NPN硅高压晶体管
BF 720
BF 722
q
适用于电视机的视频输出级和
q
q
q
q
开关电源
高的击穿电压
低集电极 - 发射极饱和电压
低电容
互补类型： BF 723分之721 （ PNP ）
TYPE
BF 720
BF 722
记号
BF 720
BF 722
订购代码
（磁带和卷轴）
Q62702-F1238
Q62702-F1306
引脚配置
1
2
3
4
B
C
E
C
包
1)
SOT-223
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
总功耗，
T
S
≤
110 C
2)
结温
存储温度范围
热阻
结 - 环境
2)
结 - 焊接点
R
日JA
R
日JS
≤
87
≤
27
符号
BF 720
V
CE0
V
CER
V
CB0
V
EB0
I
C
I
CM
P
合计
T
j
T
英镑
–
300
300
5
值
BF 722
250
–
250
5
50
100
1.5
150
单位
V
mA
W
C
– 65 … + 150
K / W
1)
2)
有关详细信息，请参阅本章包装纲要。
安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐
×
40 mm
×
1.5毫米/ 6厘米
2
铜。
半导体集团
1
5.91
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型高压晶体管
特点
低反馈电容。
应用
彩色电视的B类视频输出级
接收机
通用高压电路。
描述
NPN晶体管在SOT223塑料包装。
PNP补充： BF723 。
钉扎
针
1
2, 4
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1
描述
1
顶视图
2
3
手册， halfpage
BF720 ; BF722
4
2, 4
1
3
MAM287
简化外形（ SOT223 ）和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
BF720
BF722
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BF720
BF722
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.装置安装在印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘
1厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“为SOT223在总则部分的相关散热的考虑
手册“ 。
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
集电极开路
开基
65
65
300
250
5
100
200
100
1.2
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
W
°C
°C
°C
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
300
250
V
V
分钟。
马克斯。
单位
1999年04月21
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型高压晶体管
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-S
记
参数
从结点到环境的热阻
热阻结到焊接点
条件
注1
注1
BF720 ; BF722
价值
106
25
单位
K / W
K / W
1.装置安装在印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“为SOT223在总则部分的相关散热的考虑
手册“ 。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CESAT
C
re
f
T
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
反馈电容
跃迁频率
条件
I
E
= 0; V
CB
= 200 V
I
E
= 0; V
CB
= 200 V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 25毫安; V
CE
= 20 V
I
C
= i
c
= 0; V
CE
= 30 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 10毫安; V
CE
= 10 V ; F = 100 MHz的
50
60
分钟。
马克斯。
10
10
50
0.6
1.6
V
pF
兆赫
单位
nA
A
nA
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= 30毫安;我
B
= 5毫安
1999年04月21
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型高压晶体管
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
初步speci fi cation
产品speci fi cation
极限值
BF720 ; BF722
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
给定的限值按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。强调以上一个或
更多的限制，可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只有经营
该设备在这些或高于任何其他条件的特定网络阳离子的特性部分给出的
是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出，它是咨询，并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备，设备或系统中使用，其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这类应用中使用这样做在自己的风险，并同意完全赔偿飞利浦对此类造成的任何损坏
不当使用或销售。
1999年04月21
5
BF 720 BF 722
NPN
高电压晶体管
NPN
表面贴装硅外延PlanarTransistors
硅外延PlanarTransistoren献给死去Oberflchenmontage
功耗 - Verlustleistung
1.65
4
±0.2
±0.3
6.5
±0.1
3
±0.2
1.5 W
SOT-223
0.04 g
塑料外壳
Kunststoffgehuse
3.5
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
1
0.7
2.3
2
3
3.25
尺寸/集体单位为毫米
1 = B 2 ， 4 = C 3 = E
最大额定值（T
A
= 25
/
C)
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
7
Grenzwerte （T
A
= 25
/
C)
BF 720
V
CE0
V
CB0
V
EB0
P
合计
I
C
I
CM
I
BM
T
j
T
S
300 V
300 V
5V
1.5 W
1
)
百毫安
200毫安
百毫安
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
BF 722
250 V
250 V
特性（T
j
= 25
/
C)
分钟。
集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom
I
E
= 0, V
CB
= 200 V
I
E
= 0, V
CB
= 200 V，T
j
= 150
/
C
发射基截止电流 - Emitterreststrom
I
C
= 0, V
EB
= 5 V
I
C
= 30 mA时，我
B
= 5毫安
I
EB0
V
CESAT
–
–
I
CB0
I
CB0
–
–
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
典型值。
–
–
–
–
马克斯。
10 nA的
10
:
A
50 nA的
600毫伏
集电极饱和电压。 - Kollektor - Sttigungsspg 。
2
)
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
2
）测试与脉冲吨
p
= 300
:
S，占空比
#
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S， Schaltverhltnis
#
2%
10
01.11.2003
1
高电压晶体管
特性（T
j
= 25
/
C)
分钟。
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
1
)
V
CE
= 20 V，I
C
= 25毫安
增益带宽积 - Transitfrequenz
V
CE
= 20 V，I
C
= 25 mA时， F = 100 MHz的
V
CB
= 30 V，I
E
= i
e
= 0中，f = 1 MHz的
热电阻 - Wrmewiderstand
结到环境空气 - Sperrschicht祖umgebender拉夫特
结到焊接点 - Sperrschicht祖Ltpad
推荐互补PNP晶体管
Empfohlene komplementre PNP - Transistoren
R
THA
R
THS
f
T
C
CB0
50兆赫
–
–
–
h
FE
50
–
BF 820 BF 822
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
典型值。
马克斯。
–
–
1.6 pF的
87 K / W
2
)
27 K / W
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
BF 721 BF 723
）测试与脉冲吨
p
= 300
:
S，占空比
#
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S， Schaltverhltnis
#
2%
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
01.11.2003
1
2
11
恩智浦半导体
产品数据表
NPN型高压晶体管
特点
低反馈电容。
应用
彩色电视的B类视频输出级
接收机
通用高压电路。
手册， halfpage
BF720 ; BF722
4
2, 4
1
3
描述
NPN晶体管在SOT223塑料包装。
PNP补充： BF723 。
钉扎
针
1
2, 4
3
BASE
集热器
辐射源
描述
Fig.1
1
顶视图
2
3
MAM287
简化外形（ SOT223 ）和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
BF720
BF722
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BF720
BF722
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.装置安装在印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘
1厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“为SOT223在总则部分的相关散热的考虑
手册“ 。
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
集电极开路
开基
65
65
300
250
5
100
200
100
1.2
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
W
°C
°C
°C
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
300
250
V
V
分钟。
马克斯。
单位
1999年04月21
2
恩智浦半导体
产品数据表
NPN型高压晶体管
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-S
记
参数
从结点到环境的热阻
热阻结到焊接点
条件
注1
注1
BF720 ; BF722
价值
106
25
单位
K / W
K / W
1.装置安装在印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“为SOT223在总则部分的相关散热的考虑
手册“ 。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CESAT
C
re
f
T
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
反馈电容
跃迁频率
条件
I
E
= 0; V
CB
= 200 V
I
E
= 0; V
CB
= 200 V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 25毫安; V
CE
= 20 V
I
C
= i
c
= 0; V
CE
= 30 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 10毫安; V
CE
= 10 V ; F = 100 MHz的
50
60
分钟。
马克斯。
10
10
50
0.6
1.6
V
pF
兆赫
单位
nA
A
nA
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= 30毫安;我
B
= 5毫安
1999年04月21
3
恩智浦半导体
产品数据表
NPN型高压晶体管
数据表状态
文件
状态
(1)
目标数据表
初步数据表
产品数据表
笔记
产品
状态
(2)
发展
QUALI科幻阳离子
生产
德网络nition
BF720 ; BF722
本文件包含的数据从客观规范的产品
发展。
本文件包含的初步规格数据。
本文件包含的产品规格。
1.启动或完成设计之前，请咨询最新发布的文档。
2.本文档中描述的设备（S ）的产品的状态可能已经改变，因为这个文件发布
和可能不同的情况下，多个器件。最新产品状态信息可在互联网上
网址http://www.nxp.com 。
免责声明
一般
本文件中的信息被认为是
准确和可靠。然而，恩智浦半导体
不提供任何陈述或保证，
明示或暗示的内容的准确性或完整性
这样的信息，并有权对任何法律责任
使用这些信息的后果。
有权进行修改
恩智浦半导体
保留随时更改信息的权利
文件中公布的，包括但不限于
规格和产品说明，在任何时间，
恕不另行通知。本文件取代所有
之前，此次公布的信息。
适合使用
恩智浦半导体产品
没有设计，授权或担保适合
在医疗，军事，航空，航天和生活配套使用
设备，或者是在故障或失效
的恩智浦半导体的产品可以合理
预期会导致人身伤害，死亡或严重
属性或环境损害。恩智浦半导体
接受列入恩智浦和/或使用不承担任何责任
半导体产品在此类设备或
应用，因此这样的夹杂物和/或用途是在
客户自己的风险。
应用
在此描述为应用程序
任何这些产品仅用于说明性目的。
恩智浦半导体作任何陈述或
保修这样的应用将是适当的
没有进一步的测试或修改指定用途。
极限值
应力以上的一个或多个限制
值（如在绝对最大额定值定义
IEC 60134 ）的系统可能会造成永久性损坏
该设备。极限值值仅为
该器件在这些或任何其他条件操作
1999年04月21
5
超过上述的这种特性部分给出
文档是不是暗示。暴露限制值
长时间可能会影响器件的可靠性。
销售条款和条件
恩智浦半导体
产品的销售都遵循的一般条款和
商业销售截至公布的条件下，
http://www.nxp.com/profile/terms ，包括那些
关于保修，知识产权
侵权和赔偿责任限制，除非明确
恩智浦半导体另有书面同意。在
案件信息有任何不一致或冲突
本文与此类条款和条件，后者
将占上风。
没有任何要约出售或许可
本文档中的任何内容
也许能被解释为要约出售产品
这是开放的接受或批，运送或
任何许可下的任何版权，专利暗示或
其它工业或知识产权。
出口管制
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这里描述可能会受到出口管制
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快速参考数据
快速参考的数据是
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