BF421 ， BF423
高电压晶体管
PNP硅
特点
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
等级
集热器
：辐射源
电压
集热器
： BASE
电压
辐射源
： BASE
电压
集电极电流
连续
集电极电流
PEAK
器件总功耗（注1 ）
@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
P
D
BF421
300
300
BF423
250
250
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mA
mW
毫瓦/°C的
°C
3
BASE
符号
R
qJA
R
qJL
最大
150
68
单位
° C / W
° C / W
12
http://onsemi.com
5.0
500
100
830
6.6
55
+150
1
TO92
CASE 29
14风格
2
3
直引线
散装
3
BENT LEAD
磁带&卷轴
弹药包
集热器
2
记号
图
BF
42x
AYWW
G
G
T
J
, T
英镑
热特性
特征
热阻，
结到环境
热阻，
结到铅
1
辐射源
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.安装在FR4板200毫米
2
1盎司铜和铅的长度
5 mm.
BF42x =器件代码
x = 1或3
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
BF421ZL1G
BF423G
BF423ZL1G
包
TO92
（无铅）
TO92
（无铅）
TO92
（无铅）
航运
2000 /弹药包
5000单位/箱
2000 /弹药包
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2010
， 2010年7月
启5
1
出版订单号：
BF421/D
BF421 ， BF423
包装尺寸
TO-92 （TO- 226）
CASE 029-11
ISSUE AM
A
R
P
L
座位
飞机
B
直引线
散装
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4. LEAD维不受控制IN P和
BEYOND尺寸k最低限度。
英寸
民
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.021
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
---
0.250
---
0.080
0.105
---
0.100
0.115
---
0.135
---
MILLIMETERS
民
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.407
0.533
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
---
6.35
---
2.04
2.66
---
2.54
2.93
---
3.43
---
K
X X
H
V
1
D
G
J
C
N
N
第X-X
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
P
R
V
风格14 ：
PIN 1.辐射源
2.收集
3. BASE
R
A
B
BENT LEAD
磁带&卷轴
弹药包
P
T
座位
飞机
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ASME Y14.5M ， 1994年。
2.控制尺寸：毫米。
3.轮廓包装超越
尺寸R不受控制。
4.铅尺寸不可控IN P
AND BEYOND尺寸k最低限度。
MILLIMETERS
民
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.40
0.54
2.40
2.80
0.39
0.50
12.70
---
2.04
2.66
1.50
4.00
2.93
---
3.43
---
K
G
X X
V
1
D
J
C
N
第X-X
暗淡
A
B
C
D
G
J
K
N
P
R
V
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲，中东和非洲技术支持：
电话： 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话： 81-3-5773-3850
安森美半导体网站： www.onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息，请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
4
BF421/D
UTC BF423
PNP HIGH- VOLTAGE
晶体管
特点
PNP型高压晶体管
*集电极 - 发射极电压： V
CEO=-250V.
应用
*高电压应用。
*监控设备的应用。
1
TO-92
1 ：发射器2 ：收藏家3 ： BASE
绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（峰值）
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
Ic
Ic
P
I
B
Pc
Tj
T
英镑
等级
-250
-250
-5
-50
-100
-50
625
150
-65~+150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
电气特性
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
反馈电容
符号
I
CBO
I
EBO
的hFE
V
CE
（SAT）
fT
CRE
条件
V
CB
= -200V ，我
E
=0
V
CB
= -200V
,
I
E
= 0时，环境温度为150℃的
V
EB
= -5V ， IC = 0
V
CE=-20V,
Ic=-25mA
IC = -30mA ，我
B
= -5mA
V
CE
= -10V ， IC = -10mA ， F = 100MHz的
V
CB
= -30V ，我
E
= 0，F = 1MHz的
民
最大
-10
-10
-50
单位
nA
A
nA
V
兆赫
pF
50
-0.6
60
1.6
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
1
QW-R201-058,A
UTC BF423
-60
集电极电流IC （MA ）
-50 I
B
=3.0mA
-40
-30
-20
-10
0
0
-4
1.6mA
PNP型高压晶体管
500
300
直流电流增益hFE
100
50
30
10
5
-0.3
-10
-30
-3
集电极电流Ic （ mA）的
-100
-10V
-5V
共发射极
Ta=25℃
HFE- IC
V
CE
=-20V
IC -V
CE
（低电压区域）
1.0毫安0.6毫安
共发射极
Ta=25℃
0.4mA
I
B
=0.3mA
I
B
=0.2mA
I
B
=0.15mA
I
B
=0.1mA
I
B
=0.05mA
I
B
=0
-20
-24
-16
-8
-12
集电极发射极电压V
CE
(V)
-28
-1
500
300
直流电流增益hFE
100
50
30
10
5
-0.3
Ta=25℃
Ta=100℃
HFE- IC
集电极发射
饱和电压V
CE （ SAT ）
共发射极
V
CE
=-10V
Ta=-25℃
-5
-3
-1
-0.5
-0.3
V
CE （ SAT ）
-IC
共发射极
Ta=25℃
IC / I
B
=10
-0.1
IC / I
B
=5
-1
-10
-30
-3
集电极电流Ic （ mA）的
-100
IC / I
B
=2
-1
-10
-30
-3
集电极电流Ic （ mA）的
-100
-0.05
-0.3
-5
集电极发射
饱和电压V
CE （ SAT ）
-3
-1
-0.5
-0.3
-0.1
共发射极
IC / I
B
=5
V
CE （ SAT ）
-IC
集电极电流IC （MA ）
-50
-40
-30
-20
-10
0
0
-0.2
共发射极
V
CE
=10V
IC -V
BE
Ta=100℃
Ta=100℃
Ta=-25℃
Ta=25℃
-1
-10
-30
-3
集电极电流Ic （ mA）的
-100
Ta=-25℃
Ta=25℃
-0.8
-1.0
-0.4
-0.6
基极发射极电压V
BE
(V)
-1.2
-0.05
-0.3
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
2
QW-R201-058,A
UTC BF423
反向传输电容Cre重组酶（PF ）
集电极输出电容科夫（PF ）
10
8
6
4
2
0
CRE
0
-40
COB
PNP型高压晶体管
COB，肌酐-V
CB
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25℃
跃迁频率英尺（兆赫）
500
300
100
V
CE
=-10V
50
30
10
-0.3
-1
-10
-3
集电极电流Ic （ mA）的
-30
共发射极
Ta=25℃
V
CE
=-20V
FT- IC
-80
-120
-160 -200 -240
集电极基极电压V
CB
(V)
-280
1000
集电极耗散功率
PC（毫瓦）
800
600
400
200
0
0
40
PC-的Ta
-200
-100
集电极电流Ic （ mA）的
安全工作区
IC MAX 。 （脉冲） *
1m
s
IC MAX 。 （连续） *
-50
10
0m
DC
-30
s
O
PE
RA
-10
TI
ON
-5
-3
80
120
160
环境温度Ta（ ℃ ）
200
*单不重复
PULSE TA = 25 ℃曲线
必须降低
-1
线性增长
温度
-0.5
-10
-100 -300
-3
-30
集电极发射极电压V
CE
(V)
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
s
m
10
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
3
QW-R201-058,A
分立半导体元件的迷你尺寸
二极管
整流器器
肖特基SOD- 723 / SOD- 523 / SOD- 323
TO- 252 / TO263
SOT - 23-6 / TSSOP - 8 / SOP- 8
微型MELF / MELF
SMA / SMB / SMC
开关SOT - 523 / SOT - 323 / SOT -23
桥（单相/三相）
RF（低电容） &变容二极管
SOT-323
SOT-23
的TO- 252 / TO-263 / TO-220 / TO-3P
TSSOP - 8 / SOP- 8
开关稳压器/充电器泵
的DC-DC转换器/ PWM IC
升压/降压（升压/降压）
LDO稳压器
超LDO稳压器
SOT - 323 / SOT- 363
（双N ，双P，P + N）
SOT -23 / SOT- 89
的TO- 252 / TO-263
的TO- 92 / TO-220 / TO-3P
三端双向可控硅/ SCR / RF （ 1GHz的 ）
数字
SOT -23 / SOT- 23-5
SOT- 89 / TO- 92
SOT - 23-5 / SOT- 323-5
标准
SIDAC /晶闸管/ EMI滤波器
TVS / ESD阵列/压敏电阻（片）
Gastube避雷器/ 5 6针避雷器
聚合物可复位保险丝/热开关&
传感器
-----
P1
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
MOSFET
P2
P3
P4
P5
P6
P7
P8
P9~
P11
P12
P13
P14
P15
P16~
P18
调节器
晶体管
（数字）
复位IC
逻辑IC
EEPROM IC
保护
设备
----- P19
----- P20
-----
-----
-----
-----
P21
P22
P23
P24
薄膜电容器
----- P25
一流的X1 / X2安全生产许可证（ 300V交流）
MPP / MPE / DMP （高电流）
MINIBOX DC膜套。 /
X + Y
combint帽。 ----- P26
灯光膜/ AC起点膜套。
类Y1 / Y2安全生产许可证
高电压（ 1KV 6KV ）
贴片电容&多层（ MLCC ）
钽电容
-----
----- P27
陶瓷帽。
包装外形尺寸
P28 ~ P34
*其他工业规格（ -20
o
C / -30
o
C / - 40
o
C ~ 85
o
C )
发布日期： 2004年9月 2005年第二次编辑
PNP硅平面外延HIGH VOLTAGE
视频晶体管
BF421
BF423
TO-92
塑料包装
电气特性（Ta = 25℃除非另有规定）
描述
符号测试条件
动态特性
I
C
= 10毫安，V
CE
=10V
f
T
电流增益带宽积
f=50MHz
C
re
V
CB
= 30V ，我
E
=0
反馈电容
f=1MHz
*脉冲条件： =宽度< 300US ，占空比< 2.0 ％ 。
423
>60
<2.8
421
>60
<2.8
单位
兆赫
pF
BF421
BF423
TO-92
塑料包装
TO- 92塑料包装
TO- 92晶体管上的磁带和弹药包
维与“L”
B
不受控制
弹药盒样式
机械数据
T
P
h
A
A1
(p)
在顶面胶带
D
费
支架
条
183
mm
h
LABEL
扁方
A
H1
H0
L
W2
Wo
W1
W
L
可焊性有保证的
t1
t
F1
F
P2
Po
F2
Do
331
mm
42
mm
除了“L”
K
1
2
3
D
G
A A
晶体管的平板侧面和
胶带可见
2000件/弹药包
尺寸：mm除非另有规定
D
3
E
2
1
项
车身宽度
主体高度
机身厚度
COMPONENT间距
饲料孔间距
输入孔中心
COMPONENT中心
距离OUTER之间
LEADS
部件排列
胶带宽度
压紧胶带宽度
孔位
压紧的磁带位置
引线CLINCH高度
元件高度
长度剪断引线
饲料孔直径
磁带总厚度
铅 - 要 - 铅DISTANCEF1 ，
再胜高度
拉 - 脱力
符号
A1
A
T
P
Po
P2
F
h
W
Wo
W1
W2
Ho
H1
L
Do
t
F2
H2
(P)
SEC AA
暗淡
分钟。
4.32
4.45
3.18
0.41
马克斯。
5.33
5.20
4.19
0.55
F
F
3 2 1
A
B
C
D
E
F
G
H
K
L
引脚配置
1.基地
2.收集
3.辐射源
0.35
0.50
5度
1.14
1.40
1.14
1.53
12.70
1.982
—
2.082
备注
MIN 。 NOM 。 MAX 。 TOL 。
4.8
4.0
5.2
4.8
4.2
3.9
12.7
±1
12.7
± 0.3齿距累积
错误1.0毫米/ 20
沥青
6.35
± 0.4待测量AT
BOTTOM再胜
+0.6
5.08
-0.2
0
1
AT TOP OF BODY
18
±0.5
6
±0.2
9
+0.7
-0.5
0.5
±0.2
16
±0.5
23.25
11.0
4
±0.2
1.2
t1 0.3 - 0.6
2.54
+0.4
-0.1
3
6N
规范
H
C
在MM都diminsions 。
笔记
之间的连线1.最大对齐偏差不得大于0.2毫米。
间的磁带输送孔2.最大非累积变化不得超过1毫米的20
音高。
3. HOLDDOWN TAPE不超过BEYOND载带的EDGE（ S） ，并须否
接触粘合剂。
4.不超过3个连续丢失的组件是允许的。
5.带尾，至少有三个送料孔的最后一个组件后是必需的。
6. SPLICES不得干扰的隙缝。
包装细节
包
TO-92散装
TO-92 T&A
标准包装
详细
净重量/数量
1K/polybag
200克/ 1K个
2K /弹药箱
645克/ 2K个
内箱箱
SIZE
数量
3" X 7.5" X 7.5"
5K
12.5 ＆ QUOT ; X 8英寸×1.8 ＆ QUOT ;
2K
外箱BOX
SIZE
数量
克重量
17 ＆ QUOT ; ×15 ＆ QUOT ; X 13.5 ＆ QUOT ;
80K
23公斤
17 ＆ QUOT ; ×15 ＆ QUOT ; X 13.5 ＆ QUOT ;
32K
12.5公斤
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP型高压晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
BF421
BF423
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BF421
BF423
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一个印刷电路板上。
热特性
符号
R
号（j -a）的
记
1.晶体管安装在一个印刷电路板上。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CESAT
C
re
f
T
参数
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
反馈电容
跃迁频率
条件
V
CB
=
200
V ;我
E
= 0 A
V
CB
=
200
V ;我
E
= 0 ;吨
j
= 150
°C
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0 A
V
CE
=
20
V ;我
C
=
25
mA
I
C
=
30
毫安;我
B
=
5
mA
V
CE
=
30
V ;我
C
= i
c
= 0 ; F = 1 MHz的
V
CE
=
10
V ;我
C
=
10
毫安; F = 100 MHz的
参数
从结点到环境的热阻
注1
条件
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
集电极开路
开基
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
BF421 ; BF423
分钟。
65
65
马克斯。
300
250
300
250
5
50
100
50
830
+150
150
+150
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
价值
150
单位
K / W
分钟。
50
60
马克斯。
10
10
50
0.6
1.6
单位
nA
A
nA
V
pF
兆赫
2004年11月10日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP型高压晶体管
包装外形
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
BF421 ; BF423
SOT54
c
E
d
A
L
b
1
D
2
e1
e
3
b
1
L1
0
2.5
规模
5 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
5.2
5.0
b
0.48
0.40
b1
0.66
0.55
c
0.45
0.38
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
e
2.54
e1
1.27
L
14.5
12.7
L
1(1)
马克斯。
2.5
记
这个区域内的终端1.尺寸不受控制允许流胶和终端违规行为。
概要
VERSION
SOT54
参考文献：
IEC
JEDEC
TO-92
JEITA
SC-43A
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
04-06-28
2004年11月10日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP型高压晶体管
数据表状态
水平
I
数据表
状态
(1)
客观的数据
产品
状态
(2)(3)
发展
德网络nition
BF421 ; BF423
此数据表包含从客观特定网络阳离子产品数据
发展。飞利浦半导体公司保留修改的权利
特定网络阳离子以任何方式，恕不另行通知。
此数据表包含的初步speci fi cation数据。
补充资料将在晚些时候公布。飞利浦
半导体公司保留更改特定网络阳离子不正确
注意到，为了提高设计和提供更优秀的
产品。
此数据表包含了从产品speci fi cation数据。飞利浦
半导体公司保留随时更改在任何时间，以正确的
改进设计，制造和供应。相关的修改会
通过客户产品/流程变更NOTI网络阳离子通报
（ CPCN ） 。
II
初步数据QUALI网络阳离子
III
产品数据
生产
笔记
1.启动或完成设计之前，请咨询最新发布的数据表。
2.本数据手册中描述的设备（S ）的产品的状态可能已经改变，因为这个数据表是
出版。最新的信息可在互联网上的网址http://www.semiconductors.philips.com 。
3.为了描述多类型号的数据表中，最高级别的产品状态决定了数据表的状态。
释义
短特定形式的网络阳离子
在短格式中的数据
规格从与一个完整的数据资料中提取
同类型的编号和标题。有关详细信息，请参阅
相关数据表或数据手册。
极限值定义
给定的限值中
按照绝对最大额定值系统
（ IEC 60134 ） 。应力以上的一个或多个限制的
值可能导致器件的永久性损坏。
这些压力额定值的设备，只有经营
在这些或在上述那些的任何其他条件，在给定的
规范的特点部分将得不到保证。
暴露于长时间限制值可能
影响器件的可靠性。
应用信息
应用程序是
本文所述的任何这些产品都是为
仅用于说明目的。飞利浦半导体制作
任何陈述或保证，这些应用将
适于不经进一步测试或指定的使用
修改。
免责声明
生命支持应用
这些产品都没有
专为生活中使用的支持设备，设备或
系统在这些产品的故障可
合理预期造成人身伤害。飞利浦
使用或销售这些产品的半导体客户
在这些应用中使用这样做在自己的风险和
同意完全赔偿飞利浦半导体的任何
损失从这些应用程序产生的。
有权进行修改
飞利浦半导体
保留随时更改产品的权利 -
包括电路，标准单元，和/或软件 -
为了改善设计本文描述或载
和/或性能。当该产品处于满负荷生产
（状态“生产” ） ，有关变动会
通过客户产品/流程变更通报
通知（ CPCN ） 。飞利浦半导体公司不承担任何
责任和义务为使用任何这些
产品，传达没有牌照或标题下的任何专利，
版权或口罩工作的权利，这些产品，
使得这些任何陈述或保证
产品不受专利，版权或口罩工作
侵权，除非另有规定。
2004年11月10日
5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP型高压晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
BF421
BF423
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BF421
BF423
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一个印刷电路板上。
热特性
符号
R
号（j -a）的
记
1.晶体管安装在一个印刷电路板上。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CESAT
C
re
f
T
参数
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
反馈电容
跃迁频率
条件
V
CB
=
200
V ;我
E
= 0 A
V
CB
=
200
V ;我
E
= 0 ;吨
j
= 150
°C
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0 A
V
CE
=
20
V ;我
C
=
25
mA
I
C
=
30
毫安;我
B
=
5
mA
V
CE
=
30
V ;我
C
= i
c
= 0 ; F = 1 MHz的
V
CE
=
10
V ;我
C
=
10
毫安; F = 100 MHz的
参数
从结点到环境的热阻
注1
条件
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
集电极开路
开基
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
BF421 ; BF423
分钟。
65
65
马克斯。
300
250
300
250
5
50
100
50
830
+150
150
+150
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
价值
150
单位
K / W
分钟。
50
60
马克斯。
10
10
50
0.6
1.6
单位
nA
A
nA
V
pF
兆赫
2004年11月10日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP型高压晶体管
包装外形
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
BF421 ; BF423
SOT54
c
E
d
A
L
b
1
D
2
e1
e
3
b
1
L1
0
2.5
规模
5 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
5.2
5.0
b
0.48
0.40
b1
0.66
0.55
c
0.45
0.38
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
e
2.54
e1
1.27
L
14.5
12.7
L
1(1)
马克斯。
2.5
记
这个区域内的终端1.尺寸不受控制允许流胶和终端违规行为。
概要
VERSION
SOT54
参考文献：
IEC
JEDEC
TO-92
JEITA
SC-43A
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
04-06-28
2004年11月10日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP型高压晶体管
数据表状态
水平
I
数据表
状态
(1)
客观的数据
产品
状态
(2)(3)
发展
德网络nition
BF421 ; BF423
此数据表包含从客观特定网络阳离子产品数据
发展。飞利浦半导体公司保留修改的权利
特定网络阳离子以任何方式，恕不另行通知。
此数据表包含的初步speci fi cation数据。
补充资料将在晚些时候公布。飞利浦
半导体公司保留更改特定网络阳离子不正确
注意到，为了提高设计和提供更优秀的
产品。
此数据表包含了从产品speci fi cation数据。飞利浦
半导体公司保留随时更改在任何时间，以正确的
改进设计，制造和供应。相关的修改会
通过客户产品/流程变更NOTI网络阳离子通报
（ CPCN ） 。
II
初步数据QUALI网络阳离子
III
产品数据
生产
笔记
1.启动或完成设计之前，请咨询最新发布的数据表。
2.本数据手册中描述的设备（S ）的产品的状态可能已经改变，因为这个数据表是
出版。最新的信息可在互联网上的网址http://www.semiconductors.philips.com 。
3.为了描述多类型号的数据表中，最高级别的产品状态决定了数据表的状态。
释义
短特定形式的网络阳离子
在短格式中的数据
规格从与一个完整的数据资料中提取
同类型的编号和标题。有关详细信息，请参阅
相关数据表或数据手册。
极限值定义
给定的限值中
按照绝对最大额定值系统
（ IEC 60134 ） 。应力以上的一个或多个限制的
值可能导致器件的永久性损坏。
这些压力额定值的设备，只有经营
在这些或在上述那些的任何其他条件，在给定的
规范的特点部分将得不到保证。
暴露于长时间限制值可能
影响器件的可靠性。
应用信息
应用程序是
本文所述的任何这些产品都是为
仅用于说明目的。飞利浦半导体制作
任何陈述或保证，这些应用将
适于不经进一步测试或指定的使用
修改。
免责声明
生命支持应用
这些产品都没有
专为生活中使用的支持设备，设备或
系统在这些产品的故障可
合理预期造成人身伤害。飞利浦
使用或销售这些产品的半导体客户
在这些应用中使用这样做在自己的风险和
同意完全赔偿飞利浦半导体的任何
损失从这些应用程序产生的。
有权进行修改
飞利浦半导体
保留随时更改产品的权利 -
包括电路，标准单元，和/或软件 -
为了改善设计本文描述或载
和/或性能。当该产品处于满负荷生产
（状态“生产” ） ，有关变动会
通过客户产品/流程变更通报
通知（ CPCN ） 。飞利浦半导体公司不承担任何
责任和义务为使用任何这些
产品，传达没有牌照或标题下的任何专利，
版权或口罩工作的权利，这些产品，
使得这些任何陈述或保证
产品不受专利，版权或口罩工作
侵权，除非另有规定。
2004年11月10日
5
BF421 ， BF423
小信号晶体管（ PNP ）
TO-92
.181 (4.6)
分钟。 0.492 （12.5） 0.181 （4.6）
.142 (3.6)
特点
PNP硅外延晶体管
特别适合于应用
的电视B类视频输出级
接收机和监视器。
互补型， NPN型转录
电阻取值BF420和BF422是recom-
谁料。
马克斯。
.022 (0.55)
.098 (2.5)
E
C
B
机械数据
案例：
TO- 92塑料包装
重量：
约。 0.18克
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度，除非另有规定等级
符号
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
在T功耗
AMB
= 25 °C
结温
存储温度范围
1)
价值
300
250
250
300
5
50
100
830
1)
150
-65到+150
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
BF421
BF423
BF423
BF421
–V
CBO
–V
CBO
–V
首席执行官
–V
CER
–V
EBO
–I
C
–I
CM
P
合计
T
j
T
S
有效的条件是引线保持在环境温度下，以2毫米的情况下的距离。
4/98
BF421 ， BF423
电气特性
在25 ° C环境温度，除非另有规定等级
符号
集电极 - 基极击穿电压
在-I
C
= 100
A,
I
E
= 0
集电极 - 发射极击穿电压
在-I
C
= 10 mA时，我
B
= 0
集电极 - 发射极击穿电压
在r
BE
= 2.7 k,
在-I
C
= 10毫安
发射极 - 基极击穿电压
在-I
E
= 100
A,
I
C
= 0
集电极 - 基极截止电流
在-V
CB
= 200 V，I
E
= 0
集电极 - 发射极截止电流
在r
BE
= 2.7 kΩ的， -V
CE
= 250 V
在r
BE
= 2.7 kΩ的， -V
CE
= 200 V，T
j
= 150 °C
集电极饱和电压
在-I
C
= 30毫安， -I
B
= 5毫安
直流电流增益
在-V
CE
= 20 V ，二
C
= 25毫安
增益带宽积
在-V
CE
= 10 V ， -I
C
= 10毫安
反馈电容
在-V
CE
= 30 V ， -I
C
= 0中，f = 1 MHz的
热阻结到环境空气
1)
分钟。
300
250
250
300
5
–
典型值。
–
–
–
–
–
–
马克斯。
–
–
–
–
–
10
单位
V
V
V
V
V
nA
BF421
BF423
BF423
BF421
–V
（ BR ） CBO
–V
（ BR ） CBO
–V
（ BR ） CEO
–V
（ BR ） CER
–V
（ BR ） EBO
–I
CBO
–I
CER
–I
CER
–V
CESAT
h
FE
f
T
C
re
R
thJA
–
50
60
–
–
–
–
–
–
–
50
10
0.8
–
–
1.6
150
1)
nA
A
V
–
兆赫
pF
K / W
有效的条件是引线保持在环境温度下，以2毫米的情况下的距离。
QQ：2881677436 复制
