品仅用于说明性目的。

恩智浦半导体作任何陈述或

保修这样的应用将是适当的

没有进一步的测试或修改指定用途。

极限值

应力以上的一个或多个限制

值（如在绝对最大额定值定义

IEC 60134 ）的系统可能会造成永久性损坏

该设备。极限值值仅为

该器件在这些或任何其他条件操作

超过上述的这种特性部分给出

文档是不是暗示。暴露限制值

长时间可能会影响器件的可靠性。

销售条款和条件

恩智浦半导体

产品的销售都遵循的一般条款和

商业销售截至公布的条件下，

http://www.nxp.com/profile/terms ，包括那些

关于保修，知识产权

侵权和赔偿责任限制，除非明确

恩智浦半导体另有书面同意。在

案件信息有任何不一致或冲突

本文与此类条款和条件，后者

将占上风。

没有任何要约出售或许可

本文档中的任何内容

也许能被解释为要约出售产品

这是开放的接受或批，运送或

任何许可下的任何版权，专利暗示或

其它工业或知识产权。

出口管制

本文档以及所述一条（或多条）

这里描述可能会受到出口管制

的规定。出口可能需要从一个事先授权

国家主管部门。

快速参考数据

快速参考的数据是

在限制值赋予了产品数据的提取物和

本文档的特征的部分，并且因此是

不完整的，详尽的或具有法律约束力。

2004年01月16日

5

TRANSYS

电子

L I M I T E

SOT- 23形成SMD封装

BF821

BF823

硅外延晶体管

P- N-P晶体管

记号

BF821 = 1W

BF823 = 1Y

包装外形细节

在M中所有尺寸

m

引脚配置

1 - 基地

2 - 发射极

3 - 集电极

3

1

2

绝对最大额定值

集电极 - 基极电压（发射极开路）

集电极 - 发射极电压（开基）

集电极 - 发射极电压（R

BE

= 2,7千瓦）

集电极电流（峰值）

总功率耗散高达至T

AMB

= 25 °C

结温

直流电流增益

–I

C

= 25毫安; -V

CE

= 20 V

反馈电容在f = 1 MHz的

· I

C

= 0; –V

CE

= 30 V

跃迁频率在f = 35 MHz的

–I

C

= 10毫安; -V

CE

= 10 V

BF821

–V

CB0

最大。 300

–V

CE0

最大。 -

–V

CER

最大。 300

–I

CM

马克斯。

P

合计

马克斯。

T

j

h

FE

C

re

f

T

＆ GT ;

＆ LT ;

＆ GT ;

BF823

250 V

– V

mA

mW

°C

100

250

150

50

1,6

60

pF

兆赫

BF821

BF823

评级

（在T

A

= 25 ° C除非另有规定编）

极限值

BF821

BF823

集电极 - 基极电压（发射极开路）

集电极 - 发射极电压（开基）

集电极 - 发射极电压（R

BE

= 2,7千瓦）

发射极 - 基极电压（集电极开路）

集电极电流（直流）

集电极电流（峰值）

总功耗

最多至T

AMB

= 25 °C

储存温度

结温

热阻

从结点到环境

特征

T

j

= 25 ° C除非另有规定编

集电极截止电流

I

E

= 0; –V

CB

= 200V

集电极 - 发射极电压

R

BE

= 2,7千瓦; V

CE

= 250 V

R

BE

= 2,7kW ; V

CE

= 200V ;牛逼

j

= 150°C

饱和电压

–I

C

= 30毫安; -l

B

= 5毫安

直流电流增益

I

C

= 25毫安; -V

CE

= 20 V

跃迁频率在f = 35 MHz的

–I

C

= 10毫安; -V

CE

= 10 V

反馈电容在f = 1 MHz的

I

C

= 0; –V

CE

= 30 V

–V

CB0

–V

CE0

–V

CER

–V

EB0

–I

C

–I

CM

P

合计

T

英镑

T

j

最大。 300

最大。 -

最大。 300

马克斯。

5

50

100

250 V

— V

V

mA

mW

°C

250

-55到+150

150

R

日J-一

=

500

KW

/

BF821

–I

CB0

＆ LT ;

10

50

10

0,8

50

60

1,6

BF823

10 nA的

50 nA的

10

mA

V

–I

CER

＆ LT ;

–I

CER

＆ LT ;

–V

CESAT

＆ LT ;

h

FE

f

T

CRE

＆ GT ;

＆ LT ;

兆赫

pF

BF 821 BF 823

PNP

高电压晶体管

PNP

表面贴装硅外延PlanarTransistors

硅外延PlanarTransistoren献给死去Oberflchenmontage

功耗 - Verlustleistung

2.9

±0.1

0.4

3

250毫瓦

SOT-23

(TO-236)

0.01 g

1.1

塑料外壳

Kunststoffgehuse

1.3

±0.1

TYPE

CODE

1

2

2.5

最大

重量约。 - Gewicht约

塑料材料具有UL分类94V- 0

Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert

标准包装卷带封装

标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔

1.9

尺寸/集体单位为毫米

1=B

2=E

3=C

最大额定值（T

A

= 25

/

C)

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基电压

功耗 - Verlustleistung

集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）

峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom

峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom

结温 - Sperrschichttemperatur

储存温度 - Lagerungstemperatur

B开

ê开放

c打开

- V

CE0

- V

CB0

- V

EB0

P

合计

- I

C

- I

CM

- I

BM

T

j

T

S

Grenzwerte （T

A

= 25

/

C)

BF 821

300 V

5V

250毫瓦

1

)

50毫安

百毫安

50毫安

150

/

C

- 65…+ 150

/

C

BF 823

250 V

特性（T

j

= 25

/

C)

分钟。

集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom

I

E

= 0, - V

CB

= 200 V

I

E

= 0, - V

CB

= 200 V，T

j

= 150

/

C

发射基截止电流 - Emitterreststrom

I

C

= 0, - V

EB

= 5 V

- I

C

= 30毫安， - 我

B

= 5毫安

- I

EB0

- V

CESAT

–

- I

CB0

- I

CB0

–

Kennwerte （T

j

= 25

/

C)

典型值。

–

马克斯。

10 nA的

10

:

A

50 nA的

800毫伏

集电极饱和电压。 - Kollektor - Sttigungsspg 。

2

)

1

）安装在交媾主板为3 mm

2

铜垫在每个终端

蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米

2

Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞

2

）测试与脉冲吨

p

= 300

:

S，占空比

#

2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨

p

= 300

:

S， Schaltverhltnis

#

2%

8

01.11.2003

高电压晶体管

特性（T

j

= 25

/

C)

分钟。

直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis

1

)

- V

CE

= 20 V ， - 我

C

= 25毫安

增益带宽积 - Transitfrequenz

- V

CE

= 10 V ， - 我

C

= 10 mA时， F = 100 MHz的

- V

CB

= 30 V，I

E

= i

e

= 0中，f = 1 MHz的

热阻结到环境空气

Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特

推荐互补NPN晶体管

Empfohlene komplementre NPN - Transistoren

标记 - Stempelung

BF 821 = 1W

f

T

C

CB0

60兆赫

–

R

THA

–

h

FE

50

–

BF 821 BF 823

Kennwerte （T

j

= 25

/

C)

典型值。

马克斯。

–

420 K / W

2

)

BF 820 BF 822

集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt

1.6 pF的

BF 823 = 1Y

）测试与脉冲吨

p

= 300

:

S，占空比

#

2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨

p

= 300

:

S， Schaltverhltnis

#

2%

）安装在交媾主板为3 mm

2

铜垫在每个终端

蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米

2

Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞

01.11.2003

1

2

9

BF821 ， BF823

小信号晶体管（ PNP ）

SOT-23

.122 (3.1)

.118 (3.0)

.016 (0.4)

3

特点

PNP硅外延平面晶体管

顶视图

.056 (1.43

)

.052 (1.33

)

特别适合于在课堂应用

电视接收机的B视频输出级

和显示器。

互补型， NPN型转录

电阻取值BF820和BF822建议。

1

2

最大。 0.004 （0.1）

.007 (0.175)

.005 (0.125)

.037(0.95) .037(0.95)

.045 (1.15)

.037 (0.95)

.016 (0.4)

.102 (2.6)

.094 (2.4)

机械数据

案例：

SOT- 23塑料包装

重量：

约。 0.008克

标识代码

BF821 = 1W

BF823 = 1Y

尺寸以英寸（毫米）

引脚配置

1 =基地， 2 =发射器， 3 =收藏家。

最大额定值和电气特性

在25 ° C环境温度，除非另有规定等级

符号

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

峰值集电极电流

在T功耗

SB

= 50 °C

结温

存储温度范围

1)

价值

300

250

300

5

50

100

300

1)

150

-65到+150

单位

V

mA

mW

°C

BF821

BF823

BF821

–V

CBO

–V

CBO

–V

首席执行官

–V

CER

–V

EBO

–I

C

–I

CM

P

合计

T

j

T

S

设备上的玻璃基板，看布局

4/98

BF821 ， BF823

电气特性

在25 ° C环境温度，除非另有规定等级

符号

集电极 - 基极击穿电压

在-I

C

= 100

A,

I

E

= 0

集电极 - 发射极击穿电压

在-I

C

= 10 mA时，我

B

= 0

集电极 - 发射极击穿电压

在r

BE

= 2.7 k,

–I

C

= 10毫安

发射极 - 基极击穿电压

在-I

E

= 100

A,

I

C

= 0

集电极 - 基极截止电流

在-V

CB

= 200 V，I

E

= 0

集电极 - 发射极截止电流

在r

BE

= 2.7 kΩ的， -V

CE

= 250 V

在r

BE

= 2.7 kΩ的， -V

CE

= 200 V，T

j

= 150 °C

集电极饱和电压

在-I

C

= 30毫安， -I

B

= 5毫安

直流电流增益

在-V

CE

= 20 V ，二

C

= 25毫安

增益带宽积

在-V

CE

= 10 V ， -I

C

= 10毫安

反馈电容

在-V

CE

= 30 V ， -I

C

= 0中，f = 1 MHz的

热阻结到环境空气

1)

分钟。

300

250

300

5

–

典型值。

–

马克斯。

–

10

单位

V

nA

BF821

BF823

BF821

–V

（ BR ） CBO

–V

（ BR ） CBO

–V

（ BR ） CEO

–V

（ BR ） CER

–V

（ BR ） EBO

–I

CBO

–I

CER

–I

CER

–V

CESAT

h

FE

f

T

C

re

R

thJA

–

50

60

–

50

10

0.8

–

1.6

430

1)

nA

A

V

–

兆赫

pF

K / W

设备上的玻璃基板，看布局

.30 (7.5)

.12 (3)

.04 (1)

.08 (2)

.04 (1)

.08 (2)

.59 (15)

.47 (12)

.03 (0.8)

0.2 (5)

.06 (1.5)

.20 (5.1)

尺寸英寸（毫米）

布局的R

thJA

TEST

厚度：玻璃纤维在0.059 （ 1.5 mm）的

铜导线在0.012 （0.3 MM）

分立半导体

数据表

书， halfpage

M3D088

BF821 ; BF823

PNP型高压晶体管

产品speci fi cation

取代1997年的数据4月23日

1999年04月15日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP型高压晶体管

特点

低电流（最大50 mA）的

高电压（最大300伏）。

应用

电话和专业的通讯设备。

描述

PNP晶体管在SOT23塑料包装。

NPN补充： BF820 ， BF822 。

记号

类型编号

BF821

BF823

记

1.

= P ：香港制造。

= T：在马来西亚。

标识代码

(1)

1W

1Y

顶视图

手册， halfpage

BF821 ; BF823

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

3

1

2

1

2

MAM256

Fig.1简化外形（ SOT23 ）和符号。

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

CBO

BF821

BF823

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

BF821

BF823

V

EBO

I

C

I

CM

I

BM

P

合计

T

英镑

T

j

T

AMB

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

峰值电流基地

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

T

AMB

≤

25

°C;

注1

集电极开路

开基

65

300

250

5

50

100

50

250

+150

150

+150

V

mA

mW

°C

参数

集电极 - 基极电压

条件

发射极开路

300

250

V

分钟。

马克斯。

单位

1999年04月15日

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP型高压晶体管

热特性

符号

R

日J-一

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

特征

T

j

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

I

CBO

I

EBO

h

FE

V

CESAT

C

re

f

T

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

反馈电容

跃迁频率

条件

I

E

= 0; V

CB

=

200

V

I

E

= 0; V

CB

=

200

V ;牛逼

j

= 150

°C

I

C

= 0; V

EB

=

5

V

I

C

=

25

毫安; V

CE

=

20

V

I

C

=

30

毫安;我

B

=

5

mA

I

C

= i

c

= 0; V

CB

=

30

V ; F = 1 MHz的

I

C

=

10

毫安; V

CE

=

10

V;

F = 100 MHz的

参数

从结点到环境的热阻

注1

条件

BF821 ; BF823

价值

500

单位

K / W

分钟。

50

60

马克斯。

10

50

800

1.6

单位

nA

A

nA

mV

pF

兆赫

1999年04月15日

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP型高压晶体管

包装外形

塑料表面贴装封装; 3引线

BF821 ; BF823

SOT23

D

B

E

A

X

HE

v

M

A

3

Q

A

A1

1

e1

e

bp

2

w

M

B

细节X

Lp

c

0

1

规模

2 mm

外形尺寸（mm是原始尺寸）

单位

mm

A

1.1

0.9

A

1

马克斯。

0.1

b

p

0.48

0.38

c

0.15

0.09

D

3.0

2.8

E

1.4

1.2

e

1.9

e

1

0.95

H

E

2.5

2.1

L

p

0.45

0.15

Q

0.55

0.45

v

0.2

w

0.1

概要

VERSION

SOT23

参考文献：

IEC

JEDEC

EIAJ

欧洲

投影

发行日期

97-02-28

1999年04月15日

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP型高压晶体管

释义

数据表状态

客观的特定网络阳离子

初步speci fi cation

产品speci fi cation

极限值

BF821 ; BF823

此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。

此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。

此数据表包含网络最终产品规范阳离子。

给定的限值按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。强调以上一个或

更多的限制，可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只有经营

该设备在这些或高于任何其他条件的特定网络阳离子的特性部分给出的

是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。

应用信息

其中应用信息被给出，它是咨询，并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。

生命支持应用

这些产品并非设计用于生命支持设备，设备或系统中使用，其中这些故障

产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户

在这类应用中使用这样做在自己的风险，并同意完全赔偿飞利浦对此类造成的任何损坏

不当使用或销售。

1999年04月15日

5

SMD型

晶体管

产品speci fi cation

BF821,BF823

SOT-23

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

单位：mm

特点

+0.1

2.4

-0.1

低电流（最大50 mA）的

高电压（最大300伏）。

+0.1

1.3

-0.1

1

+0.1

0.95

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

2

0.55

0.4

3

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

0.97

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

BF821

BF823

集电极 - 发射极电压

BF821

BF823

发射极 - 基极电压

集电极电流

峰值集电极电流

峰值电流基地

总功耗*

储存温度

结温

工作环境温度

从结点到环境的热阻*

V

EBO

I

C

I

CM

I

BM

P

合计

T

英镑

T

j

R

AMB

R

日J-一

V

首席执行官

符号

V

CBO

等级

-300

-250

-300

-250

-5

-50

-100

-50

250

-65到+150

150

-65到+150

500

K / W

单位

V

mA

mW

*晶体管安装在一FR4印刷电路板。

电气特性TA = 25

参数

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

反馈电容

跃迁频率

符号

I

CBO

I

EBO

h

FE

V

CESAT

C

re

f

T

Testconditons

I

E

= 0; V

CB

= -200 V

I

E

= 0; V

CB

= -200 V ;牛逼

j

= 150

I

C

= 0; V

EB

= -5 V

I

C

= -25毫安; V

CE

= -20 V

I

C

= -30毫安;我

B

= -5毫安

I

C

=集成电路= 0; V

CB

= -30 V ; F = 1 MHz的

I

C

= -10毫安; V

CE

= -10 V ; F = 100 MHz的

60

50

-800

1.6

mV

pF

兆赫

民

典型值

最大

-10

-50

单位

nA

ìA

nA

h

FE

分类

TYPE

记号

BF821

1W

BF823

1Y

+0.1

0.38

-0.1

0-0.1

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

1 1