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分立半导体
数据表
BF545A ; BF545B ; BF545C
N沟道硅结
场效应晶体管
产品speci fi cation
取代1995年4月的数据
在分离式半导体文件， SC07
1996年07月29日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道硅结
音响场效晶体管
特点
低漏电流水平（典型值500 FA）
高增益
低截止电压（最大2.2 V的BF545A ） 。
应用
在例如阻抗转换器驻极体传声器
红外探测器
甚高频放大器振荡器和混频器。
描述
N沟道对称的硅结型场效应
晶体管采用SOT23封装。
钉扎 - SOT23
针
1
2
3
符号
s
d
g
描述
来源
漏
门
手册， halfpage
2
BF545A ; BF545B ; BF545C
1
g
d
s
3
顶视图
MAM036
标记代码：
BF545A ： M65 。
BF545B ： M66 。
BF545C ： M67 。
Fig.1简化外形和符号。
快速参考数据
符号
V
DS
V
GSoff
I
DSS
参数
漏源电压
栅极 - 源极截止电压
漏电流
BF545A
BF545B
BF545C
P
合计
y
fs
总功耗
正向转移导纳
最多至T
AMB
= 25
°C
V
GS
= 0; V
DS
= 15 V
I
D
= 1
A;
V
DS
= 15 V
V
GS
= 0; V
DS
= 15 V
2
6
12
3
6.5
15
25
250
6.5
mA
mA
mA
mW
mS
条件
0.4
分钟。
马克斯。
±30
7.8
单位
V
V
1996年07月29日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道硅结
音响场效晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
DS
V
GSO
V
GDO
I
G
P
合计
T
英镑
T
j
记
参数
漏源电压
栅源电压
栅 - 漏电压（直流）
正向栅极电流（DC）的
总功耗
储存温度
工作结温
最多至T
AMB
= 25
°C;
注1
漏极开路
开源
条件
BF545A ; BF545B ; BF545C
分钟。
65
马克斯。
±30
30
30
10
250
150
150
V
V
V
单位
mA
mW
°C
°C
1.装置安装在一FR4印刷电路板，最大引线长度为4毫米;安装焊盘的漏
导致10毫米
2
.
手册， halfpage
400
MBB688
P合计
（ mW）的
300
200
100
0
0
50
100
150
200
TAMB （ ° C）
图2功率降额曲线。
1996年07月29日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道硅结
音响场效晶体管
热特性
符号
R
日J-一
记
参数
从结点到环境的热阻;注1
BF545A ; BF545B ; BF545C
价值
500
单位
K / W
1.装置安装在一FR4印刷电路板，最大引线长度为4毫米;安装焊盘的漏
导致10毫米
2
.
静态特性
T
j
= 25
°C;
除非另有规定ED 。
符号
V
（ BR ） GSS
V
GSoff
参数
栅极 - 源极截止电压
BF545A
BF545B
BF545C
I
D
= 1
A;
V
DS
= 15 V
I
DSS
漏电流
BF545A
BF545B
BF545C
I
GSS
栅极漏电流
V
GS
=
20
V; V
DS
= 0
V
GS
=
20
V; V
DS
= 0;
T
j
= 125
°C
y
fs
y
os
正向转移导纳
共源输出
导纳
V
GS
= 0; V
DS
= 15 V
V
GS
= 0; V
DS
= 15 V
V
GS
= 0; V
DS
= 15 V
2
6
12
3
0.5
40
6.5
15
25
1000
100
6.5
mA
mA
mA
pA
nA
mS
S
条件
I
D
= 200
A;
V
DS
= 15 V
0.4
1.6
3.2
0.4
2.2
3.8
7.8
7.5
V
V
V
V
分钟。
30
典型值。
马克斯。
V
单位
栅源击穿电压I
G
=
1 A;
V
DS
= 0
1996年07月29日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道硅结
音响场效晶体管
动态特性
T
AMB
= 25
°C;
除非另有规定ED 。
符号
C
is
C
rs
g
is
g
fs
g
rs
g
os
参数
输入电容
反向传输电容
BF545A ; BF545B ; BF545C
条件
V
DS
= 15 V; V
GS
=
10
V ; F = 1 MHz的
V
DS
= 15 V; V
GS
= 0; F = 1 MHz的
V
DS
= 15 V; V
GS
=
10
V ; F = 1 MHz的
V
DS
= 15 V; V
GS
= 0; F = 1 MHz的
3
典型值。
1.7
0.8
0.9
15
300
2
1.8
6
40
30
60
单位
pF
pF
pF
pF
S
S
mS
mS
S
S
S
S
共源输入电导V
DS
= 10 V ;我
D
= 1毫安; F = 100 MHz的
V
DS
= 10 V ;我
D
= 1毫安; F = 450 MHz的
普通电源切换
导
共源反向
导
共源输出
导
V
DS
= 10 V ;我
D
= 1毫安; F = 100 MHz的
V
DS
= 10 V ;我
D
= 1毫安; F = 450 MHz的
V
DS
= 10 V ;我
D
= 1毫安; F = 100 MHz的
V
DS
= 10 V ;我
D
= 1毫安; F = 450 MHz的
V
DS
= 10 V ;我
D
= 1毫安; F = 100 MHz的
V
DS
= 10 V ;我
D
= 1毫安; F = 450 MHz的
手册， halfpage
30
MBB467
手册， halfpage
6
MBB466
IDSS
（MA ）
20
YFS
（女士）
5
10
0
0
2
4
6
8
VGSoff （ V）
4
0
2
4
6
8
VGSoff （ V）
V
DS
= 15 V; V
GS
= 0; T
j
= 25
°C.
V
DS
= 15 V ;牛逼
j
= 25
°C.
Fig.4
Fig.3
漏电流的栅源极间的函数
截止电压;典型值。
正向转移导纳为
栅极 - 源极截止电压的函数;
典型值。
1996年07月29日
5
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