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分立半导体
数据表
BF547
NPN 1 GHz宽带晶体管
产品speci fi cation
在分立半导体的文件, SC14
1995年9月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 1 GHz宽带晶体管
特点
反馈电容(典型值) 。 1 pF的
稳定振荡器运行
高电流增益
良好的热稳定性。
手册, halfpage
BF547
描述
低成本NPN晶体管在一个塑料SOT23封装。
3
应用
它旨在用于VHF和UHF电视调谐器应用
并且可被用作混频器和/或振荡器。
钉扎
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
标识代码:
E16.
1
顶视图
2
MSB003
图1 SOT23封装。
快速参考数据
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
CM
P
合计
f
T
C
re
1. T
s
是在集电针的焊接点的温度。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
CM
P
合计
T
英镑
T
j
1. T
s
是在集电针的焊接点的温度。
1995年9月
2
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
峰值集电极电流
总功耗
存储温度范围
结温
最多至T
s
= 70
°C;
注1
开基
发射极开路
集电极开路
条件
65
分钟。
马克斯。
20
30
3
50
300
+150
150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
峰值集电极电流
总功耗
跃迁频率
反馈电容
最多至T
s
= 70
°C;
注1
I
C
= 15毫安; V
CE
10 V ; F = 500 MHz的
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
开基
发射极开路
集电极开路
条件
1.2
1
分钟。
马克斯。
20
30
3
50
300
1.6
单位
V
V
V
mA
mW
GHz的
pF
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 1 GHz宽带晶体管
热特性
符号
R
第j个-S
1. T
s
是在集电针的焊接点的温度。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
h
FE
f
T
C
re
G
UM
1. G
UM
是最大单边功率增益,假设S
12
是零和G
UM
参数
集电极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
反馈电容
最大功率单侧
获得;注1
条件
I
E
= 0; V
CB
= 10 V
I
C
= 2毫安; V
CE
= 10 V
I
C
= 15毫安; V
CE
= 10 V ; F = 500 MHz的
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 1毫安; V
CE
= 10 V ; F = 100 MHz的
分钟。
40
0.8
典型值。
95
1.2
1
20
参数
从结点到焊接点
注1
条件
价值
260
BF547
单位
K / W
马克斯。
100
250
1.6
单位
nA
GHz的
pF
dB
S
21
=
10日志------------------------------------------------ -------------分贝。
-
2
2
1
S
11
1
S
22
2
手册, halfpage
400
MBB401
MBB397
手册, halfpage
140
P合计
( mW)的
300
^ h FE
100
200
60
100
0
0
50
100
150
Ts
(
o
C)
200
20
10
1
1
10
2
I C ( mA)的10
V
CE
= 10 V.
Fig.3
图2功率降额曲线。
直流电流增益作为集电体的功能
电流。
1995年9月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 1 GHz宽带晶体管
BF547
MBB474
手册, halfpage
1.6
手册, halfpage
1.4
MBB399
CRE
(PF )
fT
(千兆赫)
1.0
0.8
0.6
0
0.1
1
10
VCB ( V)
100
0.2
10
1
1
10
IC (MA )
10
2
I
E
= i
e
= 0; F = 1兆赫。
V
CE
= 10 V ; F = 500兆赫。
Fig.4
反馈电容的一个函数
集电极 - 基极电压
Fig.5
过渡频率的函数
集电极电流。
手册, halfpage
40
MBB407
MBB408
手册, halfpage
GUM
( dB)的
30
50
GUM
( dB)的
40
30
20
20
10
10
0
0
0
10
20
IC (MA )
30
10
10
10
2
10
3
F(兆赫)
10
4
V
CE
= 10 V ; F = 100兆赫。
V
CE
= 10 V ;我
C
= 15 mA的电流。
Fig.6
单侧最大功率增益为
功能集电极电流。
Fig.7
单侧最大功率增益为
功能的频率。
1995年9月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 1 GHz宽带晶体管
BF547
手册, halfpage
10
MBB398
手册, halfpage
8
MBB409
VCE坐
(V)
F
( dB)的
6
1
4
10
1
2
10
2
10
1
1
10
IC (MA )
10
2
0
10
1
1
10
IC (MA )
10
2
I
C
/I
B
= 10.
V
CE
= 10 V ;
S
= Z
L
= 50
;
F = 100兆赫。
Fig.8
集电极 - 发射极饱和电压为
功能集电极电流。
Fig.9
共发射极噪声系数的函数
的集电极电流。
手册, halfpage
0
MBB410
手册, halfpage
80
MBB413
B11 F = 1000 MHz的
800
(女士)
600
400
20
b21
(女士)
5
mA
200
IE浏览器?
2
mA
60
10
mA
40
5
mA
60
10
mA
80
40
IE浏览器?
2
mA
200
300
500
600
800
F = 1000 MHz的
20
10
20
30
40
50
60
G11 (MS )
0
50
40
30
20
10
0
10
G21 (MS )
V
CB
= 10 V.
V
CB
= 10 V.
图10共基极输入导纳(Y
11
).
图11通用底座向前纳(Y
21
).
1995年9月
5
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    BF547
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    -
    -
    -
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一级代理专营,原装现货,价格优势
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