【分立半导体数据表BF245A ; BF245B ; BF245CN-沟道硅场效应晶体管产品speci】,IC型号BF245A/B/C,BF245A/B/C PDF资料,BF245A/B/C经销商,ic,电子元器件-51电子网

分立半导体

数据表

BF245A ; BF245B ; BF245C

N-沟道硅场效应

晶体管

产品speci fi cation

取代1995年4月的数据

在分离式半导体文件， SC07

1996年7月30日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N-沟道硅音响场效晶体管

特点

漏极和源极连接的互换性

频率高达700 MHz的。

应用

LF ， HF和直流放大器。

描述

通用N沟道对称结

场效应晶体管在一个塑料的TO- 92变体包。

小心

该器件采用防静电包装中提供。该

栅源输入必须加以保护，防止静电

运输或装卸过程中排出。

快速参考数据

符号

GSoff

GSO

DSS

参数

漏源电压

栅极 - 源极截止电压

栅源电压

漏电流

BF245A

BF245B

BF245C

合计

总功耗

正向转移导纳

反向传输电容

AMB

= 75

°C

= 15 V; V

= 0;

F = 1千赫牛逼

AMB

= 25

°C

= 20 V; V

F = 1兆赫;牛逼

AMB

= 25

°C

= 10 nA的; V

= 15 V

漏极开路

= 15 V; V

= 0

条件

Fig.1

钉扎

针

BF245A ; BF245B ; BF245C

符号

漏

来源

门

描述

手册， halfpage

MAM257

简化外形（ TO- 92变体）

和符号。

分钟。

0.25

典型值。

马克斯。

±30

6.5

300

6.5

单位

1.1

1996年7月30日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N-沟道硅音响场效晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

GDO

GSO

合计

英镑

记

参数

漏源电压

栅 - 漏电压

栅源电压

漏电流

栅电流

总功耗

储存温度

工作结温

最多至T

AMB

= 75

°C;

开源

漏极开路

BF245A ; BF245B ; BF245C

条件

最多至T

AMB

= 90

°C;

注1

分钟。

马克斯。

±30

300

+150

150

单位

°C

1.装置安装在一个印刷电路板，最小导线长度为3毫米，安装焊盘用于漏极引线的最小

10 mm

10 mm.

热特性

符号

日J-一

参数

从结点到环境的热阻

静态特性

= 25

°C;

除非另有规定ED 。

符号

（ BR ） GSS

GSoff

参数

栅源击穿电压

栅极 - 源极截止电压

栅源电压

BF245A

BF245B

BF245C

DSS

漏电流

BF245A

BF245B

BF245C

GSS

栅极截止电流

V; V

= 0

V; V

= 0; T

= 125

°C

记

脉冲条件下测得的1 ：吨

= 300

s; δ ≤

0.02.

= 15 V; V

= 0;注1

6.5

0.5

条件

1 A;

= 0

= 10 nA的; V

= 15 V

= 200

= 15 V

0.4

1.6

3.2

2.2

3.8

7.5

分钟。

0.25

8.0

马克斯。

单位

条件

在自由空气

价值

250

200

单位

K / W

1996年7月30日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N-沟道硅音响场效晶体管

动态特性

常见的来源;牛逼

AMB

= 25

°C;

除非另有规定ED 。

符号

政府飞行服务队

参数

输入电容

反向传输电容

输出电容

输入电导

输出电导

正向转移导纳

反向传输导纳

输出导纳

截止频率

噪音科幻gure

条件

BF245A ; BF245B ; BF245C

分钟。

典型值。马克斯。

1.1

1.6

250

1.4

700

1.5

6.5

单位

兆赫

= 20 V; V

V ; F = 1 MHz的

= 20 V; V

V ; F = 1 MHz的

= 20 V; V

V ; F = 1 MHz的

= 15 V; V

= 0; F = 200 MHz的

= 15 V; V

= 0; F = 200 MHz的

= 15 V; V

= 0; F = 1千赫

= 15 V; V

= 0; F = 200 MHz的

= 15 V; V

= 0; F = 200 MHz的

= 15 V; V

= 0; F = 1千赫

= 15 V; V

= 0; g

中= 0.7的

1 kHz时的值

= 15 V; V

= 0; F = 100 MHz的;

= 1千欧（共源） ;

输入调到最小噪声

手册， halfpage

MGE785

手册， halfpage

MGE789

IGSS

（ nA的）

（MA ）

典型值

100

TJ （ ° C）

150

VGS （ V）

= 0; V

= 15 V ;牛逼

= 25

°C.

Fig.2

栅极泄漏电流的一个函数

结温;典型值。

Fig.3

转让BF245A特点;

典型值。

1996年7月30日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N-沟道硅音响场效晶体管

BF245A ; BF245B ; BF245C

手册， halfpage

MBH555

（MA ）

手册， halfpage

MGE787

（MA ）

VGS = 0 V

0.5

1.5

VDS （ V）

VGS （ V）

= 15 V ;牛逼

= 25

°C.

= 15 V ;牛逼

= 25

°C.

Fig.4

输出特性BF245A ;

典型值。

Fig.5

转让BF245B特点;

典型值。

手册， halfpage

MBH553

手册， halfpage

MGE788

（MA ）

VGS = 0 V

（MA ）

0.5

1.5

2.5

VDS （ V）

VGS （ V）

= 15 V ;牛逼

= 25

°C.

= 15 V ;牛逼

= 25

°C.

Fig.6

输出特性BF245B ;

典型值。

Fig.7

转让BF245C特点;

典型值。

1996年7月30日