飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 1 GHz宽带晶体管
热特性
符号
R
第j个-S
记
1. T
s
是在集电针的焊接点的温度。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
h
FE
f
T
C
re
G
UM
记
1. G
UM
是最大单边功率增益,假设S
12
是零和G
UM
参数
集电极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
反馈电容
最大功率单侧
获得;注1
条件
I
E
= 0; V
CB
= 10 V
I
C
= 2毫安; V
CE
= 10 V
I
C
= 15毫安; V
CE
= 10 V ; F = 500 MHz的
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 1毫安; V
CE
= 10 V ; F = 100 MHz的
分钟。
40
0.8
典型值。
95
1.2
1
20
参数
从结点到焊接点
注1
条件
价值
260
BF547
单位
K / W
马克斯。
100
250
1.6
单位
nA
GHz的
pF
dB
S
21
=
10日志------------------------------------------------ -------------分贝。
-
2
2
1
–
S
11
1
–
S
22
2
手册, halfpage
400
MBB401
MBB397
手册, halfpage
140
P合计
( mW)的
300
^ h FE
100
200
60
100
0
0
50
100
150
Ts
(
o
C)
200
20
10
1
1
10
2
I C ( mA)的10
V
CE
= 10 V.
Fig.3
图2功率降额曲线。
直流电流增益作为集电体的功能
电流。
1995年9月
3