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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第29页 > BF799
BF799
NPN硅晶体管RF
对于线性宽带放大器
应用高达500 MHz
电视调谐器SAW过滤器驱动程序
3
结温
储存温度
热阻
1
T
是在焊接点上的印刷电路板测量的集电极引线
S
2For计算的
R
thJA
请参考应用笔记热阻
1

结 - 焊接点
2)



2
1
VPS05161
TYPE
BF799
最大额定值
参数
记号
LKS
1=B
引脚配置
2=E
3=C
包
SOT23
符号
V
首席执行官
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
价值
单位
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
,
峰值电流基地
总功耗
T
S
20
30
30
3
35
50
15
280
150
-65 ... 150
V
mA
mW
°C
69 °C
1)
R
thjs
290
K / W
Apr-15-2003
BF799
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
值
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1毫安，
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
E
= 0
基极 - 发射极击穿电压
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 20 V,
I
E
= 0
直流电流增益
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 10 V
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 10 V
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 20毫安，
I
B
= 2毫安
基射极饱和电压
I
C
= 20毫安，
I
B
= 2毫安
V
BESAT
V
CESAT
h
FE
I
CBO
V
（ BR ） EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
典型值。
马克斯。
单位
20
30
3
-
-
-
-
-
-
-
-
100
V
nA
-
35
40
-
-
95
100
0.1
-
-
250
0.3
0.95
V
AC特性
跃迁频率
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 100兆赫
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 8 V,
f
= 100兆赫
输出电容
V
CB
= 10 V,
I
E
= 0 mA时，
f
= 1兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
集电极 - 发射极电容
V
CE
= 10 V,
f
= 1兆赫
噪声系数
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 100 MHz时，
F
-
3
-
dB
C
ce
-
0.28
-
C
cb
-
0.7
-
C
ob
f
T
-
-
-
800
1100
0.96
-
-
-
pF
兆赫
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 35 MHz的
2
Apr-15-2003

输出电导

Z
S
= 50
g
22e
-
60
-
S
BF799
总功耗
P
合计
=
f
(
T
S
)
320
mW
240
P
合计
200
160
120
80
40
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
T
S
允许的脉冲负载
R
thjs
=
f
(t
p
)
允许的脉冲负载
P
totmax
/P
totDC
=
f
(t
p
)
10
3
10
3
P
totmax
/ P
totDC
K / W
-
R
thjs
10
2
10
2
10
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
1
10
0 -7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
t
p
10
0
10
0 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
3
Apr-15-2003
BF799
跃迁频率
f
T
=
f
(
I
C
)
f
= 100MHz的
BF 799
EHT07116
集电极 - 基极电容
C
cb
=
f
(
V
CB
)
f
= 1兆赫
BF 799
EHT07117
1200
f
T
兆赫
1000
1.5
C
cb
pF
V
CE
= 5 V
800
1.0
600
2V
400
0.5
200
0
0
10
20
30
40毫安50
0
0
10
V
V
CB
20
Ι
C
4
Apr-15-2003
NPN硅晶体管RF
q
对于线性宽带放大器
BF 799
应用高达500 MHz
q
电视调谐器SAW过滤器驱动程序
TYPE
BF 799
记号
LK
订购代码
（磁带和卷轴）
Q62702-F935
引脚配置
1
2
3
B
E
C
包
1)
SOT-23
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极反向电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗，
T
A
≤
25 C
结温
存储温度范围
热阻
结 - 环境
2)
R
日JA
≤
450
符号
V
CE0
V
CES
V
CB0
V
EB0
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
值
20
30
30
3
35
50
15
280
150
– 65 … + 150
单位
V
mA
mW
C
K / W
1)
2)
有关详细信息，请参阅本章包装纲要。
包安装在氧化铝15毫米
×
16.7 mm
×
0.7 mm.
半导体集团
1
07.94
BF 799
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1毫安，
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10
A,
I
E
= 0
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10
A
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 20 V
直流电流增益，
V
CE
= 10 V
I
C
= 5毫安
I
C
= 20毫安
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 20毫安，
I
B
= 2毫安
基射极饱和电压
I
C
= 20毫安，
I
B
= 2毫安
AC特性
跃迁频率
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 100兆赫
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 8 V,
f
= 100兆赫
输出电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1 MHz时，
I
E
= 0
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
V
BE
= 0 V,
f
= 1兆赫
集电极 - 发射极电容
V
CE
= 10 V,
V
BE
= 0 V,
f
= 1兆赫
噪声系数
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 100兆赫
R
S
= 50
输出电导
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 35 MHz的
f
T
–
–
C
ob
C
cb
C
ce
F
–
–
–
–
800
1100
0.96
0.7
0.28
3
–
–
–
–
–
–
dB
pF
兆赫
V
（ BR ） CE0
V
（ BR ） CB0
V
（ BR ） EB0
I
CB0
h
FE
35
40
V
CE坐
V
BE坐
–
–
95
100
0.15
–
–
250
0.5
0.95
V
20
30
3
–
–
–
–
–
–
–
–
100
nA
–
V
值
典型值。
马克斯。
单位
g
22e
–
60
–
S
半导体集团
2
BF 799
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
)
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
C
cb
=
f
(V
CB
)
f
= 1兆赫
半导体集团
3
BF799
NPN硅晶体管RF
对于线性宽带放大器
应用高达500 MHz
电视调谐器SAW过滤器驱动程序
无铅（符合RoHS ）
包
1)
合格的依据AEC Q101
3
1
2
TYPE
BF799
最大额定值
参数
记号
LKS
1=B
引脚配置
2=E
3=C
包
SOT23
符号
V
首席执行官
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
价值
20
30
30
3
35
50
15
280
150
-65 ... 150
单位
V
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流，
峰值电流基地
总功耗
T
S
≤
69 °C
2)
结温
储存温度
热阻
结 - 焊接点
3)
1
含有铅，
3
为
mA
mW
°C
R
thjs
≤
290
K / W
包可能是可根据特殊要求
2
T
是在焊接点上的印刷电路板测量的集电极引线
S
计算
R
thJA请参考应用笔记热阻
1
2007-04-20
BF799
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
符号
值
参数
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1毫安，
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
E
= 0
基极 - 发射极击穿电压
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 20 V,
I
E
= 0
直流电流增益
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 10 V
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 10 V
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 20毫安，
I
B
= 2毫安
基射极饱和电压
I
C
= 20毫安，
I
B
= 2毫安
V
BESAT
-
-
0.95
V
CESAT
h
FE
35
40
-
95
100
0.1
-
250
0.3
V
-
I
CBO
-
-
100
nA
V
（ BR ） EBO
3
-
-
V
（ BR ） CBO
30
-
-
V
（ BR ） CEO
20
-
-
V
典型值。
马克斯。
单位
AC特性
跃迁频率
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 100兆赫
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 8 V,
f
= 100兆赫
输出电容
V
CB
= 10 V,
I
E
= 0 mA时，
f
= 1兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
集电极 - 发射极电容
V
CE
= 10 V,
f
= 1兆赫
噪声系数
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 100 MHz时，
Z
S
= 50
输出电导
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 35 MHz的
g
22e
-
60
-
S
F
-
3
-
dB
C
ce
-
0.28
-
C
cb
-
0.7
-
C
ob
f
T
-
-
-
800
1100
0.96
-
-
-
pF
兆赫
2
2007-04-20
BF799
总功耗
P
合计
=
F（T
S
)
320
mW
240
P
合计
200
160
120
80
40
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
T
S
允许的脉冲负载
R
thjs
=
f
(t
p
)
允许的脉冲负载
P
totmax
/P
totDC
=
f
(t
p
)
10
3
10
3
K / W
P
totmax
/ P
totDC
-
10
2
10
2
10
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
R
thjs
10
1
10
0 -7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
t
p
10
0
10
0 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
3
2007-04-20
BF799
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
f
= 100MHz的
BF 799
EHT07116
集电极 - 基极电容
C
cb
=
f
(V
CB
)
f
= 1兆赫
BF 799
EHT07117
1200
f
T
兆赫
1000
1.5
C
cb
pF
V
CE
= 5 V
800
1.0
600
2V
400
0.5
200
0
0
10
20
30
40毫安50
0
0
10
V
V
CB
20
Ι
C
4
2007-04-20
SOT23封装
BF799
包装外形
0.15分钟。
1
±0.1
0.1最大。
1.3
±0.1
2.9
±0.1
3
B
2.4
±0.15
10最大。
1)
0.4
+0.1
-0.05
1
2
10最大。
C
0.95
1.9
0.08...0.1
A
5
0...8
0.25
M
B C
0.2
M
A
1 ）导线宽度可以是0.6最大。在密封条领域
FOOT PRINT
0.8
0.9
0.8
1.2
标记版面（例）
生产厂家
EH
s
销1
0.9
1.3
2005年六月
日期代码（ YM ）
BCW66
型号代码
标准包装
盘180毫米= 3.000件/卷
盘330毫米= 10.000件/卷
4
0.9
2.13
2.65
0.2
8
销1
3.15
1.15
5
2007-04-20
查看更多BF799PDF信息
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B330
BH76909GU
B43305E2228M067
B25667B5147A375
BZB984-C11
BF-C325RD
BAS11
BH6766FVM
B84143-G66-R11
B59701A100A62
B59701-A100-A62
BM10B-ZESS-TBT
BZX84J
BC808-25LT1G
BL8560-MCRC
B4250CR-5.0
BL-B23V1H-L
BUS-61569-560K
BZV853V0
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BF799
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市创芯联盈电子有限公司
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电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BF799
Infineon Technologies
2422+
6640
SOT-23-3
代理Infineon Technologies专营，原装现货优势
深圳市灿亿佳电子科技有限公司
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电话：13424184668
联系人：肖佳欣
地址：广东省深圳市福田区深南中路华强电子世界
BF799
SIEMENS
24+
8000000
SMD
13424184668 原厂直销 大量现货 可开票 原装正品
深圳市品优时代科技有限公司
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电话：0755-23612326
联系人：唐
地址：福田区振兴路华康大厦1栋519室
BF799
INFINEON
2019
79600
SOT23-3
原装正品 钻石品质 假一赔十
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电话：0755-82723761/82772189
联系人：夏先生 朱小姐
地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）
BF799
Infineon
25+
4500
QFN
全新原装现货特价销售！
江苏芯钻时代电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1316996791 复制

电话：18913062888
联系人：陈先生
地址：江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
BF799
INFINEON
24+
5000
SOT23
原装正品现货
深圳信泰电子器材有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ：519794981 复制

电话：0755-83242658
联系人：廖先生
地址：广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
BF799
INFINEON
24+
8000
SOT23
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