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BF5020...
硅N沟道MOSFET四极管
低噪声增益控制输入UHF-的阶段，
VHF - 调谐器采用3 V至5 V电源电压
集成门极保护二极管
出色的噪声系数
高增益，高前进纳
在增益减少，提高了交叉调制
无铅（符合RoHS标准）封装
合格的依据AEC Q101
3
4
1
2
漏
AGC
HF
输入
G2
G1
R
G1
V
GG
高频输出
+ DC
GND
EHA07461
ESD
(
E
LECTRO
s
TATIC
d
ischarge ）敏感器件，观察处理防范！
TYPE
BF5020
BF5020R
BF5020W
包
SOT143
SOT143R
SOT343
1=S
1=D
1=D
2=D
2=S
2=S
引脚配置
3 = G2 4 = G1 -
3 = G1 4 = G2 -
3 = G1 4 = G2 -
-
-
-
记号
KYS
KYS
KYS
最大额定值
参数
漏源电压
连续漏电流
门1 / 2门源电流
门1 / 2门源电压
总功耗
T
S
≤
76 ° C， BF5020 ， BF5020R
T
S
≤
94 ° C， BF5020W
储存温度
通道温度
T
英镑
T
ch
符号
V
DS
I
D
I
G1S
,
I
G2S
V
G1S
,
V
G2S
P
合计
200
200
-55 ... 150
150
°C
价值
8
25
±
10
±
6
单位
V
mA
mA
V
mW
1
2009-10-01
BF5020...
热阻
参数
道 - 焊接点
1)
BF5020 ， BF5020R
BF5020W
符号
R
thChS
≤
370
≤
280
价值
单位
K / W
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
分钟。
DC特性
漏源击穿电压
I
D
= 20 A,
V
G1S
= 0 ,
V
G2S
= 0
GATE1源击穿电压
+I
G1S
= 10毫安，
V
G2S
= 0 ,
V
DS
= 0
GATE2源击穿电压
+I
G2S
= 10毫安，
V
G1S
= 0 ,
V
DS
= 0
GATE1源漏电流
V
G1S
= 6 V,
V
G2S
= 0 ,
V
DS
= 0
GATE2源漏电流
V
G2S
= 6 V,
V
G1S
= 0 ,
V
DS
= 0
漏电流
V
DS
= 5 V,
V
G1S
= 0 ,
V
G2S
= 4 V
漏 - 源电流
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V,
R
G1
= 120 k
GATE1源夹断电压
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V,
I
D
= 20 A
GATE2源夹断电压
V
DS
= 5 V,
I
D
= 20 A,
V
G1S
= 2 V
1
对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
单位
马克斯。
-
15
15
50
50
100
-
-
-
mA
V
nA
V
典型值。
-
-
-
-
-
-
14
0.7
0.7
V
（ BR ） DS
+V
(BR)G1SS
+V
(BR)G2SS
+I
G1SS
+I
G2SS
I
DSS
I
DSX
V
G1S(p)
V
G2S(p)
12
6
6
-
-
-
-
-
-
2
2009-10-01
BF5020...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
符号
值
参数
分钟。
AC特性
- （通过随机抽样核实）
正向跨导
V
DS
= 5 V,
I
D
= 10毫安，
V
G2S
= 4 V
GATE1输入电容
V
DS
= 5 V,
I
D
= 10毫安，
V
G2S
= 4 V
输出电容
V
DS
= 5 V,
I
D
= 10毫安，
V
G2S
= 4 V
功率增益
V
DS
= 5 V,
I
D
= 10毫安，
V
G2S
= 4 V,
f
= 800兆赫
V
DS
= 5 V,
I
D
= 10毫安，
V
G2S
= 4 V,
f
= 45 MHz的
噪声系数
V
DS
= 5 V,
I
D
= 10毫安，
V
G2S
= 4 V,
f
= 800兆赫
V
DS
= 5 V,
I
D
= 10毫安，
V
G2S
= 4 V,
f
= 45 MHz的
增益控制范围
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4...0 V
交叉调制
1)
,
V
DS
= 5 V,
R
G1
= 120 k
AGC
= 0
AGC
= 10分贝
AGC
= 40分贝
1
输入
单位
马克斯。
-
-
-
dB
mS
pF
典型值。
34
2.4
1
g
fs
C
g1ss
C
DSS
G
p
-
-
-
-
-
F
-
-
G
p
X
MOD
-
-
-
-
26
32
-
-
dB
1.2
0.8
45
-
-
-
dBμV的
98
96
106
-
-
-
对于水平
k
= 1%;
f
w
= 50 MHz时，
f
UNW
= 60 MHz的
3
2009-10-01
BF5020...
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
BF5020W
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
BF5020 ， BF5020R
220
mA
220
mW
180
160
180
160
P
合计
140
120
100
80
60
40
20
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
P
合计
140
120
100
80
60
40
20
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
T
S
T
S
输出特性
I
D
=
(V
DS
)
门1电流
I
G1
=
(V
G1S
)
V
DS
= 5V
V
G2S
=参数
20
mA
1.5V
180
A
16
14
1.4V
140
120
100
80
I
G1
I
D
12
1.3V
10
8
6
1.1V
1.2V
4V
3.5V
3V
2.5V
2V
60
40
20
0
0
4
2
0
0
V
2
4
6
8
12
0.5
1
1.5
2
V
3
V
DS
V
G1S
4
2009-10-01
BF5020...
1号门正向跨导
g
fs
=
(I
D
)
V
DS
= 5V,
V
G2S
=参数
50
mS
4V
漏电流
I
D
=
(V
G1S
)
V
DS
= 5V
V
G2S
=参数
30
mA
40
35
3V
24
22
g
fs
30
25
20
15
10
5
0
0
1.5V
2V
I
D
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
4V
3V
2V
1.5 V
1V
5
10
15
20
25
30
35
mA
45
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
1.8
I
D
V
G1S
漏电流
I
D
=
(V
GG
)
V
DS
= 5V,
V
G2S
= 4V,
R
G1
= 120 k
（连接到
V
GG,
V
GG = GATE1电源电压）
16
mA
漏电流
I
D
=
(V
GG
)
V
G2S
= 4V
R
G1
=以kΩ参数
24
mA
68K
20
12
18
16
82K
100K
120K
I
D
I
D
10
14
12
10
150K
180K
8
6
8
4
6
4
2
2
0
0
1
2
3
V
5
0
0
1
2
3
4
V
6
V
GG
V
GG
=V
DS
5
2009-10-01
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B43254F2687M000
BOV130S10K
B85121A2122C160
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    BF5020W
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