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BF771W
NPN硅晶体管RF
对于调制器和
在电视和录像机调谐器放大器
3
结温
环境温度
储存温度
热阻
结 - 焊接点
2)
R
thjs
1
T
是在焊接点上的印刷电路板测量的集电极引线
S
2For计算的
R
thJA
请参考应用笔记热阻


2
1
VSO05561
ESD
:
E
LECTRO
s
TATIC
d
ischarge敏感器件，观察处理防范！
TYPE
BF771W
最大额定值
参数
记号
苏格兰皇家银行
1=B
引脚配置
2=E
3=C
包
SOT323
符号
V
首席执行官
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
j
T
A
T
英镑
价值
12
20
20
2
80
10
580
150
-65 ... 150
-65 ... 150
单位
V
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
T
S
63 °C
1)
mA
mW
°C

150
K / W
1
Jun-27-2001
BF771W
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1毫安，
I
B
= 0
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 20 V,
V
BE
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 10 V,
I
E
= 0
发射基截止电流
V
EB
= 1 V,
I
C
= 0
直流电流增益
I
C
= 30毫安，
V
CE
= 8 V
h
FE
50
100
200
-
I
EBO
-
-
1
A
I
CBO
-
-
100
nA
I
CES
-
-
100
A
V
（ BR ） CEO
12
-
-
V
符号
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
2
Jun-27-2001
BF771W
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
符号
值
分钟。
AC特性
（通过随机抽样核实）
跃迁频率
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 8 V,
f
= 500 MHz的
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
集电极 - 发射极电容
V
CE
= 10 V,
f
= 1兆赫
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
噪声系数
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
功率增益，最大可用
1)
I
C
= 30毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
SOPT
,
Z
L
=
Z
LOPT
,
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
传感器增益
|S
21e
|
2
,
-
-
13.5
7.5
-
-
I
C
= 30毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
L
= 50
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
G
ma
-
-
15.5
10
-
-
F
-
-
1.3
2.1
-
-
C
eb
-
1.8
-
C
ce
-
0.28
-
C
cb
-
0.74
1
f
T
6
8
-
典型值。
马克斯。
单位
GHz的
pF
dB
1
G
ma
= |
S
21
/
S
12
| (k-(k
2
-1)
1/2
)

3
Jun-27-2001
BF 771W
NPN硅晶体管RF
对于调制器和
在电视和录像机调谐器放大器
防静电：静电放电
敏感的设备，观察处理防范！
TYPE
订购代码标识
引脚配置
BF 771W
苏格兰皇家银行
Q62702-F1519
1=B
2=E
3=C
包
SOT-323
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
符号
值
12
20
20
2
80
10
mW
580
150
- 65 ... + 150
- 65 ... + 150
≤
150
°C
mA
单位
V
V
首席执行官
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
j
T
A
T
英镑
1)
T
S
≤
63 °C
结温
环境温度
储存温度
热阻
结 - 焊接点
R
thjs
K / W
1)
T
S
是在焊接点上的印刷电路板测量的集电极引线。
半导体集团
1
Dec-11-1996
BF 771W
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
（ BR ） CEO
12
-
-
-
-
100
-
V
A
-
100
nA
-
100
A
-
1
-
50
200
I
C
= 1毫安，
I
B
= 0
集电极 - 发射极截止电流
I
CES
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
= 20 V,
V
BE
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 10 V,
I
E
= 0
发射基截止电流
V
EB
= 1 V,
I
C
= 0
直流电流增益
I
C
= 30毫安，
V
CE
= 8 V
半导体集团
2
Dec-11-1996
BF 771W
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
AC特性
跃迁频率
值
典型值。
马克斯。
单位
f
T
6
8
0.74
0.28
1.8
-
GHz的
pF
-
0.1
-
-
dB
-
-
1.3
2.1
-
-
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 8 V,
f
= 500 MHz的
集电极 - 基极电容
C
cb
C
ce
-
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
集电极 - 发射极电容
V
CE
= 10 V,
f
= 1兆赫
发射极 - 基极电容
C
eb
-
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
噪声系数
F
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
SOPT
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
功率增益
2)
G
ma
I
C
= 30毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=
Z
SOPT
Z
L
=
Z
LOPT
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
传感器增益
|S
21e
|
2
-
-
13.5
7.5
-
-
-
-
15.5
10
-
-
I
C
= 30毫安，
V
CE
= 8 V,
Z
S
=Z
L
= 50
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
2)
G
ma
= |S
21
/S
12
| (k-(k
2
-1)
1/2
)
半导体集团
3
Dec-11-1996
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BA6886
b78108s1332k000
BL-HG436A
B65806A3002X022
B43896A4686M001
BTW67-400
BCM3350
B59339A1322P020
B43252B2827M000
B32561-J1474-M
B32561J1474M
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
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    BF771W
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2024
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原装现货上海库存，欢迎咨询
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电话：0755-83777607/83777708/82799993
联系人：销售部1部
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BF771W
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
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地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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